简介：<正>Diodes公司推出全新20VNPN及PNP双极晶体管,它们采用超小型DFN1411-3表面贴装封装,能大大提升电源管理电路的功率密度和效率。该器件采用了Diodes第五代矩阵射极双极工艺设计(5matrixemitterBipolarprocess)。这对互补性器件ZXTN26020DMF和ZXTP26020DMF的占位面积只有1.1毫米×1.4毫米,离版高度为0.5毫米,有助于设计出极其纤巧的便携式产品,还可改善产品的电性能及热特性。

简介：产品简介：指示器安装了1、2和3色觉（根据基本色的数量），可以使几种颜色任意结合。基本色包括红，绿，蓝，黄，白。每种基本色由一个高效的二极管提供。指示器的前界面由防闪光的漫射材料制成。可用喜欢的颜色和尺度照亮方形和箭头形的记忆标志。这种记忆标志显示是在一种特殊的光导和特殊的漫射中通过光重组而产生的

简介：本文介绍节能灯用晶体管的技术特性和发展现状,尤其是一些新型高反压高速功率晶体管,可用来进一步提高节能灯的质量及安全特性。

简介：探讨了多链综合应用环境中数据链信息服务系统管理类数据管控技术、平台间战场战术指令与战场目标信息分发策略,研究了复杂数据链网络环境中各平台探测目标信息分发策略,以保障分布式航迹处理环境的形成,为新-代数据链信息服务系统建设提供思路.

简介：<正>M/A-COM公司开发出PH1090-700B系列NPN共基极C类脉冲功率晶体管,设计用于1030MHz～1090MHz频带的中频频率和其它航空电子学用途。其32μs脉宽和2%占空因素时的峰值饱和输出功率超过700Wpk,50%集电极效率时的可保证增益为7.5dB;在严格的S模脉冲猝发条件下,器件的饱和输出

简介：2012年9月27日，重庆市通信管理局印发了《重庆市通信行业贯彻落实宽带普及提速工程大力实施“光网·无线宽带重庆”建设实施方案》，以进一步推动我市宽带普及提速工程的实施。

简介：

简介：课程背景：随着全球电子产业的飞速发展，由静电放电损伤而造成的一系列问题的严重性更加不容忽视。为了能更快更好解决这些问题．降低企业成本、使广大从业人员系统全面的掌握防静电知识及防静电工作区（EPA）的构成要求、防静电工艺与质量管理、系统检验、ESD防护原理，

简介：中国电子学会无线电定位技术分会主任委员（秘书长）及挂靠单位竞选大会于2006年10月19日晚在上海光大国际会展中心举行，68位委员（或委托人）参加了会议。3位侯选人分别进行10分钟的竞选演说，经无记名投票选举，最终驾瑞龙研究员以33票再次当选分会主任委员，朱庆明当选秘书长，中国电子科技集团公司第三十八研究所为挂靠单位。

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简介：基于AlGaN/GaNHEMT工艺制作了大栅宽GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）管芯,通过负载牵引及建模技术提取了管芯的输入阻抗、输出阻抗。设计中首先通过L-C网络提升了管芯的输入阻抗、输出阻抗,并通过微带多节阻抗变换器实现了宽带功率分配器及合成器电路的制作,同时还加入了稳定网络,最终实现了50Ω输入输出阻抗匹配。该大功率GaNHEMT内匹配器件采用四胞管芯功率合成技术,总栅宽为4×16mm。在50V漏电压、1ms周期、10%占空比的测试条件下及5.3~5.9GHz频率范围内,输出功率均高于56dBm,最高达到56.5dBm,功率增益均大于12dB,带内功率附加效率超过48.2%。

简介：传统射频LDMOS晶体管的源区采用重掺杂p＋sinker结构,该结构会占据较大的芯片面积。文中采用槽型sinker结构,可将源区sinker面积减少1/3以上。通过流片实验,得到饱和电流为170mA/mm、击穿电压120V、截止频率和最大振荡频率分别为5.5GHz和10GHz的RFLDMOS器件。在50V工作电压、1090MHz频点下栅宽345mm单芯片器件的最大输出功率362W,功率增益15.6dB,漏极效率38.1%。

简介：空战场管控是联合作战各类用空行动协同的重要抓手,对于提高战场空域资源使用效率,提升联合作战效能至关重要。首先,对联合作战空战场管控的概念进行了界定,论述了联合作战空战场管控的重要地位作用;然后,分析了外军联合作战空战场管控基本做法,梳理了联合作战空战场管控的主要任务及面临的重难点问题;最后,提出了强化联合作战空战场管控能力的针对性对策建议。

简介：美国科学家开发出一种简单、可行的碳纳米管混合物的净化方式。其可借助紫外线和空气中的氧生成净化的半导性纳米管,这对发展下一代计算机芯片具有非凡价值。相关文章发表于近期的《纳米快报》网络版。

简介：为了集成电路的低成本和高性能设计，文章通过设计SiGe异质结双极晶体管的结构和工艺，给出了微波无线通讯系统的集成方案，从而解决了现行Si器件在高频领域的噪声、速度和带宽问题，同时为CMOS的兼容性提供了技术保障。

简介：

简介：主要介绍了厚膜片式二极管的研制背景及应用领域，指出了厚膜片式二极管应用的关键技术和工艺、最后讨论了厚膜式片二极管的发展前景。

简介：有机场效应晶体管（OFETs，OrganicFieldeffecttansistors）在平板显示、智能卡、射频标识牌、塑料电子学等方面存在广泛的应用，引起人们广泛的研究兴趣。本文推导了底部接触电极结构OFETs的解析模型，并且用数值方法研究了OFETs器件参量对OFETs性能的影响，并指出相应的优化途径。

简介：行风建设是改善和优化发展环境的重大举措。按照“谁主管谁负责，管行业必须管行风”的要求，在信息产业部的领导下，重庆市通信管理局近年来通过组织行风评议、评优帮差、“一票否决”评先资格、用户满意度测评、创建文明单位等活动，以广大电信用户满意为标准，以专项治理人民群众关心、关注的各种热点、难点问题为重点，深入开展行风建设，促进了行业风气的明显好转和服务质量的不断提高，有力地推动了通信改革、发展和监管的各项工作不断向前发展。

简介：为了将Z源逆变器的单级变流特性应用于高压大功率场合，克服双Z网络二极管箝位五电平Z源逆变器所需储能元件多、硬件成本高及调制复杂的缺点，提出一种单Z网络结构的二极管箝位五电平拓扑，该拓扑只需一个Z网络，但通过合适的脉宽调制可以达到与双Z网络相同的升压效果。给出Z源逆变器直流链全直通及部分直通原理，分析适用于五电平Z源逆变器的直通控制方法，设计了直通状态插入的同向载波层叠（D）及交替反向载波层叠（APOD）两种脉宽调制策略。最后仿真验证系统直通控制方法及调制策略的正确性。