简介：

简介：由于PDs0I工艺平台的特殊性，P阱浓度呈现表面低、靠近埋氧高的梯度掺杂。常规体硅的高压N管结构是整个有源区在P阱里的，需要用高能量和大剂量的P注入工艺将漂移区的P阱反型掺杂，这在工艺上是不容易实现的。文章针对常规高压NMOS器件做了仿真，发现漂移区必须采用能量高达180KeV、剂量6×10^13以上的P注入才能将P阱反型，形成高压NMOS器件，这在工艺实现上不太容易。而采用漂移区在N阱里的新结构，可以避免将P阱上漂移区反型的注入工艺，在工艺上容易实现。通过工艺流片验证，器件特性良好。

简介：通过对高压SOINMOS器件进行总剂量辐照试验发现,辐照后器件埋氧化层中引入了大量的氧化层陷阱电荷,使得器件背栅发生反型,在较高漏极工作电压下,漏极耗尽区与反型界面相连,使得源漏发生穿通,导致器件漏电。通过原理分析提出了增加顶层硅膜厚度的优化措施,证明在顶层硅膜较薄的情况下,SOINMOS器件容易发生总剂量辐照后背栅漏电,厚顶层硅器件特性受背栅辐照效应的影响则显著降低直至消失。

简介：摘要：功率集成电路是集成电路一个重要的支系，作为系统控制要素弱电与执行要素强电的纽带，在电子技术、智能控制、电器通信、车用电子等方面起着极其重要的作用。功率集成电路中的高压器件因为高压电流的性能需求始终是研究开发功率集成电路中的核心与难点，并直接关系到功率集成电路的发展。基于此，本文首先对功率集成电路高压器件进行了简单的介绍，并就功率集成电路中高压器件的设计展开了论述，最后对功率集成电路的未来发展趋势进行了分析。

简介：摘 要：本文分析了引起传统工艺制造的 VDMOS阈值偏高的因素：体区浓度和栅氧厚度，提出了工艺窗口筛选的方案，实验结果表明该方案在器件的击穿电压、通态电阻以及源漏间漏电流不发生改变的同时，实现了阈值电压的调整，达到了 3.45V的设计要求。同时研究了 Pbody不同注入剂量 5.5E13、 5.3E13、 5.0E13和 4.8E13对高压小电流 VDMOS产品阈值电压的影响。

简介：

简介：DC-DC隔离模块电源；模拟信号隔离放大器；

简介：摘要发送端和接收端各自设置一个线圈，外界的交变电源为发送端提供电流和电压，使其能够产生电磁信号，此电磁信号经由发送端与接收端的线圈耦合，实现电能由发送端到接收端的无线传输，接收端收到电磁信号后，产生交变的电流，通过在接收端设计整流和滤波电路改善电能质量并向外界提供电能，实现电能供给.

简介：摘要ESD保护在高压工作中起着至关重要的作用，但大部分ESD器件本身由于内壁结构的不合理存在着很高的潜在风险，一旦产品出现问题很难保证高压工艺的安全性。而高电压工作又不能使用可控硅整流器件（SCR）进行保护，所以只能通过优化ESD器件，来保证高压工作的安全进行。文章通过实验和检测的方式，研究了LDMOS器件释放电流的过程，同时对器件发生的二次触发现象进行深入研究，对比各项数据的结果，给出了LDMOS器件内在内部结构上有哪些改进，结合计算机仿真技术、传输线脉冲测试，并对通过ESD工作过程中的失效分析等多方面，大幅提升了器件承受电流的能力，而且进一步给出了ESD整体性能的优化方向。

简介：本文阐述了耐高压大功率电力半导体器件的种类,主要介绍了最新的HVIGBT、HVIPM、GCT器件的基本结构、基本原理、基本性能和耐高压、大功率电力电子器件的应用范畴。

