简介:基于局域密度近似(LSDA,Localspin-densityapproximation)和有效库仑相关能(Uapproach),采用第一性原理计算软件VASP,计算了钙钛矿型钆铝酸盐(GdAlO3,GAP)电子结构,并研究了铽离子(Tb3+)掺杂后(GdAlO3∶Tb,GAP∶Tb)对能带带隙(Eg,Energyofgap)的影响。计算结果表明:GAP为直接带隙半导体,带隙宽度主要由价带(VB,Valenceband)顶部的O-2p和导带(CB,conductionband)底部Al-3(s+p)、Gd-(s+d)(p)决定,Eg值为4.8eV;随着Tb3+的掺入,当掺入量为1/4原子比时(GAP∶Tb0.25)出现杂质能级,为3eV、2.3eV,分别对应Tb3+的5D3-7FJ(J=3,4,5,6)电子跃迁和5D4-7FJ(J=3,4,5,6)电子跃迁。当掺入量为1/16时(GAP∶Tb0.0625),仅杂质能级2.3eV较为明显,这一计算结果与GAP∶Tb0.7荧光粉在紫外激发下绿色荧光发射明显这一实验现象相符合(荧光发射主峰对应5D4→7F5(544nm))。
简介:采用热注入法成功制备出三元AgInS2和四元Ag—Zn—In—S量子点,物性测试得到AgInS2量子点的发射峰为701nm,Ag—Zn—In—S量子点的发射峰593nm,即Ag-Zn-In—S量子点的发射峰相对于AgInS2量子点发生了蓝移,AgInS2和Ag—Zn—In—S量子点都表现出了较长的荧光寿命,分别为169ns和162ns,结合生物组织光学窗口范围限制,相对Ag—Z—In—S,AgInS2量子点更适用于生物标记。
简介:德国Ⅵ系统公司宣布研制出第一个通过多模光纤数据传输速率达40吉比特/s(40Gbit/s)的单VCSEL(垂直腔面发射激光器)。2009年1月份在美国加州SanJose召开的光子学会议上,该公司刚介绍了其20吉比特/s的器件,目前又使它的量子点激光器的调制速率提高了1倍。该公司利用其VCSEL和PIN光探测组件实现了通过多模光纤的40吉比特/s连续传输,这是850hm(波长)光发射的刨记录器件,是用与20吉比特/sVCSEL相同的光刻掩模研制的,但对外延结构作了改进。这种器件设计利用GaAs量子阱中的InAs量子点,并嵌入到AlGaAs基体中。
简介:应用COMSOLMultiphysics4.3a模拟软件,结合Maxwell电磁场理论,首先理论推导高斯光束的产生原理,得出基于Kretschmann棱镜耦合系统下的Cu2S量子点溶液,模拟进行852nm稳态激光器的高斯光束照射时产生表面等离激元(SPR),改变量子点的基本属性以及改变入射光角度,模拟出在不同条件下Cu2S量子点产生SPR信号的情况,为Cu2S量子点在SPR传感方面的应用提供了理论依据和参考。