简介：<正>日前,批量成像设备供应商得可公司(DEK)大中华区电子组装部总经理黄俊荣表示,随着海外制造工厂向大陆转移,中国大陆电子制造业机会无限,得可对中国市场亦重视有加。不过,中国仍以中小型制造企业居多,SMT大型企业较少,整体制造品质不高。

简介：皇家飞利浦电子公司日前采用微缩超薄四方扁平无引脚(DQFN)封装，推出业界最小的BiCMOS逻辑器件。飞利浦采用DQFN封装，可以提供与目前较大的BiCMOS逻辑器件同样的性能特征，而封装体积却缩小了35％。

简介：微波器件的可靠性直接影响整机系统的可靠性，失效分析工作可以显著提高微波器件的质量与可靠性，从而提高整机系统的质量与可靠性。同时，失效分析工作会带来很高的经济效益，对元器件的生产方和使用方都具有重要意义。微波器件失效的主要原因有两个方面：固有缺陷和使用不当，固有缺陷由生产方引起，使用不当主要由用户引起。微波器件可以分为微波分立器件、微波单片电路以及微波组件三大类，文章分别对三类微波器件的主要失效模式和失效机理做了较为全面的分析和概括。

简介：作为一种新型的集成封装技术，低温共烧陶瓷（LTCC）技术以其优良的高频和高速传输特性，小型化、高可靠性而备受关注。由此可见研究如何利用LTCC技术开发高性能的小型化无源器件对于无线通信产品的发展是有实际意义的。LTCC技术能充分利用三维空间发展多层基板技术，其产品在封装和小型化方面具有明显优势；LTCC技术具有损耗小、高频性能稳定、温度特性良好等特点。同时介绍了国内外LTCC元器件发展现状和趋势，以及基于LTCC技术的无源器件的设计和应用。

简介：简介光子晶体及其光纤通信用光子晶体器件(它们分别是光子晶体光纤、光子晶体光波导、光子晶体激光器、光子晶体滤波器和光子晶体波长复用/解复用器)的基本工作原理和制作技术以及目前的研制状况.

简介：太赫兹频谱有很多优越特性,在生物医疗、安全检查及军事领域中具有重要的应用前景。太赫兹源是太赫兹波领域研究中的关键技术,制约着太赫兹技术的发展。从介绍太赫兹源的研究与发展动态出发,阐述了雪崩渡越时间二极管(IMPATT)器件的工作机理、等效分析模型及注锁牵引稳频振荡理论,给出了几种基于IMPATT管获取电子学固态太赫兹源的方法。

简介：简介光子晶体及其光纤通信用光子晶体器件(它们分别是光子晶体光纤、光子晶体光波导、光子晶体激光器、光子晶体滤波器和光子晶体波长复用/解复用器)的基本工作原理和制作技术以及目前的研制状况.

简介：介绍了"黑斑"和"气泡"造成的有机发光二极管失效的过程,对影响器件稳定性问题的诸多因素进行了分析.

简介：由于PDs0I工艺平台的特殊性，P阱浓度呈现表面低、靠近埋氧高的梯度掺杂。常规体硅的高压N管结构是整个有源区在P阱里的，需要用高能量和大剂量的P注入工艺将漂移区的P阱反型掺杂，这在工艺上是不容易实现的。文章针对常规高压NMOS器件做了仿真，发现漂移区必须采用能量高达180KeV、剂量6×10^13以上的P注入才能将P阱反型，形成高压NMOS器件，这在工艺实现上不太容易。而采用漂移区在N阱里的新结构，可以避免将P阱上漂移区反型的注入工艺，在工艺上容易实现。通过工艺流片验证，器件特性良好。

简介：文章通过C-SAM、X-RAY、SEM等对分层样品做了系统分析，发现了分层的机理以及分层对器件的破坏机理。研究表明：分层通常发生在芯片上部与包封材料接触的面，并有向整个芯片区域延伸的趋势；应力使交接面分层的同时也使芯片的钝化层损坏，而环境中的湿气会进入器件的包封并聚集在分层区，同时水气会通过损坏的钝化层进入下面的金属互连区，使互连发生短路而损坏器件。