简介：TN2532003021143光纤电压传感器最新进展=Recentadvancesinfiber-opticvoltagesensors[刊,中]/唐丽杰（北方交通大学光波技术研究所.北京（100044））,吴重庆…//半导体光电.—2002,23（4）.—228-232综述了光纤电压传感器近年来国内外的最新研究进展,包括可用于SF6绝缘高压开关的光纤电压传感器、频率调制型的光纤电压传感器以及光控灵敏度的光纤电压传感器。介绍了国内在光纤电压传感器方面的研究进展,包括以DSP为信号处理芯片的BGO晶体的光纤电压传感器,以及应用光纤传感器机理来测试脉冲电压和电场的方法,并对光纤电压互感器暂态信号处理的原理进行了研究,试验证明可以满足继电保护的要求。图10参

简介：TN2532002042765光纤喇曼放大技术及其应用=FiberRamanamplifiertechnologyanditsapplication[刊,中]/赵玲(信息产业部电子第34所.广西,桂林(541004))∥光通信技术.—2001,25(4).—311-313概述了光纤喇曼放大器的发展情况、分布式喇曼放大器的原理和特性,阐述了掺铒光纤放大器与喇曼放大

简介：答：无源器件如：电阻电容，电感等，它们接入电路无需配置电源供电，即可以进行信号的传输变换及其他功能。而有源器件，如晶体管、集成电路(IC)等需配置相应的电源供电，方可正常有效的工作。如：三极管的基极与集电极电源，IC电路的电源供电等。没有电源供电，仅是一个孤立的晶体管或集成电路是根本不能工作的。

简介：摘要：本论文研究高压直流输电系统中电力电子器件的损耗与热管理问题。通过深入分析电力电子器件的工作原理和传热机制，揭示其在高压直流输电系统中的关键影响因素。通过对电力电子器件的损耗机制进行研究，提出优化策略以降低损耗。同时，通过热管理技术的应用，提高系统的热稳定性，确保电力电子器件的安全运行。该研究对高压直流输电系统的稳定性和可靠性提供了理论支持。

简介：战略分析指出，手机市场仍然是GaAs器件工业的主要驱动力，2003年北美的公司是其主导者。

简介：<正>英国阿斯科特的ElementSix公司与德国乌尔姆大学合作,采用化学汽相淀积制备的合成单晶金刚石制造出前期性微波器件(MESFET)。金刚石所固有的理论性能并结合最新推出的这种器件意味着,金刚石可占

简介：1、故障部件：高压二极管击穿，故障现象：高压保险丝熔断或高压双向二极管击穿，有“嗡嗡”的异响，高压变压器次级线圈电流>400mA，高压变压器初级线圈电流约3A，不加热主回路保险丝熔断

简介：摘要：伴随电子信息技术的飞速发展，电子元器件的设计、制造水平对现代化电子设备的进步具有重要意义，同时也对电子元器件检测等工作具有更多需求。以目前我国社会经济发展状况为基础，通过近几年来人们对于电子设备提出的各种需求，明晰了电子元器件应用的重要性。所以，应看清电子元器件的未来发展趋势，大力提高检测的水平，以促进我国电子设备的高速发展。

简介：TK513.12004053748相交圆聚光器的计算机优选设计=Optimizeddesignonintersectingcirclepumpedcavities[刊,中]/张国顺(天津大学精密仪器与光电子工程学院,光电信息技术科学教育部重点实验室。天津(300072)),许宝忠…∥光电子·

简介：TN2132005042956恒定辐照下一维HgCdTe环孔PN结光生载流子浓度的计算=Calculationofphotocarrierconcentrationofa1-DloopholeHgCdTePNjunctionundersteady-stateincidence[刊,中]／王忆锋(昆明物理研究所,云南,昆明(650223)),蔡毅／／红外技术,-2004,26(6),-41-44,47通过求解一维HgCdTe环孔PN结连续性方程,得到了恒定辐照下光生载流子浓度的一般表达式,并对结果进行了分析讨论。图1参9(严寒)