简介：本文概述了IGBT自发明以来主要的结构改进和相应的性能改进。包括芯片集电结附近（下层）结构改进（透明集电区）、耐压层附近（中层）结构改进（NPT、FS／SPT等）和近表面层（上层）结构改进（沟槽栅结构、注入增强结构等），以及由它们组合成的NPT—IGBT、TrenchIGBT、FS—IGBT、TrenchFS-IGBT、SPT、SPT＋、IEGT、HiGT、CSTBT等。

简介：

简介：ＰｒａｃｔｉｃａｌＤｒｉｖｅａｎｄＰｒｏｔｅｃｔｉｏｎＣｉｒｃｕｉｔｓｆｏｒｔｈｅＩＧＢＴ①ＧＵＨｅｒｏｎｇ，ＺＨＡＮＧＣｈｕｎｊｉａｎｇ，ＬＩＵＹａｎｍｉｎ（ＹａｎｓｈａｎＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｑｉｎｈｕａｎｇｄａｏ０６６００４，ＣＨＮ）Ａｂｓｔｒ...

简介：提出用于高压电动机变频调速电源需考虑的串联、谐波和效率等几个问题；介绍由全控型电力电子器件ＩＧＢＴ按多重化ＰＷＭ控制技术构成、目前已商品化的高压变频器。可用于中、高压交流电动机的直接变频调速。

简介：介绍了西门子采用三电平高压IGBT开发的中压变频器SIMOVERTMV，有源前端技术及应用。

简介：分析、评述了IGBT器件特性,介绍了该器件的各种驱动电路,并设计改进了一种较高效、安全的驱动电路。

简介：TheprincipleofZVS-PWMinvertingcircuitisfirstdescribedbymeansofinvertingweldersupply.ThecontrastivestudyismadeonswitchingcharacteristicsandswitchinglossesofIGBTbetweenZVS-PWMandhard-switching.

简介：本文分三个专题，介绍了IEEE第15届国际功率半导体器件和集成电路研讨会(SPSD’03)上有关IGBT的第二部分文章，供专业人士参考。

简介：介绍了大功率IGBT模块的新概念，以及为实现小型化和高可靠系统时大功率应用的栅驱动技术。采用新型模块，可使体积和重量大约减小50％。使用通常的栅驱动方法驱动新型模块，也能简化设计并得到大功率电子系统。IGBT芯片的正面采用了沟槽栅结构，背面采用了电场截止层结构。未选择栅沟槽的FSIGBT芯片，其电流的不均衡率是10％或更小。采用通常的栅驱动单元有可能均衡与栅驱动单元并联的IGBT的开关波形。这些技术将使大容量的应用变得容易。

简介：本文介绍IGBT和快开关二极管的最新发展。文中将讨论"沟槽-电场截止型"IGBT可重复短路行为的详细研究。该新型电场截止型IGBT已经被开发得几乎同MOS场效应管的关断行为完全类似(几乎没有拖尾现象)。受这种新型IGBT技术的驱动,就会在续流二极管上施加更大的应力。本文详细示出被一个超快开关的IGBT关断的二极管的开关特性和电应力。还包括基于换流期间的内部过程而对这种应用提出的要求。

简介：<正>据《今日电子》2003年4期报道,InternationalRecitifer公司推出新型WARP2600V/50A,35A和20A不穿通(NPT)的IGBT,改善了大电流开关电源(SMPS)的关断性能。WARP2IGBT和HEXFRED二极管共同封在一起,采用IR的薄硅晶片技术制造,能保证少数载流子的耗尽时间更短,从而加快关断,可以忽略关断尾巴电流,关断开关损耗

简介：介绍IGBT直流斩波器在工矿电机车上的应用，阐述了IGBT直流斩波器电气传动工作原理，系统结构及主要电路及技术特点。提出了今后的发展建议及对老车进行电气传动系统技术更新的好处。

简介：由于导通及开关损耗小以及易于使用等优点，IGBT在电力电子系统中得到越来越广泛的应用。在设计电路之前，需要精确的器件模型及模型参数对电路进行仿真。本文提出一种基于实验测量、仿真及优化算法的IGBT模型参数辨识方法。以BUP302为例，给出了静态参数及动态参数的结果。在参数辨识的基础上，文中还提出了模型参数有效性验证的方法，最后给出了有效性验证结果。

简介：Epcos公司进一步拓展了用于IGBT的系列缓冲电容器产品。日前该系列产品的电压范围已扩展到850到2000VDC，而电容值范围也扩展到47nF到2．5μF。

简介：文中介绍了UPS的分类和作用．叙述了IGBT整流技术的应用．并对UPS的电磁兼容性及其电磁于扰抑制进行了阐述。

简介：IGBT是一种新型的功率器件，经过几代重大技术改革，已成为功率器件家族中应用最广泛的成员之一，除了巩固1000V-2000V领域的成功应用继续向更大功率的方向发展外，还在开拓300V-600V范围的应用。本文从研发和生产的角度，阐述IGBT在器件结构优化、工艺制造、器件封装、可靠性方面的最新进展、存在的问题和可能的解决途径。

简介：Powerex公司的新型高压IC（HVIC）利用其BiCMOS结隔离设计，为驱动马达驱动、镇流器、电源和等离子显示器等设备的MOSFET和IGBT提供600V和1，200V的电平平移和浮点逻辑电路。

简介：分析了EXB841的工作原理,对EXB841应用问题进行了探讨.结果表明:降低过流保护阀值能够对IGBT实施可靠保护,能够延长IGBT的使用寿命;在EXB841的9脚、1脚和2脚外接稳压管和电阻后,可以提高足够大的反向栅压,提高了IGBT的可靠性.

简介：SEMiX13是六管封装IGBT模块，它和SEMiX3标准IGBT半桥模块具有相同的设计原理，该原理已经得到良好的验证。SEMiX13具备和SEMiX产品平台良好的向下兼容性。

简介：测量IGBT逆变器的输出电流需要电流传感器。按输出功率的不同，目前已有一些熟知的测量方案。在逆变器的印刷电路板(PCB)上放置取样电阻，因系统成本低，电流测量精确而被广泛采用，但运行中取样电阻的功耗限制了这种方法的使用，因而对于较大的功率必须采用其他方法。现在有一种技术，即把电流取样电阻放置到IGBT模块的基板上，使其尽可能地靠近散热器，这种技术可以用于最高达35kW等级的电流测量，但实际上在更大功率的测量时仍采用目前应用的电流传感器法。