简介:DynamicCurrentSharinginParalelingPowerMOSFET①WANGBaocheng,WUWeiyang,ZHANGChunjiang(YanshanUniversity,Qinhuangdao066004,CHN)Ab...
简介:本文分析了线性功率MOSFET的结构及其性能,并对其在线性模式下的应用进行了介绍。
简介:随着电力电子技术的发展,对于功率器件的要求也越来越高。为了更好的满足大功率应用场合的要求,需要多SiCMOSFET进行并联,目前并联应用的方案在电机控制、逆变器等电力电子系统中的应用前景十分广泛。但是,由于SiCMOSFET的静态因数和动态因素会直接影响到并联SiCMOSFET的均流特性,从而造成单个器件承受过大的电流应力而损坏。因此,对于SiCMOSFET均流特性的研究是非常有必要的。本文通过对SiCMOSFET电路模型进行研究,给出了一种将两个功率支路共同接入同一共用磁芯的耦合线圈进行主动均流的方法,并对主要功率器件的设计方法进行了研究。
简介:<正>VishayIntertechnology,Inc.宣布,推出采用针对更高电压器件优化的新型低导通电阻技术的首款TrenchFET(?)功率MOSFET—ThunderFETTMSiR880DP。新器件是业界首款在4.5V栅极驱动下就能导通的80V功率MOSFET。新的80VSiR880DP采用热增强型PowerPAK(?)SO-8封装,在4.5V、7.5V和10V下具有8.5mΩ、6.7mΩ和5.9mΩ的超低导通电阻。在4.5V栅极驱动下,该器件的典型导通电阻与栅极电荷的乘积为161,该数值是DC-DC转换器应用中MOSFET的优
简介:介绍高压浮动MOSFET自举驱动电路的工作原理和高压驱动芯片的内部原理;讨论影响自举电容设计的各种因素,并给出自举电容的计算公式。通过实例,以测试波形来证明设计结果的准确性,表明其具有实际应用价值。