简介：日前，信产部公告称，调整部分电子产品进口关税税率，在原256个税目的产品实施零关税基础上，此次调整大约涉及83项产品。大部分产品的暂定关税税率比“2008年最惠国税率”规定的比例调低了100％以上。比如多晶硅、液晶屏用原板玻璃、液晶玻璃基板、单反相机的镜头的“最惠国进口税率”原分别为4％、17.5％、15％、15％，调整后分别为2％、3％、3％、3％。

简介：国立信息学研究所科学家成功用光脉冲控制封闭在半导体纳米构造内的电子的自旋状态，这一成果为研制超高速量子计算机打下了基础。这项成果刊登在11月13日出版的英国《自然》杂志上。

简介：2009年12月22日，受国家发展改革委委托，河南省发展改革委组织专家对洛阳中硅高科技有限公司承担的国家高纯硅材料高技术产业化专项“大型高效还原技术生产电子级高纯硅材料高技术产业化示范工程”进行了验收。验收委员会听取了项目建设、试生产情况的汇报，审查了项目验收材料，进行了现场实地勘察，经过质疑和讨论，专家委员会一致认为：中硅高科集成了自主开发的“高效提纯技术、大型低温氢化技术和高效加压24对棒还原炉技术”，

简介：利用固体与分子经验电子理论（EET），分析了23MnNiMoCr54铜淬火组织特征相，计算了特征相及相面的电子结构参数。最后用电子结构参数的统计值讨论了合金元素对固溶强化系数、界面强化系数、淬火组织的权重以及各结构单元强度增量的影响，分析了合金元素强化作用的微观机理。

简介：近日，德国马克斯-玻恩非线性光学与短脉冲光谱学研究所（MBI）的研究人员与国际伙伴一起研发了一个试验装置，首次可以准确确定电子从隧道效应障碍物中出来的时间点。该研究为原子和分子中的“多电子重排”在空间和时间上的直接分辨提供了一个普遍方法。相关研究发表在《自然》杂志上。

简介：利用反应性有机硅整理剂结合电子束辐照加工技术提高纯棉织物的抗皱性能,以整理剂浓度、浸泡时间以及辐照剂量为因素进行正交试验,将织物的折皱回复角作为指标筛选出最佳工艺。结果表明,最佳工艺为：整理剂浓度160g/L,浸泡时间18h,辐射剂量43kGy,在该工艺参数下整理得到的纯棉织物的折皱回复角达到了175.6°,比原样增加了33.13%,接枝率为11.20%,白度下降到原样的88.24%,经纬向强力保留率分别为77.09%和84.27%,经过5次洗涤后织物的折皱回复角下降5.3%,耐洗性能较好。分析辐照前后织物的红外谱图以及扫描电镜图可知,有机硅与纤维素大分子链间发生反应,形成了稳固的交联结构,限制了大分子链的相对滑移,从而提高了纯棉织物的抗皱性能。

简介：通过第一性原理计算可以预测材料的组分、结构与性能，设计具有特定性能的新材料，甚至可以模拟实验无法实现的工作。密度泛函理论巧妙地将电子之间的交换相关势表示为密度泛函，使得薛定谔方程在考虑了电子之间的复杂作用后，依然可以利用自洽的方法求解。利用CASTEP软件在不同机制下计算了立方氮化硼的能带结构、电荷密度分布、状态密度、折射率谱、反射率谱、吸收谱。

简介：国科微电子近期正式发布新一代支持国家标准与技术集大成的直播卫星高清芯片——GK6202S。该芯片完全支持TVOS2．0、AVS＋、ABS—S、DRA、DCAS、北斗等国产标准，不仅能为广大直播卫星电视用户提供画面质量高达1080P@60fps的高清视觉体验，也能为众多的直播卫星机顶盒厂商提供性能更强、性价比更高的高清机顶盒方案。

简介：美国科学家制造出了第一台四维电子显微镜，能够用来观察原子尺度物质结构和形状在极短时间内所发生的变化。科学家用它拍摄了金和石墨原子的活动。相关论文发表在11月21日的《科学》（Science）杂志上。

简介：美国Jefferson实验室用自由电子激光器产生出了约100W的太拉赫芝（THz，10^12Hz）辐射，几乎是现有THz光的10万倍。在专门用户实验室，电子短脉冲还可以产生出几百瓦的宽带THz光。

简介：日产化学工业公司已将其聚合能力扩大了50％并扩充了其名为TEPIC的环氧化合物的精制能力。这次扩容是在小野田工厂（山口县）进行的。该厂正在全负荷生产，2006年11月将完成扩容。日产公司几乎控制了全球电子元件（以封装料为中心）用环氧化合物市场，这次扩容意在保持其全球领先地位。TEPIC属三嗪类化合物，有很好的电子特性及高耐热，耐化学品性和耐侯性。该产品市场领域已逾40个国家，主要用于粉末涂料固化剂。近来韩国、中国大陆及台湾的电子元件业对用于阻光油墨及LED（发光二极管）设备涂料等的高纯度及特殊级别的产品需求一直在增长。

简介：基于局域密度近似（LSDA,Localspin-densityapproximation）和有效库仑相关能（Uapproach）,采用第一性原理计算软件VASP,计算了钙钛矿型钆铝酸盐（GdAlO3,GAP）电子结构,并研究了铽离子（Tb3＋）掺杂后（GdAlO3∶Tb,GAP∶Tb）对能带带隙（Eg,Energyofgap）的影响。计算结果表明：GAP为直接带隙半导体,带隙宽度主要由价带（VB,Valenceband）顶部的O-2p和导带（CB,conductionband）底部Al-3（s＋p）、Gd-（s＋d）（p）决定,Eg值为4.8eV;随着Tb3＋的掺入,当掺入量为1/4原子比时（GAP∶Tb0.25）出现杂质能级,为3eV、2.3eV,分别对应Tb3＋的5D3-7FJ（J=3,4,5,6）电子跃迁和5D4-7FJ（J=3,4,5,6）电子跃迁。当掺入量为1/16时（GAP∶Tb0.0625）,仅杂质能级2.3eV较为明显,这一计算结果与GAP∶Tb0.7荧光粉在紫外激发下绿色荧光发射明显这一实验现象相符合（荧光发射主峰对应5D4→7F5（544nm））。

简介：位于美国新墨西哥州阿尔伯克基的Optomec公司宣布该公司获NASASBIR合同，进一步发展自适应激光烧结系统（ALSS）在电子产品中的应用。这一尝试的成功将实现在更多种类的温度敏感基板上打印电子电路，扩大3D打印电子元件的生产应用。

简介：德国杜塞尔多夫，2007年12月7日--罗地亚聚酰胺在2007年K展的演讲中介绍其TECHNYL阻燃聚酰胺树脂创新系列不含卤素和红磷成分的新增品种。这些新产品为电子电气用途提供了环保改进型解决方案，这些新方案均满足欧盟的＂废电子电气产品指令》（WEEE）和＂电子电气产品中有害物质禁限用指令》（RoHS）的限制要求。