简介：国际半导体工艺指南（ITRS）的组织者们，迄今仍主要关注SiCMOS器件，但也在考虑非数字、非Si器件的应用，例如，无线通信。就数字电路来说，HRS的组织者们也不得不寻找Si以外的材料，在ITRS的最新版（2005年版）中，有这样的评论：随着本“指南”接近末期，器件将按准弹道模式工作，其电流增益将按与目前所知不同的参数得以增强，实际上碳纳米管、纳米线和其它高输运沟道材料（例如，Ge、Si衬底上的Ⅲ-Ⅴ族化合物薄膜沟道）是需要的。这一陈述是记载在“长期指南（2014-2020年）”部分。“准弹道”意味着载流子平均自由程和驰豫时间达到器件特征尺寸量级和工作频率量级。同时需建立新的电荷输运物理模型。

简介：Themetalorganicvaporphaseepitaxy(MOVPE)growthofindiumgalliumnitride(InGaN)hasbeendiscussedindetailtowardsthefabricationofsolarcell.TheInGaNfilmwithIncontentsupto0.4aresuccessfullygrownbycontrollingthefundamentalgrowthparameterssuchastheprecursorgasflowrates,temperatureetc.TheformationofmetallicInoriginatesfromthehighervalue(0.74)oftrimethylindium/(trimethylindium+triethylgallium)(TMI/(TMI+TEG))molarratiowithlow(4100)V/Ⅲweightmolarratiowhilethelowervalue(0.2)ofTMI/(TMI+TEG)causesthephaseseparation.Itisalsonecessarytocontrolthegrowthrateandepitaxialfilmthicknesstosuppressthephaseseparationinthematerial.ThecrystallinequalityofgrownfilmsisstudiedanditisfoundtobemarkedlydeterioratedwithincreasingIncontent.ThelatticeparametersaswellasthethermalexpansioncoefficientmismatchbetweenGaNtemplateandInGaNepi-layerareprimarilyconsideredasthereasonstodeterioratethefilmqualityforhigherIncontent.ByusingIn0.16Ga0.84Nfilms,ann+-phomo-junctionstructureisfabricatedon0.65mmGaNtemplate.Forsuchadevice,theresponsetothelightillumination(AM1.5)isobservedwithanop-ncircuitvoltageof1.4Vandtheshortcircuitcurrentdensityof0.25mA/cm2.Toimprovetheperformanceaswellasincreasesolarphotoncapturing,thedeviceisfurtherfabricatedonthickGaNtemplatewithhigherIncontent.TheIn0.25Ga0.75Nn+-pjunctionsolarcellisfoundbetterperformancewithanop-ncircuitvoltageof1.5Vandtheshortcircuitcurrentdensityof0.5mA/cm2.ThisistheInGaNp-nhomo-junctionsolarcellwiththehighestIncontenteverreportedbyMOVPE.

简介：与更大的秒顺序非线性发现材料，有GeS_2的各种各样的比率的Ge-P-Schalcogenide眼镜:P_2S_5被melt-准备--熄灭方法。这些眼镜的微观结构和光学性质被XRD描绘，拉曼，Vis-NIR光谱学并且。制造者穗技术。第二泛音代(SHG)在被归功于到热应力坡度，and/或微各向异性的缺点的同样准备的锕系元素硫族元素化合物眼镜里被观察(例如孤独对轨道或原子价选择对)比较喜欢--同样准备的眼镜的取向。

简介：日本东北大学原子分子材料科学高等研究机构陈明伟教授等人的研究小组，成功地直接观测到非晶态玻璃状物质的局部结构（极微小区域的原子排列）。

简介：据报道，继京东方液晶面板6代线在合肥实现量产后，目前合肥液晶面板8．5代线项目正式获国家发改委批复核准，该项目计划在2012年底实现量产。

简介：近日，亚洲铝业集团于广东省肇庆高新技术产业开发区（大旺）亚洲铝业工业城，举行铝板带冷轧生产线试产仪式。此次试产是亚洲铝业正式进军铝板带高端市场的开始，将推动行业技术的升级换代。

