简介：利用双晶单色器和精密二圆衍射仪，在北京同步辐射装置建立了同步辐射X射线驻波实验技术，并用这一实验技术结合X射线衍射方法，研究了Si晶体中外延生长的起薄Ge原于层的微结构。实验结果表明，由于Ge原予的偏析，在Si晶体样品中形成了共格生长的GexSi1-x合金层，浓度平均值为x≈0.13；650℃退大会使Ge原予向表面扩散，Si晶体中的合金层消失，在晶体表面形成接近纯Ge的单原于层。

简介：分析了X射线辐照电缆的物理过程,建立了基于有限元方法的二维诺顿等效电流源计算模型,将泊松方程、电场强度、电荷守恒方程等求解过程转换为矩阵和向量运算,并利用PETSc程序包编程计算,模拟了辐射感应电导率和间隙效应对屏蔽电缆X射线辐照响应的影响。结果显示,仅考虑辐射感应电导率效应时,随着X射线注量的增加,诺顿等效电流源逐渐趋于饱和,波形宽度变窄,并逐渐变为双极性波形。仅考虑间隙效应时,诺顿等效电流源幅度与间隙宽度近似成正比;间隙效应会大幅抵消辐射感应电导率效应的影响,诺顿等效电流源幅度仍近似正比于间隙宽度。该方法实现了电缆X射线辐照非线性效应的模拟,并将计算对象扩展到屏蔽多导体电缆。

简介：重离子柬轰击聚碳酸酯后．对样品进行陈化和紫外线照射数化，在优化条件下蚀刻后得到纳米孔径核孔膜。利用电化学沉积技术在核孔膜中制备了最小孔径为30纳米的铜纳米线。获得的钥纳米线／聚碳酸酯可以作为x光纳米光刻的腌膜。

简介：通过建立一个典型的金／硅界面结构模型，对X射线入射界面时的剂量增强效应进行了研究。采用MonteCarlo方法计算了不同能量X射线入射金／硅界面的输运过程。其中，对X射线产生的次级电子在介质中的输运，采用了单次碰撞直接模拟方法；对电子的弹性散射截面和非弹性散射截面，分别采用Mott微分截面和Born近似下的广义振子强度模型计算得到。研究计算了不同能量X射线入射下，金／硅界面的剂量增强系数及特定X射线能量下剂量增强系数随金厚度的变化规律。结果表明：X射线能量为几十至几百keV时，剂量增强效应最明显，最大剂量增强系数对应的X射线能量随距金／硅界面的距离增加而增加；金的厚度影响界面附近剂量增强效果，当X射线能量不变时，剂量增强系数随金的厚度增加而增加，并趋于饱和值。

简介：在北京同步辐射装置3WlB光束线上，对天文观测用超软X射线(0.2keV-3．5keV)正比计数管探测器进行了系统地标定．得到了正比计数管的死时间、计数率坪曲线、能量线性、能量分辨、窗材料透过比曲线；借助于已标定过的光电二极管探测器，测量了正比管探到器的能量响应效率，标定不确定度在10％一18％之间．另外，还对正比管系统在卫星上的六道记录和在实验室里的多道记录进行了对比，两种记录方式符合得很好．

简介：为了正确测试铍材表面残余应力分布，建立了一种测试方法，并在X3000型应力分析仪上，采用悬臂梁加载实验，验证了该方法的可行性。

简介：在脉冲X射线测量中,当出射X射线粒子总数低于108时,通过闪烁体成像测量角分布的方法难以获得结果。提出了一种将准直孔阵列、快时间响应闪烁体和多路延时光纤相结合的电流型测量方法,通过记录不同角度的瞬时脉冲波形,能够实现ns以下小焦斑快脉冲X射线角分布的测量。基于该方法研制的测量系统在亚ns重复频率快脉冲硬X射线源上进行了实验验证,获得了距源20cm处的角分布数据。

简介：红外吸收光谱表明样品含片状和分散状分布的杂质氮，属1a型金刚石。利用同步辐射对晶体进行了形貌学研究．在近完整晶体内近中心的001)和(010）结晶学平面内观察到生长带，生长方向平行于(100）和(010)．在欠完整晶体内小角度晶界发育，取向角达2．5^*以上．晶体完整性与氮含量无明显相关关系．

简介：利用同步辐射X射线形貌术研究晶体缺陷．是近年来发展起来的一种优良的实验方法．本文在研究LNP等晶体缺陷的同时，对这种实验方法进行了系统的探讨，讨论了散射光的消除、焦距的选择、样品的透明度与厚度、曝光的时间、底片的冲洗答问题．以及在缺陷研究中对晶体衍射的劳厄斑点的选取依据．

简介：采用直流X射线连续能谱照射晶体,以极小的步进角,测量一定角度范围内,不同入射角度下的衍射能谱,通过提取各个角度衍射能谱中同一能量X射线的衍射强度,微分得到该能量的平晶摇摆曲线。与传统测量方法相比,该方法具有更大的X射线能量测量范围,可通过一次角度扫描,同时给出多个能量的摇摆曲线。利用该方法开展了16~21keV区间内LiF（200）平晶摇摆曲线的相对强度标定,结果表明,晶体摇摆曲线的半高宽随X射线能量增加而缓慢减小,而峰值强度随X射线能量增加则缓慢增加,在入射能谱强度变化较大区间内,该方法测量结果的不确定度较大。

