简介：自硅芯片问世以来，芯片制造商一直认为芯片越小越好。芯片越小，电子运动的距离越小，运算速度越快。但芯片小到一定程度时，漏电问题就会成为主要矛盾。

简介：利用非线性偏振旋转锁模掺铒光纤激光器和1100m长的掺锗硅基高非线性光纤制作了超连续光源，获得了从1150～1750nm的超宽带输出光谱，其中1150～1350nm波段光谱起伏小于3dB，1600～1700nm波段平坦度优于1dB，并有很好的向长波延展空间。光谱展宽的机理为孤子分裂与受激拉曼散射，而四波混频使光谱进一步展宽。

简介：为了解决预制棒直径的增加和拉丝速度的提高所带来的光纤内部应力增大的问题,提出利用退火炉改善光纤内部应力的方法,并且从理论上分析了应用退火工艺改善光纤内部应力的原理。通过对比实验,得到退火工艺对光纤衰减、翘曲特性和光纤脆性的影响。在退火工艺条件下,所制得的光纤在1310、1550nm波长的衰减典型值分别为0.317dB/km、0.182dB/km,翘曲度值在14m以上,光纤的剥纤断纤率降低到0.08%。

简介：美国国民半导体公司最近宣布该公司正在研制一种集十几种芯片功能于一体的功能一体化的新型芯片。这表明芯片的电脑可能因此产生一次变革。

简介：体全息对小粒子记录及再现的影响关系到体全息材料在粒子场检测领域的应用前景,提出结合角谱传播理论与多光栅耦合波理论进行体全息图衍射分析的方法,并数值模拟了微米量级小粒子衍射光场的体全息记录与再现。数值分析结果表明体全息理论并不能像薄全息理论那样精确的再现出原始物光。其再现光场的角谱分布相对于原始光场存在高阶衰减,这使得再现光场成像后的图像边缘模糊,而且模糊程度还会随着粒子尺寸的下降逐渐上升。虽然这一现象为粒子边缘判读带来困难,但是再现图像的径向强度分布可为提高判断精度提供有益的参考。

简介：为获得可见光波长范围的大角度减反射光学薄膜,采用电子束蒸发斜角蒸镀工艺,按照设计好的膜系,通过蒸镀一系列低折射率膜层,最终得到在380～780nm波长间,入射角0～70°,平均反射率低于1%的光学薄膜。实验结果表明利用斜角蒸镀工艺镀制出折射率从基底到空气的渐变多层膜结构以取得优良的减反射效果是可行的。

简介：用3维粒子模拟程序研究了相对论强激光和高密度等离子体相互作用引起的电磁不稳定。数值模拟表明，在线偏振强激光作用下，等离子体表面出现了电磁不稳定性。形成的不稳定结构随时间发展和激光功率密度的增加进一步深入到等离子体内部，最终使等离子体表面处激发饱和自生磁场。这种由电子速度各向异性而产生的自生磁场对激光有质动力推开电子时所形成的电子热流产生抑制作用，并将直接影响电子加速效率。

简介：通过把脉宽为lOns、波长为1064nm的激光脉冲聚焦通过K9玻璃的方法，研究了玻璃的损伤形貌特点与高强度纳秒激光脉冲的关系。当激光脉？中聚焦在样品中心时，产生的破坏点的特点为前端大，后端小，并且纵向出现裂纹，使用高强度激光与物质相互作用时产生的激光支持的爆轰波特点解释了这些破坏特点。当激光脉冲聚焦在样品表面时，产生的破坏特点是串状的，即带有点状破坏的丝状破坏，这是由于内部缺陷或颗粒和动态自聚焦作用的结果。