简介：英飞凌科技股份公司进一步壮大其62mm封装IGBT模块阵容。新推出的功率模块可满足提高功率密度而不增加封装尺寸这一与日俱增的需求，这应归功于将更大面积的芯片和经改良的DCB衬底应用于成熟的62mm封装而得以实现。1200V阻断电压模块的典型应用包括：变频器、太阳能逆变器和不间断电源（UPS），1700V阻断电压模块则适用于中压变频器。

简介：文章对应用于航天计算机系统封装的大腔体高密度高可靠高温金属化陶瓷管壳，根据用户提出的特殊要求，从设计到工艺，较详细论述其研制过程、关键工艺、技术难点、以及与通常的DIP、CQFP、CLCC、CPGA等的不同之处，并指出今后需要努力的方向。

简介：<正>VishayIntertechnology,Inc.推出0402和1206外形尺寸的器件,扩充其PATT精密车用薄膜片式电阻家族。器件提供镀金接头,可适应传统的焊膏组装和导电胶合电路板安装技术。薄膜PATT电阻的工作温度范围比大多数传统电阻宽85℃,在100%的散热功率下的工作温度可达+155℃,线性降额时温度可达+250℃。器件通过AEC-Q200认证,具有±25ppm/℃的绝对TCR,经过激光微调的公差低至±0.1%。电阻芯采用钽氮化物技术制造,具有固有的

简介：日前，VishayIntertechnology，Inc．宣布，发布新的30VN沟道TrenchFET第四代功率MOSFET——SiA468DJ，为移动设备、消费电子和电源提供了更高的功率密度和效率。VishaySiliconixSiA468DJ采用超小尺寸PowerPAKSC-70封装，是具有业内最低的导通电阻和最高的连续漏极电流的2mm×2mm塑料封装的30V器件。

简介：1.前言由于近几年来汽车的性能不断提高,采用减少污染环境的新技术,汽车制造工艺的质量管理显得极为重要,与质量管理有关的清洗工艺的重要性也越来越突出.

简介：<正>日前,VishayIntertechnology,Inc.宣布,推出新系列高功率表面贴装的精密薄膜片式电阻-PCAN系列器件。该系列器件采用氮化铝基板,功率等级为2W~6W,分别采用1206和2512小外形尺寸。今天发布的VishayDale薄膜电阻的氮化铝基板采用更大的背面端接,减少了上侧电阻层与最终用户的电路组装上焊点之间的热阻。这样,器件可处理

简介：意法半导体推出最新的MDmeshDk5功率MOSFET管，内部增加一个快速恢复二极管的甚高压（VHV）超结晶体管，这样结构有助于设计人员最大限度提升各种功率转换拓扑的能效，包括零压开关（ZVS）LLC谐振转换器。