简介：近年来,最高能量在250MeV左右的质子辐照装置因在质子治疗、质子辐照效应研究等领域的应用前景而受到广泛关注。清华大学目前正在计划建设一个此类质子辐照装置,其最高能量可达230MeV,一个工作周期至少输出2×10^11个质子,且引出的束流是准连续的。该辐照装置的核心部分是一个能够将质子由7MeV加速到230MeV的同步质子加速器。简要介绍了该同步加速器的关键技术及设计结果,包括为实现高效累积足够流强而使用的剥离注入技术、为提升加速效率而使用的纵向绝热俘获技术以及为实现束流缓慢引出而使用的三阶共振引出技术。

简介：在惯性约束聚变（ICF）研究中，激光烧蚀引起的瑞利-泰勒（R-T）不稳定性发展是一个重要的过程，对于燃料的均匀压缩、能量吸收率的提高等方面有很大的影响，因此必须进行仔细的研究。利用单色性、方向性、相干性均非常好的类镍银13．9am的X射线激光作为探针光源，采用阴影成像方法，可以对R-T不稳定性的发展进行空间分辨率很高（约1～2μm）的实验诊断，为相应的理论研究提供可供比对校验的实验样本。

简介：在Z-piirch实验中，研制了由闪烁体薄膜、光纤阵列、条纹相机等组成的同时具有时间分辨和一维空间分辨能力的Z-pinch等离子体X光辐射过程空间分布诊断装置，诊断装置沿垂直于负载轴向的方向观测等离子体X光辐射的时空分布。利用狭缝实现X光辐射区域的一维空间分辨成像，通过选择狭缝方向可选择测量X光辐射过程沿负载轴向或径向空间分布。

简介：一种新型激光器以1．4613113的X射线短波长发射出相干脉冲——在能源方面，这就是干电子伏系统。德国电子加速器公司自由电子激光科学中心的NinaRohringer与其它研究人员在报道中称已发明了利用粒子数反转增益的高能激光器，

简介：O434.112002064016双盘靶X光辐射的实验研究=X-rayemissionfromdouble-disktargets[刊,中]/江少恩,郑志坚,孙可煦,黄天暄,杨家敏,崔延莉,陈久森,郭素,胡昕,汤晓青(中物院激光聚变研究中心.四川,绵阳(621900))∥光学学报.—2001,21(12).—1428-1431在"星光Ⅱ"激光装置上,利用三倍频激光辐照双盘

简介：O4322001020774光电技术在合肥光源束流测量系统中的应用=Applicationofopto-electronictechniquestothemeasuringsystemsforbeamoflightsource[刊,中]/孙葆根,何多慧,方志高,王贵诚,卢平,王筠华,许玲(中国科技大学国家同步辐射实验室.安徽,合肥(230029))//光电工程.—2000,27(2).-1-4介绍了合肥200MeV电子直流加速器利用光电二极管阵列的能谱测量系统。800MeV电子储存环利用CCD技术的束流截面测量系统及利用单光子计数法测量束团纵向精细结构。图5参3(吴淑珍)

简介：O482.3195021317P-GaP中离子注入缺陷的形成=Formationoftheion-implantationdefectinP—typeGaP[刊,中]/李宝军,张旭（甘肃教育学院物理系.甘肃,兰州（730000））//半导体光电.—1994,15（4）.—369—371研究了Zn+离子注入P—GaP半导体所引起的缺陷.在电流密度为0.03μA/Cm2下,将注入Zn+离子剂量为1×1014离子/厘米2的GaP样品腐蚀出蚀

简介：O482.3196021361电化学引起Si:Er3+材料1.54μm发光增强=Theanodizationinduced1.54μmluminescentintensificationoftheSi:Er3+material[刊,中]/周咏东（中科院上海技物所）,金亿鑫,李仪,蒋红,李菊生（中科院长春物理所）∥红外与毫米波学报。—1995,14（4）。—317—320利用77K红外光致发光实验研究了电化学过程对离子注入Si:Er3+样品的光致发光影响。实验结果表明:电化学过程除在Si:Er3+样品硅基质晶体中引入大量的深能级局域态外,还使Si:Er3+样品中Er3+的1.54μm光致发光效率明显提高,且Er3+发光峰增

简介：TG115.28196021311射线探伤最新国际标准简评=Adiscussiononrecentinternationalstandardsforradiographicexamination[刊,中]/李衍(无锡锅炉厂)∥无损检测。—1995,17(11)。—515—316,322对欧洲标准化委员会最近提出的一个射线探伤新标准提出一些看法,竞在结合国情与国际标准接轨时提供借鉴。图1表5参4(吴淑珍)TL816.196021312X射线二极管的灵敏度标定和应用=Calibrationof

简介：TG115.28197010541X射线法检测GCr15轴承零件的回火缺陷=X-rayradiographicinspectionofbearingpartsfortemperingdefects[刊,中]/朱光辉(洛阳轴承公司.河南,洛阳(471039))∥无损检测.—1996,18(6).—166—167