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  • 简介:指出静电场的纯粹电场能与有电介质存在时的微观电场的不同,以无极分子简单模型推证极化能为分子固有的增加,阐明了电介质极化贮藏于电介质分子的固有和自由中。

  • 标签: 电场能 电介质 极化能
  • 简介:以PbO,MgO,Nb2O5,TiO2为原料,采用两步固态反应法制备了纯钙钛矿相的0.92PMN-0.08PT陶瓷,并对其相的组成、微观形貌、介电性能和储性能进行了研究。在25℃,1kHz条件下,该陶瓷的相对介电常数高达27480,介电损耗tan艿仅为4%,电滞回线形状细长,剩余极化很小,可释放的能量密度达0.31J·cm-3.结果表明:室温下该陶瓷具有优良的介电和储性能。

  • 标签: PMN—PT陶瓷 介电性能 介电常数 能量密度
  • 简介:采用高频光电导衰退法测试了太阳电池用p型多晶硅片的少数载流子寿命,细致分析了光注入强度对测试结果的影响。结果显示光电导衰减曲线在靠近尖峰处较宽的时间区域内并按非指数规律快速衰减,当信号衰减到一定程度后逐渐接近指数规律,且随着光注入强度增大,少子寿命的测量结果显著减小。从非平衡载流子的表面复合效应和晶界复合效应出发,对导致该现象的物理机制进行深入解释。

  • 标签: 多晶硅 少子寿命 光电导衰退法 表面复合
  • 简介:量子点是一种新型的低维半导体材料,其非线性光学效应是人们关注的重点。本文主要针对球形壳核量子点中的非线性光学吸收特性展开讨论,拟运用了有限差分方法求解球形壳核量子点中杂质态的能级与束缚。进一步采用密度矩阵法和迭代法获得系统光吸收系数表达式,分析形壳核量子点中的非线性光吸收系数影响因素。研究结果表明:球形壳核量子点中电子的9个低能级都会随着量子点半径R的增大而降低。在考虑加入杂质时,能级会降落得更快,并且引起能级排序之间的变化,从而导致束缚能级排序的变化。对于固定的径向量子数而言,我们发现相邻能级之间的能级间隔会增加,这导致了吸收峰谱线发生蓝移。此外,总的光吸收系数的强度随入射光强度的变化明显发生改变。当入射光强度增大时,不管是否考虑杂质,总的吸收系数在急剧地减少。当入射光强度达到一定值时,吸收峰达到饱和。当入射光强度超过这个临界值,吸收谱线会被分裂成两个吸收峰。

  • 标签: 球形量子点 有限差分法 非线性光学 光吸收系数
  • 简介:利用YAG-50型声光调Q激光划片机对156+156*0.18mm的多晶硅太阳电池片进行划片实验,得到了不同调Q频率和电池片电性能参数的关系,从而找出了Q开关的最佳频率范围值,并从理论上探讨分析了不同调Q频率范围划片得到的太阳电池片电性能参数差异的原因。

  • 标签: 调Q频率 激光划片 开路电压 短路电流 填充因子
  • 简介:阐述了基于EDA技术的带异步复位和计数使控制的8位二进制减法计数器设计,设计通过MAXplusII编译和仿真,并通过EDA6000实验开发系统的验证。

  • 标签: 电子设计(EDA) 计数器 编译 仿真
  • 简介:研究了钙钛矿太阳电池材料CH3NH3PbI3(CH3NH3=MA,MAPbI3)的输运特性,理论分析了有机分子MA对晶格结构的影响。发现:MA沿[110]方向排布且近邻MA分子相互垂直的构型最稳定,将此构型作为MAPbI3的标准结构,使用第一性原理方法,通过分析晶格的振动散射或声子散射,计算了MAPbI3材料中形变势散射主导的载流子迁移率,分析了材料的输运特性,讨论了载流子迁移率理论计算值和实验值之间的差异。

  • 标签: CH3NH3PbI3 几何结构 形变势散射 迁移率