简介:目的:探索1T-MoS2(多型结构的二硫化钼)的除汞机制。方法:1.采用密度泛函理论(DFT)分析Hg~0在1T-MoS_2单层上的吸附机理。2.考察1T-MoS_2的不同吸附位置。3.对不同的吸附构型,研究电子吸附前后的变化,从而进一步了解吸附过程。结论:1.化学吸附是Hg原子与1T-MoS_2单层吸附的主导因素。同时,在所有可能的吸附位置中,T_(Mo)(在钼原子上方)的位置是最强烈的吸附构型。2.汞(Hg)原子在1T-MoS_2单层上的吸附受邻近的硫(S)和钼(Mo)原子的影响。3.吸附的汞(Hg)原子在1T-MoS_2的Tmo位置上会被氧化,其吸附能为-1.091eV。4.从局部态密度(PDOS)分析来看,Hg原子和1T-MoS_2表面之间的相互作用是由汞(Hg)原子的d轨道与硫(S)原子的s轨道及钼(Mo)原子的p轨道和d轨道重叠所致。
简介:针对加速器驱动次临界系统(acceleratordrivensubcriticalsystem,ADS)堆芯内快中子份额大、多核素共振现象较强、液态铅锯(Pb-Bi)合金冷却剂中子增殖的特点,开发了一套用于ADS燃耗分析的MCNP多群数据库制作程序。基于最新的ENDF/B-1.1和JENDL40评价库,制作了30群阶数据库,对影响MCNP多群计算精度的能群结构、散射角分布、(n,2n)和(n,3n)反应截面进行了敏感性研究,并利用快谱基准装置和ADS堆芯模型进行了验证。结果表明,制作的多群数据库达到了较高的计算精度,计算效率较连续能量点截面MCNP程序提高1.3倍。