简介：文章对0．5μm／40V高压工艺中形成的N阱电阻的SPICE模型进行研究。因为高压电路的实际应用，N阱电阻的寄生效应不可忽略，所以精确反应其电学特性的SPICE模型也显得尤为重要。从N阱电阻的测量结果反映其IV曲线的非线性特性和结型栅场效应管JFET输出特性曲线具有相似性，并通过对高压阱电阻与JFET的结构分析认为可以采用JFET的电压电流关系来建立合理的数学模型反映高压阱电阻的这种非线性特性。因此在文中借用JFET的SPICE模型作为基础，用宏模型的方法为高压N阱电阻建立了一套精确的SPICE模型、此模型适用于各类仿真器，具有一定的通用性.

简介：本文对羊毛的沾污物质-羊毛脂、羊毛汗和尘土等做了较全面的介绍,同时介绍了洗毛的各种方法,并对水洗毛和溶剂洗毛进行了对比分析.

简介：本文章主要叙述目前替代ODS清洗剂的几种方法.其中乳化工艺清洗技术替代ODS清洗PCB组件是一种比较好的方法.本文着重对本公司在实施过程中的调研方案确定,清洗剂选择,以及"三防"试验工作,进行了探讨.

简介：在柔性LCP基板上制备RFMEMS开关,加工难度较大,影响开关质量的因素较多。主要研究影响LCP基RFMEMS开关加工质量的主要因素,寻找工艺过程控制解决方案。通过对关键工序的试验,对加工过程中的基板清洗、LCP基板覆铜面镀涂及整平、LCP基板无铜面溅射金属膜层、LCP基板平整度保持、二氧化硅膜层生长及图形化、牺牲层加工、薄膜微桥加工、牺牲层释放等工序进行了参数优化。研制的LCP基RFMEMS开关样件频率≤20GHz、插入损耗≤0.5dB,回波损耗≤-20dB,隔离度≥20dB,驱动电压30~50V。该加工方法对柔性基板上可动结构的制造具有一定的借鉴价值。

简介：最近几年,许多美国工厂开始摒弃传统的溶剂清洗,转用水基清洗,以求尽可能减少可挥发性物质和有害物质向自然环境的排放量.尽管这一生产工艺的转变确实减少了有害物质的排放量,收到了巨大的环境效益;但是随之而来的能耗上升也不容忽视,并且能耗上升也是一个独特的污染问题.

简介：RFMEMS开关是用MEMS技术形成的新型电路元件，与传统的半导体开关器件相比具有插入损耗低、隔离度大等优点，将对现有雷达和通信中RF结构产生重大影响。文章介绍了RFMEMS开关的基本工艺流程设计，工艺制作技术的研究。实验解决了种子层技术、聚酰亚胺牺牲层技术、微电镀技术的工艺难题，制作出了RFMEMS开关样品，基本掌握了RFMEMS器件的制作工艺技术。RFMEMS开关样品测试的技术指标为：膜桥高度2um～3um、驱动电压〈30V、频率范围0～40GHz、插入损耗≤1dB、隔离度≥20dB，样品参数性能达到了设计要求。

简介：在过去约10年来，SMT界的在线工艺检验技术发展的十分快，自动化检验设备如DAOI（自动光学监测）和AXI（自动X射线检测）技术蓬勃发展。到了最近几年来，更是扩展到锡膏印刷的检验上，也就是SPI（锡膏印刷检测）技术。监测技术的应用，并不能带给产品附加值，也就是说一个产品的制造质量，并不会因为经过检验而更加好。那为什么业界对检验技术如此的依赖呢？原因就在于目前许多制造技术以及质控技术，并未能达到客户对产品质量要求的水平。

简介：LTCC基板互连金属化孔工艺技术是低温共烧陶瓷工艺过程中的关键技术,它直接影响陶瓷基板的成品率和可靠性。文章从影响互连金属化孔的因素出发,介绍了金属化通孔填充工艺及控制技术、金属化通孔材料热应力的影响、金属化通孔材料收缩率的控制等三方面技术,并给出了如下的解决方案。采用合适的通孔填充工艺技术和工艺参数;合理设计控制通孔浆料的收缩率和热膨胀系数,使通孔填充浆料与生瓷带的收缩尽量一致,以便降低材料的热应力;金属化通孔烧结收缩率的控制可以通过导体层的厚度、烧结曲线与基板烧结收缩率的关系、叠片热压的温度和压力等方面来实现。

简介：采用DOE（实验设计）方法,通过比较铝线拉力的数值、标准方差及PpK,得到最适合铝线键合工艺的等离子清洗功率、时间和气流速度参数的组合。同时分析了引线框架在料盒中的摆放位置对等离子清洗效果的影响,引线框架置于等离子气体浓度高的位置清洗效果较好,引线拉力值能获得更低的方差和更优的过程控制能力。

简介：摘要近年来，随着我国汽车制造业的不断发展，汽车装配工艺也得到了不断的发展。汽车装配工艺在汽车制造过程中占据着重要地位，直接影响着汽车制造质量。对此，本文从提高客车装配质量入手，分析现有装配工艺的优劣，并针对装配工艺不足提出改进对策，以便进一步提高客车装配工艺水平，保证汽车制造的整体质量。

