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一种基于GaAs材料霍尔器件的闭环电流传感器设计

作者：毕佳宇，苏琳惠，宋尔冬，刘兴宇，王辉，孙立凯
学科：
创建时间：2022-05-17
出处：《中国科技信息》 2022年第3期
机构：（中国电子科技集团公司第四十九研究所，黑龙江，哈尔滨，150001）

简介：摘要：研究利用GaAs材料的霍尔器件设计闭环电流传感器，通过改善霍尔器件与聚磁环磁芯配合问题，提高有效磁感应利用率，改善磁通密度，并对闭环反馈电路进行调零优化、功率放大设计，提高传感器性能指标，通过测试及实验验证，以GaAs材料霍尔器件为基础的电流传感器能够实现闭环式高精度电流测量，达到线性度0.1%、精度0.5%的性能。
标签：砷化镓霍尔器件闭环电流传感器

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GaAs基980nm高功率半导体激光器的研究进展

作者：高鹏1 高佳1 陈艳玲2
学科：
创建时间：2022-12-08
出处：《中国电业与能源》 2022年第14期
机构：1.天津三安光电有限公司天津市 300384 2.泰山学院泰安市 271000

简介：摘要：980 nm 波段半导体激光器因其优异的光学性质，被广泛应用于光纤放大器与其它固体激光器的泵浦源来使用，除此之外 980nm 半导体激光器在军事、医学、民用等领域均大放异彩，凭借其广泛的应用领域，受到科研工作者的广泛关注，其中提高器件输出功率一直是科研工作中的重要目标。为了进一步提高 980nm 半导体激光器的性能，使其在医疗、通信和工业等领域实现更加广泛的应用。本文介绍了高功率半导体激光器的芯片结构和封装结构设计，重点阐述了影响高功率 GaAs 基量子阱激光器光电性能、散热和实际应用。
标签： GaAs 基高功率 980 nm 半导体激光器

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