简介：

简介：我们针对金属和合金纳米固体提出了简化的电阻模型，并据此得到了纳米固体总电阻与纳米粒子电阻的关系。依据这一模型，我们对纳米固体电阻特性的尺寸效应、温度效应和压力效应及其与常规多晶材料的差别等进行了有效的物理解释。

简介：随着高功率固体激光器的迅速发展，对激光器的输出能力、稳定性、寿命等都提出了较高的要求。大口径光学元件是激光器的关键元器件，激光器要在高通量下运行需要它具有较高的抗损伤本领。决定光学元件抗损伤能力的因素除材料本身和制造工艺外，另一个重要的因素就是其表面的污染。理论和实验均表明，光学元件表面的污染物会降低抗损伤能力，提高光学元件表面的洁净水平能有效地提高抗损伤能力。

简介：有机固体激光器因其制备简单,价格低廉和易于集成等优势,一直以来备受科研工作者的关注。与无机激光介质相比,有机激光材料来源广泛,并且具有发射光谱宽、受激发射截面积大等特性,近年来在激光显示、生物传感器等应用方面显示出很大的应用前景。在国家自然科学基金委、科技部和中国科学院的支持下,

简介：本文对测量固体隔声层对超声波传播发生影响的实验装置进行了介绍,并进行了实际测量,理论和实验结果相符较好

简介：初中物理总复习与平常的课堂教学，在教学教法上的要领都是突出重点，突破难点，激发兴趣，启迪思维。但总复习课还须进行重点知识的辐射和相关知识^点的归纳，形成总复习课教学容量大、头绪多、课时紧的特点。对于教师来说，授课时特别重视条理清楚、

简介：目的：电泳沉积是一种简单且具有成本效益的涂层技术。其出色的形态特征控制,适用于制造需要每个组件层都具有其独特属性的固体氧化物燃料电池。本文旨在综述电泳沉积的最新进展、制备稳定悬浮液所需的关键因素以及通过电泳沉积技术制造固体氧化物燃料电池所涉及的相关参数。创新点：1.分析了维持悬浮液稳定性的关键参数,包括粒径和固体载荷等胶体相关参数以及介电常数和电导率等悬浮介质相关参数。2.讨论了这些参数对粒子流动性、电动电位和电泳沉积技术于固体氧化物燃料电池应用的综合效应。方法：1.对以往的研究进行综述,并总结电泳沉积技术制造固体氧化物燃料电池组件层的发展（表1）,包括稳定悬浮液的制备以及电泳沉积工艺关键参数的优化。结论：鉴于每个固体氧化物燃料电池组件层都涉及不同类型的材料,且每种材料都需要特定的参数来实现有效沉积,因此,为了获得各组件层所需要的性能,制备悬浮液配方的正确性和电泳沉积工艺的优化显得至关重要。

简介：初中物理总复习是物理教学的一个重要环节，通过总复习使学生对初中阶段所学知识形成一个有机整体，并能前后联系，融会贯通。在短时间内要取得好的效果，就必须把零散的、片断的知识条理化、系统化，提高学生运用所学知识解决实际问题的能力。通过几年的探索、总结，浅谈自己的一些策略及方法。

简介：课改实行多年，中考仍是检测教育教学质量重要手段之一，有效的复习备考，方能有效地提高学生的中考成绩，下面笔者就物理中考复习备考谈一些看法．

简介：初三化学总复习是使学生的化学学习产生质的飞跃的重要阶段。其主要任务是帮助学生梳理知识，使之条理化、系统化、结构化；巩固应用知识，学会分析问题，灵活调用自己贮存信息，解决化学问题；

简介：随着九年级新课教学的结束，学生进入了紧张中考前的总复习阶段。如何组织和安排不同类型的学生进行有效复习，使知识内容得以巩固加深，能力水平进一步提高，并在中考中取得理想成绩，是毕业班教师常感头疼的问题。下面就近年来对“中等生”初中物理总复习策略的一些探讨与同行交流。

简介：新课程新中考在六个文考等级科目中，生物、地理学生在八年级就过了关，政治、历史是开卷考，化学只有九年级一年的内容，权衡来权衡去，物理成了学生心目中最“小”的科目。进入九年级下学期总复习后，学生忙于复习语、数、英三“大”科目，要求学生用很多的课后时间来复习物理这个最“小”的科目，

简介：热容激光器与常规的高功率固体激光器的本质区别是激光介质的热管理方式不同，常规高功率固体激光器是边工作边冷却，而热容式激光器采用了工作时间和冷却时间相分离的热管理模式。因此热容激光器不再受介质断裂极限限制，可提高平均输出功率，同时由于工作时介质内部不存在显著的温差、热应力，可有效减小光程畸变提高光束质量。

简介：介绍了一种新型总β测量闪烁探测器的原理与结构,对闪烁探测器输出回路脉冲计算公式及其极值进行了推导,利用MATLAB强大的数值计算功能讨论了闪烁探测器输出回路脉冲形状与回路RC时间常数的关系。并初步提出信号甄别的方法。

简介：对市售和加固CMOS电路在四川原子核应用技术研究所的5．92×10^15Bq^60Coγ源上作了总剂量辐射特性的对比试验，其中市售的样品包括了北京半导体器件三厂的硅栅和铝栅CMOS电路及美国RCA公司的CMOS产品硅栅CD74HC20E，加固CMOS电路为中科院北京半导体研究所的CMOS／SOS(以蓝宝石为衬底)硅栅CC4012和CMOS／体硅金属栅CC4012。实验的γ剂量率在0．02-0．80Gy(Si)／s之间，它符合国家军用标准GJB762．2《半导体器件辐射加固试验方法总γ剂量辐照试验》所规定的实验剂量率范围。当辐照到预定的总剂量时，电路所有表征参数在20min内测量结束。

简介：对InPDHBT进行了钴源辐射试验,研究了InPDHBT在不同偏置条件下的电离总剂量效应.使用KeysightB1500半导体参数分析仪,测试了InPDHBT的Gummel和输出I-V参数,分析了辐射敏感参数在辐射过程中的变化规律,研究了器件功能失效和参数退化的原因.研究表明：将InPDHBT置于不同的偏置条件下,产生数量不同的氧化物陷阱电荷和界面态陷阱电荷,导致器件的功能失效阈值也不同.

简介：在分析SRAM型FPGA单元电路及芯片辐照效应实验数据的基础上,借助计算机仿真模拟,研究了大规模集成电路抗辐射性能的敏感性预测技术。采用分层仿真和评价的方法,先由上而下,根据器件参数要求分配性能指标,再依据实验数据,借助数值模拟,由下而上检验性能阈值、裕量及其不确定度,最终给出整个FPGA的可信度值,确定了敏感单元电路,并且通过X射线微束总剂量实验对结果进行验证。建立的电路级数值模拟方法为累积电离总剂量效应敏感性预测研究,提供了技术支撑。