简介:Developinganelectrostaticdischarge(ESD)protectiondevicewithabetterlatch-upimmunityhasbeenachallengingissueforthenanometercomplementarymetal-oxidesemiconductor(CMOS)technology.Inthiswork,animprovedgrounded-gateN-channelmetal-oxidesemiconductor(GGNMOS)transistortriggeredsilicon-controlledrectifier(SCR)structure,namedGGSCR,isproposedforhighholdingvoltageESDprotectionapplications.TheGGSCRdemonstratesadoublesnapbackbehaviorasaresultofprogressivetrigger-onoftheGGNMOSandSCR.Thedoublesnapbackmakestheholdingvoltageincreasefrom3.43Vto6.25Vascomparedwiththeconventionallow-voltageSCR.TheTCADsimulationsarecarriedouttoverifythemodesofoperationofthedevice.
简介:一个新奇帮助多晶硅的控制硅的整流器(SCR)被介绍;在这篇论文分析了,它在HHNEC的0.18μm电可擦可编程只读存储器过程被制作。帮助多晶硅的SCR利用多晶硅层没有占据额外的布局区域,由通行证帮助静电的分泌物(ESD)电流。TLP当前电压(I-V)测量结果显示出给一样的布局区域那,帮助多晶硅的SCR的坚韧性性能能被改进到3次常规MLSCR的。而且,一个手指如此的帮助多晶硅的SCR,占据仅仅947μm,2]布局区域,能经历7-kVHBMESD应力。结果进一步证明帮助多晶硅的SCR的S类型I-V特征对由改变设备尺寸的不同操作条件可调节。与传统的SCR相比,这新SCR能绕过更多的ESD水流;消费更小的IC区域。
简介:摘要:脱硝系统是降低 NOx排放量的必要设施,而如何控制还原剂的流量则成为控制 NOX排放的关键因素,本文从脱硝系统原理、还原剂流量自动控制的策略等方面入手,深入浅出地论述了脱硝系统自动控制的相关控制策略和优化思路,对其他脱硝项目的调试和运行也具有重要的借鉴意义。
简介:摘要:新《火电厂大气污染物排放标准》的执行对电力行业氮氧化物的排放提出严格限制,地方政府弹性减排日益增加。脱硝喷氨格栅的堵塞问题越来越突出。为减少尿素过喷及格栅式喷射装置喷嘴口径较小,经常发生堵塞的问题,引用空气动力学“驻涡”原理,通过实验室流场模拟,按照实际装置比例制造1:20的模型,通过模型试验确定扰流板的大小、位置和角度,从而得到最佳的混合效果,通过对脱硝喷氨格栅进行改造,解决了喷氨格栅堵塞和尿素过喷问题。