简介：Inordertodeepentheunderstandingofthedifferencebetween0!1and1!0sinleeventupset(SEU)cross-sectioninanovelactivedelayelement(ADE)SRAM(StaticRandomAccessMemory)cell,theirradiationwascarriedoutatHeavyIonResearchFacilityinLanzhou(HIRFL).Usingthe86Kr26+ionsirradiatedthedeviceundertest(DUT)adoptedpartiallydepleted(PD)siliconofinsulator(SOI)technology.ThefeaturesizeofDUTfabricatedbyinstituteofmicroelectronic(IME)was180nm.TheschematicdiagramofSEUhardenADE-SRAMcellisshowninFig.1.TheADEisessentiallyaNMOSconnectedinonlyoneofthefeedbackpathsbetweenthetwoinventorsofthememorycell.Itplaysaroleasswitchingtransistor.Exceptduringawriteoperation,whentheswitchtransistoristurnedon(soasnottocompromisethewritespeed),theoff-ADEprovidesamuchgreaterRCdelaybetweenthetwoinventorsofthememorycelltoachievemuchimprovedSEUhardness[1].

简介：建立了单粒子多位翻转的测试方法和数据处理方法,在此基础上开展了体硅90nmSRAM重离子单粒子多位翻转的实验研究。通过分析单粒子多位翻转百分比、均值、尺寸等参数随线性能量转移（linearenergytransfer,LET）的变化关系,表明了纳米尺度下器件单粒子多位翻转的严重性,指出了单粒子多位翻转对现有重离子单粒子效应实验方法和预估方法带来的影响。构建了包含多个存储单元的全三维器件模型,数值模拟研究了不同阱接触布放位置对单粒子多位翻转电荷收集的影响机制,表明阱电势扰动触发多单元双极放大机制是导致单粒子多位翻转的主要因素,减小阱接触与存储单元之间的距离是降低单粒子多位翻转的有效方法。

简介：在分析SRAM型FPGA单元电路及芯片辐照效应实验数据的基础上,借助计算机仿真模拟,研究了大规模集成电路抗辐射性能的敏感性预测技术。采用分层仿真和评价的方法,先由上而下,根据器件参数要求分配性能指标,再依据实验数据,借助数值模拟,由下而上检验性能阈值、裕量及其不确定度,最终给出整个FPGA的可信度值,确定了敏感单元电路,并且通过X射线微束总剂量实验对结果进行验证。建立的电路级数值模拟方法为累积电离总剂量效应敏感性预测研究,提供了技术支撑。

简介：捷联惯性测量单元较“平台式”惯性测量单元在功能上有新的突破，即前者能实现三维定位，后者只能实现水平二维定位。人们常提及的捷联惯性测量单元是指多陀螺多加速度计的测量单元，即测量过程中用线性加速度计测量运动体的线性加速度，用陀螺仪测量运动体转动角度、角速度或角加速度的测量装置。该类惯性测量单元造价昂贵，针对此，人们在利用多个线性加速度计的适当组合还可以测量运动体的转动角速度甚至转动角加速度等角度信息原理的基础上，提出了无陀螺多加速度计捷联惯性测量单元和单陀螺多加速度计捷联惯性测量单元的实现方案。

简介：激光辐照均匀性研究是激光聚变研究的一个重要问题。影响激光辐照均匀性的因素有多种。激光束的空间配置是影响激光辐照均匀性的因素之一。从激光装置的光路设计方面考虑，提出这样一个问题：在对靶球照射的对称配置的八束光中，如果其中4束光旋转45°，对靶球辐照均匀性有何影响?