简介:摘要本研究提出了一种高击穿电压AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(DCBL-HEMT),它具有通过在栅极和漏极之间的钝化层中加入两个负电荷区形成的双电荷区势垒层结构。负电荷的引入可以氟等离子体处理实现。相较于普通钝化层结构和场板结构的晶体管,具有双电荷区阻挡层结构的晶体管沟道中的电子被势垒层中的负电荷耗尽。栅边缘的电场集中得到改善,沟道层出现两个新的的峰值电场,使电场分布更加均匀。双电荷区势垒层结构可以调节沟道层中的电场分布,有效地提高器件的击穿电压。通过sentaurus仿真软件对器件的结构和双电荷区进行优化,最终得到了284V的击穿电压。
简介:摘要利用射频磁控溅射法制备了以石英基底的两种金属氧化物底电极以及不同氧氩比条件下的锆钛酸铅(PbZr0.52Ti0.48O3,PZT)薄膜。通过X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、对不同氩氧比(ArO2)与氧化物底电极(氧化铟锡ITO、氧化锌ZnO)PZT薄膜的表面微结构进行了表征,采用铁电性能测试仪测试了PZT薄膜的剩余极化强度、矫顽电压及抗疲劳等参数,探讨了ITO及ZnO底电极对PZT铁电薄膜的疲劳特性影响及机制。结果表明,薄膜介质层PZT呈多晶钙钛矿结构,主要为(110)、(111)晶相,ZnO/PZT/Ag薄膜剩余极化强度最高7.14μC/cm2,经1×107次极化翻转后剩余极化强度仍旧为原状态的92.3%,对不同氩氧比(ArO2)下制备的ZnO/PZT/Ag薄膜经过表征分析,氩氧比为71时其衍射峰(110)半高宽最小。
简介:摘要抗生素种类繁多且治疗范围广泛,极易产生不合理用药的情况。通过回顾性分析制药企业供药医院患者的病例,考察临床抗生素应用不合理的相关影响因素。发现用药种类不合理、联合用药不科学、剂量超标、溶媒不合理、频繁更换抗生素是导致抗生素应用不合理的主要因素。多种抗生素联合用药患者不合理情况发生率明显高于单一使用抗生素患者,使用抗生素时间超过15d患者不合理情况发生率明显高于使用抗生素不足15d患者,差异具有统计学意义(p<0.05)。临床不合理应用抗生素现象较严重,临床应根据抗生素不合理应用的原因进行针对性干预,建立完善的抗生素管理制度,提升抗生素用药合理性,保障患者用药安全。