简介：日前，VishayIntertechnology，Inc．宣布，发布新的30VN沟道TrenchFET第四代功率MOSFET——SiA468DJ，为移动设备、消费电子和电源提供了更高的功率密度和效率。VishaySiliconixSiA468DJ采用超小尺寸PowerPAKSC-70封装，是具有业内最低的导通电阻和最高的连续漏极电流的2mm×2mm塑料封装的30V器件。

简介：应用于EV/HFV（电动汽车和混合电动汽车）转换系统的IGBT模块,要求其提高功率密度,以能达到缩小系统体积的目标。为了达到这个目标,我们研发了采用高热导工艺的新型的高功率密度的6-型（6-pack）IGBT模块。采取的创新措施有：采用直接冷却系统以消除热脂的热阻;优化了散热器和液体套管的设计;绝缘衬底不采用通常使用的Al_2O_3（氧化铝）,而采用了热导率比Al_2O_3高的Si_3N_4（氮化硅）;开发了新型焊接材料。研发的新型IGBT模块能用于EV/HFV转换系统的可能性是非常大的。

简介：10月26日,生益利技发布公告,公司子公司生益电子股份有限公司(简称“生益电子”)将万江产能转移选址在江西省吉安市井冈山经济技术开发区,投资高精密度线路板项目。

简介：随着通信网络的飞速发展,对电源设备的应用要求越来越高。在节能减排、通信绿色化发展的背景下,以高效节能、优质合理使用电能为特点的整流器装置得到了前所未有的发展。作为通信电源系统必不可少的供电装置,整流器在运行中起着将交流（AC）转换为直流（DC）,经滤波后将电源供给负载的重要作用。

简介：在200W连续导通模式功率因数校正（PFC）系统中，新一代600V砷化镓（GaAs）肖特基二极管与硅和碳化硅（SiC）二级管比较，砷化镓、碳化硅在PFC系统中的损耗减少高达25％。由于砷化镓有较低的结电容，砷化镓相对碳化硅高的通态损耗被较低的MOSFET损耗弥补了。和碳化硅技术相比，砷化镓有成本和可靠性优势。对于高频和高密度应用来说，新一代的砷化镓二级管是很有前景的。

简介：测试和测量领域的行业领导者思博伦通信近日正式推出第一款8端口1U机架式解决方案,适用于400/200/100/50G以太网测试。思博伦全新的pX3400G测试设备是世界上密度最高的400GQSFP-DD测试仪。该产品专为验证下一代超大规模多TB路由器和交换机的转发性能及服务质量而设计,所有测试能力均被囊括在1U机身的小巧空间之内。单台pX3400G测试仪提供8个端口。

简介：意法半导体推出最新的MDmeshDk5功率MOSFET管，内部增加一个快速恢复二极管的甚高压（VHV）超结晶体管，这样结构有助于设计人员最大限度提升各种功率转换拓扑的能效，包括零压开关（ZVS）LLC谐振转换器。