简介：伴随着CMOS工艺技术的发展,CMOS电路已经成为VLSI制造中的主流,而CMOS器件特征尺寸的快速缩小和CMOS电路的广泛应用,使得CMOS电路中的latch-up效应引起的可靠性问题也越来越受到大家的重视。阐述了CMOS工艺中闩锁的概念、原理及其给电路的可靠性带来的严重后果,深入分析了产生闩锁效应的条件、触发方式,并针对所分析的闩锁原因从版图设计、工艺改良、电路应用三个方面提出了一些防闩锁的优化措施,以满足和提高CMOS电路的可靠性要求。

简介：摘要我国现代化的汽车制造业随着科学技术的发展与进步，汽车在设计方面不仅对汽车的安全性与舒适性有着较高的要求，而且随着环保意识不断的增强，汽车的设计也向着低碳环保的方向不断地发展。因此，为了设计出符合现代化要求的汽车，汽车在设计时通过对车身进行设计、减轻车身的重量等创新的设计工艺与制造工艺技术不断的相继涌现出来，为汽车制造业的快速、蓬勃发展增添了支持与动力。本文针对当前汽车行业在对汽车的车身设计与制造工艺技术展开研究与探讨，以此希望能为我国的汽车行业提供参考与借鉴。

简介：提出了一种基于SOP24基板及生产工艺，利用空余的管脚焊盘放置被动元件实现内部互连，制作SiP封装集成电路的封装工艺。选择红外发射电路，使用HT6221红外编码器芯片、电阻、三极管等无源元件，制造出集成了驱动电路的红外发射芯片。建立开发平台对内部器件的布置进行优化，最终制作出工艺简单、性能可靠的SiP封装器件。用一个标准的SOP24封装组件实现了完整的系统功能，面积比系统级封装前减少50％，可靠性大幅度提高，用户使用该芯片开发产品的难度大大降低。

简介：LTCC基板的共烧收缩均匀性受到材料和加工工艺的影响较大，使烧成基板的平面尺寸难以精确控制，成为LTCC基板实现高性能应用的一大障碍，需要重点突破。文章在简要介绍了常见平面零收缩LTCC基板制作工艺技术的基础上，通过精选LTCC生瓷带并设计10层和20层LTCC互连实验基板，提出评价指标，根据自有条件开展了自约束烧结平面零收缩LTCC基板的制作工艺研究，重点突破了层压与共烧工艺，将LTCC基板平面尺寸的烧结收缩率不均匀度由通常的士0．3％-±0．4％减小到小于士0．04％，可以较好地满足高密度高频MCM研制的需要。

简介：作者汇集国际会议相关外文论文，结合作者在华为等企业的工作实践，撰写此文，供同行参考。本文介绍了PoP（PackageonPackage）叠层封装的基本结构，SMT工艺模式和SMT组装工艺过程，重点介绍了PoP叠层封装的助焊剂／锡膏的浸蘸工艺过程，介绍了浸蘸锡膏材料及浸蘸锡膏的特性要求，PoP再流焊温度曲线的设定，对预制PoP~O在板PoP热循环疲劳结果分析。从底部填充材料选择、填充空洞、底部填充可靠CtgE3个方面介绍了PoP器件的底部填充效果和工艺。介绍了0．4mm细间距PoP器件的sMT组装工艺过程，及相关工艺参数的设定。介绍了0．4mm穿透模塑通孔（TMV）结构PoP器件的空气气氛下的再流焊工艺过程及相关工艺参数的设定。从对焊接缺陷、PoP封装各层状况和翘曲测量方面来介绍如何进行PoP器件的X线检测。从共面性和高温翘曲、温度循环、跌落冲击和弯曲疲劳4个方面介绍了0．4mmPoP器件的可靠性。本文最后介绍了PoP器件的清洗。

简介：摘要本文从《机械制造工艺基础》课程在教学上的现状、面临的问题出发，以增长学生的动手能力为目的，根据教学时真实情况进行探索研究，指出教师在讲授过程中应该如何改进教学方法与培养学生创新思维能力，以突破《机械制造工艺基础》课程中第二章“锻压”的教学难点。

简介：波峰焊接作为一种焊接技术为社会的发展作出了极大的贡献。本文主要就波峰焊基本工艺流程、工艺参数的设置以及常见问题分析三大方面进行了分析与探讨。

简介：文中采用磁控溅射方式在铁氧体基片上制备了微带隔离器的多层膜结构。通过带金属掩模版溅射电阻层,避免了对薄膜电阻的光刻和刻蚀;通过使用铜靶和湿法刻蚀,克服了对溅射用金靶、反应离子刻蚀等工艺技术和设备的依赖。该新型工艺方法简化了镍铬薄膜电阻的制作,降低了薄膜电路的制造成本,可应用于集成电阻的薄膜电路基板的研制。

简介：引言臭氧层被破坏是当今威胁人类生存的全球性环境问题之一,由于人类在工业生产中大量使用消耗臭氧层物质(ODS),从而导致臭氧层受损,地球受到的太阳紫外线辐射增强,使得人体免疫力下降、农作物减产.

简介：光刻胶剖面形貌和关键尺寸（CD）是光刻工艺的关键参数，而实际光刻工艺中受到前层次图形的影响，尤其是后端布线工艺受到前面工序高低台阶影响十分严重。文章基于光学干涉原理及King的胶厚理论模型和光刻胶SwingCurve曲线研究了光刻胶跨越高台阶对成像的影响，分析了造成光刻胶剖面和关键尺寸变化的主要原因。一是台阶处衬底的反射影响了光刻胶剖面形貌；二是高台阶处光刻胶厚度比正常厚度变薄导致光刻曝光条件不适用于高台阶处光刻胶。最后通过优化胶厚及增加底部抗反射层有效解决CD差异和改善光刻胶形貌。