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Progress of optically pumped GaSb based semiconductor disk laser

作者： Shili Shu;Guanyu Hou;Jian Feng;Lijie Wang;Sicong Tian;Cunzhu Tong;Lijun Wang
学科：电子电信 > 物理电子学
创建时间：2018-02-12
出处：《光电进展（英文）》 2018年第2期

简介：
标签：

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Molecular Beam Epitaxy of GaSb on GaAs Substrates with AlSb Buffer Layers

简介：
标签：分子束外延锑化镓砷化镓锑化铝缓冲层

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Reactive Ion Etching of GaAs, GaSb, InP and InAs in Cl2／Ar Plasma

作者： HONGTing ZHANGYong-gang LIUTian-dong
学科：电子电信 > 物理电子学
创建时间：2004-03-13
出处：《半导体光子学与技术：英文版》 2004年第3期

简介：ReactiveionetchingcharacteristicsofGaAs,GaSb,InPandInAsusingCl2/Arplasmahavebeeninvestigated,itisthat,etchingratesandetchingprofilesasfunctionsofetchingtime,gasflowratioandRFpower.Etchratesofabove0.45μm/rinand1.2μm/rinhavebeenobtainedinetchingofGaAsandGaSbrespectively,whileveryslowetchrates(＜40nm/rin)wereobservedinetchingofIn-containingmaterials,whichwerelinearlyincreasedwiththeappliedRFpower.EtchedsurfaceshaveremainedsmoothoverawiderangeofplasmaconditionsintheetchingofGaAs,InPandInAs,however,werepartlyblackenedinetchingofGaSbduetoaroughappearance.
标签：反应离子蚀刻 GAAS GASB INP INAS 等离子体

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