简介:研究好氧污泥颗粒化过程中污泥性质及对污染物的净化能力。采用进水负荷交替变化法培养好氧颗粒污泥,研究颗粒污泥形成过程中粒径、沉淀性能以及对COD、NH4~+-N、TN和TP的去除效果。结果表明:在SBR反应器中,污泥颗粒化中粒径由100μm的种泥逐渐凝聚成粒径为1.25mm的成熟颗粒污泥;污泥颜色从棕褐色变成淡黄色再逐渐形成金黄色;污泥由无明显分界形成外形轮廓清晰可见的颗粒污泥,呈圆形或椭圆形,成熟的颗粒污泥是肉眼可见的一个个独立个体。SBR反应器内混合液浓度由3000mg/L逐渐增长至5512mg/L,同时沉降性也逐渐变好,SVI稳定在20.68mg/L,对COD、NH4~+-N、TN和TP去除效果分别可达到96.47%,97.09%,85.72%和83.06%。
简介:摘要:将新鲜并且表面无病斑的白肉火龙果进行果皮与果肉分离,用不锈钢小刀将果皮切成小块,放入预冷的研钵中冰浴研磨,加入约为果皮5倍体积的pH8.0 Tris-HCl缓冲溶液,均匀搅拌后纱布过滤,取滤液4℃ 8000rpm离心10min后,取上清液。向上清液中加入固体硫酸铵至35%饱和度盐析沉淀24h,4℃ 8000rpm离心20min取上清液,再向上清液中加入固体硫酸铵至65%饱和度盐析沉淀24h,4℃ 8000rpm离心20min取沉淀,所得固体回溶后进行透析,透析后溶液即为本实验所需白肉火龙果中的果胶酶酶液,检测酶的活性,进一步检测其最适温度、最适pH、米氏常数以及几种离子对酶活的影响。
简介:【 摘 要 】 如今对于半导体材料硅的研究已经日渐成熟,硅已经是最广泛应用的一类半导体,在微电子和集成电路行业中硅占据着主导地位,通常通过掺杂杂质来改变硅的导电性 能,硅的掺杂技术已经被普遍应用并且越来越成熟,并制成各种器件。然而在应力和本征缺陷对硅的电学性质的作用却很少提及。在对半导体材料的研究和学习中可知,缺陷的电学特性对半导体也有着一定的影响,参杂原子可以提供载流子提高其导电特性,而空位等缺陷在禁带中产生深能级,因此缺陷影响着半导体的禁带宽度和载流子数目。因此缺陷对硅的导电特性起着至关重要的作用。当对硅晶体某一晶向上施加一个拉伸或压缩的应力时会对硅结构造成一定的影响,导致禁带宽度会发生变化,使其导电性能也发生变化。本文所进行的工作就是研究应力和本征缺陷双重因素作用下影响硅电学性质机理 的第一性原理的研究。利用 Materials Studio 6.0 软件来计算分别对硅的 和 晶向施加拉伸和压缩的应力其电学性质变化并绘制应力随应变曲线,并且绘制出能带图、态密度图、分波态密度图,进一步解释其应力和本征缺陷对硅导电性质机理的影响。从而寻找不依赖掺杂而只利用本征缺陷和应力来调控硅的电学性质的方法。利用应力和 本征缺陷调节硅的禁带宽度改变半导体的性能并通过能带图、分波态密度图、态密度图进行理论分析其机理。 并解释应力和本征缺陷作用下硅晶体宏观现象的微观本原,并为硅工业发展提供理论支持。
简介:摘要:针对松辽盆地南部长岭断陷火石岭组火山岩储层的地质特点,利用常规及特殊测井资料,研究出了偶极纵横波速度比、泊松比与体积压缩系数的包络面积法、曲线特征识别法、井温分析法、含水饱和度与孔隙度交会法、视地层水电阻率正态分布法(P1/2)等储层流体性质识别方法,取得了良好的应用效果。