TN2132005042956恒定辐照下一维HgCdTe环孔PN结光生载流子浓度的计算=Calculationofphotocarrierconcentrationofa1-DloopholeHgCdTePNjunctionundersteady-stateincidence[刊,中]／王忆锋(昆明物理研究所,云南,昆明(650223)),蔡毅／／红外技术,-2004,26(6),-41-44,47通过求解一维HgCdTe环孔PN结连续性方程,得到了恒定辐照下光生载流子浓度的一般表达式,并对结果进行了分析讨论。图1参9(严寒)
中国光学
2005年4期
