简介:实验评估了600V,4A碳化硅(SiC)肖特基二极管(英飞凌,SDP04S06)的性能。作为一种重点的应用,作者考虑选用一种300W,按平均电流模式控制的Boost功率因数校正器(PFC)。作者测量了采用该型号SiC肖特基二极管和采用两种超快、软恢复的硅功率二极管(RURD460和目前正被列入的STTH5R06D)制成的整机的效率、开关损耗、二极管损耗和电磁干扰(EMI)等特性。本文比较了这些结果,特别是定量地考察了SiC二极管提供的恢复电流的减小对该变换器行为的这些关键参数的影响。基于试验结果,本文表明在功率因数校正器设计中,采用SiC二极管只是在高开关频率时才是合算的。
简介:阐述了直接转矩控制系统的发明和发展,指出其控制原理和方案的特点,特别阐明了它在转速与磁链分别控制中的解耦作用。最后,对直接转矩控制和矢量控制两种方案进行了比较,指出各自的优缺点和发展方向。
简介:2019年1月15日,慕尼黑——罗德与施瓦茨公司正式发布R&SZNA系列高端矢量网络分析仪——一个全新、功能强大的测量有源和无源器件的通用平台。首先发布的R&SZNA系列矢量网络分析仪有两个型号:R&SZNA26(10MHz~26.5GHz)和R&SZNA43(10MHz~43.5GHz)。在1kHz中频带宽的设置条件下,R&SZNA的测量动态范围可高达146dB(典型值),迹线噪声可低至0.001dB,这两个出色的性能指标是测量高抑制比滤波器必不可少的。借助R&SZNA独有的硬件设计特性,用户可以比以往快两倍的速度完成混频器的测量;在测量放大器方面,100dB的功率扫描范围、每个端口上内置的脉冲源和脉冲调制器、灵活的交调失真测量方法以及频谱分析等功能让测量任务变得更加容易。