简介：据报道,近日,由河北硅谷化工公司投资的碳纤维复合芯导线项目在邯郸市永年县开工建设。据称,这是我国第一个拥有自主知识产权、大批量生产高端电缆产品的高科技项目。项目投资后,将填补该行业国内

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简介：据报道,一个由中美科学家组成的研究小组研发出了一种新的催化剂,它能将纤维素这种生物质中最常见的形式直接转化为一种有用的化学物质,即乙二醇。关键的是,转化作用的原材料不是粮食,因此不会威胁到粮食安全。

简介：在自行设计出的直接耦合石英管式微波等离子体化学气相沉积fchemicalVaporDeposition，CVD）金刚石膜装置的石英管反应腔加上磁镜场，以更好地约束等离子体，使等离子体球成为“碟盘”状，提高了等离子体球的密度，在基本参数不变的情况下，沉积面积可由ψ30mm增长到50mm，沉积速度由每小时3．3μm增长到3．8μm，反射电流减小，从而减少了在石英管壁和观察窗的沉积，更好地利用微波能量，有效利用电离的活性基团沉积出高质量的（类）金刚石薄膜。

简介：近日京东方（BOE）宣布，其位于四川成都高新区的第6代柔性AMOLED生产线提前实现批量生产。这不仅是我国首条量产的全柔性AMOLED生产线，也是全球第2条已量产的第6代柔性AMOLED生产线。

简介：据报道，继2009年10月启动的广州LGD8．5代液晶面板线后，广东第二条高世代液晶面板线落定。11月17日，总投资达245亿元的深圳市第8．542薄膜晶体管液晶显示器件（TFT—LCD）生产线项目正式启动。该项目运作主体为新成立的深圳市华星光电技术有限公司，TCL集团与深圳市深超科技投资有限公司各占50％股份。项目将于2010年1月动工，2011年底试产，预计年产液晶电视模组1400万块。

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简介：据媒体报道,江西稀有稀土金属钨业集团公司与西班牙拉法格公司、荷兰托克公司及江西赣州市政府共同投资的年产30万吨新型合金材料项目将于今年5月在赣州开工兴建。

简介：据报道，随着科技人员连续攻克技术难关，青海10万t镁系列产品生产线开工在即。这标志着青海盐湖镁资源实现综合利用迈出关键一步。

简介：利用制浆造纸废料碱木质素制备了木质素基磷酸酯季铵盐两性表面活性剂，以此表面活性剂为结构导向剂，采用直接沉淀法一步制备了纳米氧化锌材料，XRD、EDS和SAED分析结果表明，产物为高结晶度的多晶六方纤维锌矿氧化锌，粒径在30nm左右；SEM和TEM分析可知，所合成的纳米氧化锌为具有粒子-片层-粒子三级结构的纳米材料，氧化锌主要沿着[101]和[100]晶面生长。同时对所制备的纳米氧化锌进行了紫外光催化降解亚甲基蓝的研究，实验结果显示，该纳米氧化锌有较好的光催化活性。

简介：ConstantloadtestsinNS4solutionpurgedwithN2-5%CO2gasmixturewereconductedonAmericanPetroleumInstitute(API)X80pipelinesteelappliedinthe2ndWest-EastGasPipelineprojectwithandwithoutpreload.TheresultsshowthatcrackscouldinitiateandpropagateinX80pipelinesteelinnear-neutralpHenvironmentunderaconstantloadcondition.Thelifeofcrackinitiationandpropagationincreasedwithdecreasingappliedstress.Preloaddidnotchangeitscorrosionbehaviorobviously.However,preloadreducedthetimeforcrackinitiation.

简介：2008年9月9日，中铝东轻公司铝合金板带生产线项目奠基仪式在哈尔滨举行。