简介：本文概述了光子晶体光纤的三个突出的优点：单模传输特性、高非缌№故应和可控群速度色散特性。在此基础上，讨论了光子晶体光纤在多波长光纤激光器，光参量放大器和超连续谱产生中的应用，同时介绍了在各应用领域中的优势。

简介：<正>日前,VishayIntertechnology,Inc.宣布,其QUADHIFREQ系列高功率表面贴装多层陶瓷片式电容器(MLCC)新增一款quad2525外形尺寸的器件。QUADHIFREQ2525外形的器件是针对磁共振成像(MRI)的线圈和发电机、射频仪表、电信基站、激光器和军用通信系统里的高频RF应用而设计的,具有超高Q值(在10MHz条件下大于4000,1pF),低至0.018Ω的超低ESR,直流电压高达3600V。该VishayVitramon器件基于极为稳定的陶瓷电介质,具有很高的串联谐

简介：介绍了几种国外EDFA动态增益均衡相关器件的研制情况及现有产品的功能特点,对DWDM系统及光网络节点EDFA的实际应用有一定的参考意义.

简介：

简介：<正>据《SolidstateTechnology》2003年第3期报道,美国北卡州三角研发园区的Ziptronix公司新开发了不同半导体界面材料的键合技术,将微机电系统(MEMS)和声表器件(SAW)进行全晶圆级的封装。这一工艺技术进行各种灵活且低成本的设计,并使MEMS与IC技术匹配,而无需复杂的结构、测试和组装,这一工艺技术约占MEMS元件成本的

简介：介绍了光无源器件偏振依赖损耗的几种测试方法,并对它们的优缺点进行了比较.

简介：本文对基于平行排列3×3耦合器的光纤器件进行了研究.平行排列3×3耦合器不仅可以实现双端口光开关、全光缓存器、光纤谐振腔等器件,而且可以用作可调耦合比的耦合器.由于平行排列3×3耦合器的弱耦合特性和平行排列结构,使得基于平行排列3×3耦合器的光器件具有许多独特的特点.更重要的是,由于这种耦合器的平行排列结构,使得它很容易做成平板波导结构,形成各种集成光器件.

简介：全包封功率器件相对于半包封功率器件更容易达到安规要求,其需求出现了逐渐增加的趋势,但是全包封器件的分层问题一直困扰着业界。通过分层现状的调查,分析了分层存在的界面和产生原因,通过优化试验找到了解决分层最有效的措施是中大芯片表面缓冲层,从而使全包封功率器件的可靠性达到更高要求。

简介：通过对高压SOINMOS器件进行总剂量辐照试验发现,辐照后器件埋氧化层中引入了大量的氧化层陷阱电荷,使得器件背栅发生反型,在较高漏极工作电压下,漏极耗尽区与反型界面相连,使得源漏发生穿通,导致器件漏电。通过原理分析提出了增加顶层硅膜厚度的优化措施,证明在顶层硅膜较薄的情况下,SOINMOS器件容易发生总剂量辐照后背栅漏电,厚顶层硅器件特性受背栅辐照效应的影响则显著降低直至消失。

简介：随着光器件在空间环境和辐射环境中的广泛应用，在国际上对光器件抗辐射性能的研究越来越多。为了提高光器件的抗辐射性能，满足空间应用的各种需要，文章介绍了空间辐射环境，空间辐射对光器件的影响和辐射损伤机理，主要是光纤、激光器、光探测器、光纤陀螺的辐射效应和损伤机理。同时，概述了航天用光器件的抗辐射加固技术及其最新进展。通过采用抗辐射加固技术，大大提高了空间应用的超辐射发光二极管（SLD）、超荧光光纤（SFS）光源、1310nm波长的InGaAsP／InP半导体激光器、电荷耦合器件（CCD）、互补性金属氧化物半导体（CMOS）器件的抗辐射性能和可靠性。