简介：摘 要 近期生产0603发光二极管过回流焊后出现脱焊、立碑的不良数在显示板总不良下线数中占了绝大部分，2、3月份分别占到了53%、52%，针对此问题，对SMT生产过程包括回流焊炉温曲线的监控进行重点跟踪后脱焊问题依然没有得到有效改善，后组织专项分析，从二极管焊盘以及PCB焊盘的设计上对问题的根源进行整改。

简介：本文介绍了超快恢复二极管(FRED)模块的工艺结构和内部接线图,略述了其特性参数和应用领域,以及高频应用领域内节电、节材、提高产品质量和劳动生产率的重要作用。

简介：主要介绍了厚膜片式二极管的研制背景及应用领域，指出了厚膜片式二极管应用的关键技术和工艺、最后讨论了厚膜式片二极管的发展前景。

简介：为了将Z源逆变器的单级变流特性应用于高压大功率场合，克服双Z网络二极管箝位五电平Z源逆变器所需储能元件多、硬件成本高及调制复杂的缺点，提出一种单Z网络结构的二极管箝位五电平拓扑，该拓扑只需一个Z网络，但通过合适的脉宽调制可以达到与双Z网络相同的升压效果。给出Z源逆变器直流链全直通及部分直通原理，分析适用于五电平Z源逆变器的直通控制方法，设计了直通状态插入的同向载波层叠（D）及交替反向载波层叠（APOD）两种脉宽调制策略。最后仿真验证系统直通控制方法及调制策略的正确性。

简介：

简介：日前，皇家飞利浦电子公司推出了一系列单线双向静电保护(ESD)二极管，以防止静电和30kV以下的瞬时脉冲电压对MP3播放器和移动电话的损坏。

简介：产品简介：大尺寸多段二极管演示器（标志高266毫米），为演示字母数字信息而设计。技术性能：红黄灯显示器供电电压：12±10％伏特

简介：摘要：硅电压基准二极管是高可靠性稳压二极管，其中温度系数是硅电压基准二极管的重要参数，由于该参数的测试方法对各项参数精度要求过高，国内现有设备都为仪器仪表单个组件，搭配起来用于试验验证，整个测试过程都为人工手动测试，而用于批量筛选试验的自动化测试设备国内外均未发现成品设备销售，本文采用一种模块化的方式构建测试，并采用计算机编程将各模块连接起来，达到自动化批量测试的功能。

简介：产品简介：二极管显示器背光源是均匀显示绿色、红色黄色蓝色白色的发光界面。由高效的超亮重组在特殊光导下形成的均匀显示。光区是长方形的，二极管安在一个或两个对立面。

简介：摘要APD光电二极管是在光探测研究中使用的一种重要的光伏探测器元件，在光电系统领域中有着举足轻重的地位，我国光电领域的科研人员对APD光电二极管的研究十分重视，如何对APD光电二极管的性能进行测试成为了科研人员需要攻破的首要难关。本文主要介绍的针对APD光电二极管的部分特性测试，主要包括暗电流、光电流的测试、APD光电二极管的电压特点、APD光电二极管的光照性能测试、APD光电二极管的达到什么条件会击穿的测试以及APD光电二极管的响应度与倍增因子情况的测试研究。

简介：本文提出用伏安法测绘二极管伏安特性曲线的一种电路新接法，用该接法测量时，不需修正即可完全消除电表内阻的影响。

简介：针对光子晶体全光二极管在引入Kerr非线性情况下的非对称透射行为进行了研究，目的是实现高透射率以及最大对比度的全光二极管。采用有限时域差分技术的数值模拟方法结合理论分析方法对光子晶体全光二极管的各种性能参数展开研究。在研究中发现可以由两个尺寸不同但具有相同共振频率的缺陷对构建光二极管，在非线性情况下它的透射率和对比度都能获得较大的提高，即选择适当的入射光功率以及合适的缺陷尺寸我们能得到最佳优化的光二极管。

简介：快恢复二极管（简称FRD）是一种开关特性好、反向恢复时间短的半导体二极管，主要用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电路中，作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。

简介：研究基于甲酸助焊剂的高功率激光二极管焊接工艺。高功率激光二极管芯片在工作时会产生大量的热，如果不及时散掉，会严重影响芯片的使用寿命，严重时直接烧毁芯片。因此需要将芯片的发热面，即P面与热沉焊接在一起，理想状态是100％的接触，这样热量就可以完全通过接触面被带走。

简介：从光电二极管的工作原理出发,对硅光电二极管的光谱响应度进行了论述。分析表明,入射光子的能量、材料的禁带宽度和吸收系数是光谱响应曲线具有波长选择性的主要原因。

简介：本文通过实验获取数据的方式进行绘制特性曲线图,对光电二极管与光电三极管的光电特性和伏安特性进行比较他们特性的异同,并分析原因。

简介：

简介：介绍了PIN光电二极管探测器的工作原理及基本结构，设计了探测器的测试系统，说明了测试系统中各个组成部分的结构和功能。利用该系统对PIN管光探测器电路的电特性进行了测试，测试结果表明PIN光电二极管探测器的响应特性符合技术要求。

简介：用GUMMEL提出的一种非耦合算法对一维PN结二极管进行数值模拟，数值计算中采用有限差分结合解三对角矩阵的方法，通过对电场和电势的计算，得到了正偏、反偏和零偏置情况下电场、电势分布．收敛速度和计算的精确程度较普通算法有了一定的提高，为下一步射频二极管非稳态模拟奠定了基础．

简介：Vishay推出新的4路ESD保护阵列——VBUS54FD-SD1。该器件采用超小尺寸的芯片级CLP1007-5L封装，可用于便携式电子产品。在不牺牲性能的前提下，VishaySemiconductorsVBUS54FD-SDI的尺寸远小于前一代元器件，具有低电容和低漏电流的特点，可保护高速数据线路免收瞬变电压信号的影响。