简介：【摘要】在电镀园区，含铜电镀浓液成分复杂，对环境的危害巨大，也严重影响废水厂处理负荷，本文采用萃取+电积工艺实现铜金属的回收，并得到99.5%以上的阴极铜产品。

简介：摘要:研究和优化了电镀矿渣的样品采集和制备以及电镀矿渣中铜、镍和锌的检测方法。电镀企业一般需要选择大量的重金属作为原料。在电镀过程中，一些重金属进入废水，经过废水处理工序进入污泥，形成电镀污泥。电镀污泥一般含有铜、镍等重金属。如果处理不当，会给土壤和水系带来严重污染，严重影响人们的生产和生活。因此，电镀矿渣中镍和其他重金属的定量和有效监测对于防止和控制重金属污染，并将变废为宝，回收重金属资源是非常重要的。

简介：前言目前线路板的孔金属化制作中,有种方式黑孔化直接电镀。黑孔直接电镀它是将精细的石墨和碳黑粉浸涂在孔壁上形成导电层,然后直接电镀。首先将精细的石墨和碳黑粉均匀的分散在介质内即去离子水中,利用溶液内的表面活性剂使溶液中均匀分布的石墨和碳黑颗粒保持稳定,同时具有良好的润湿性能,使石墨和碳黑能充分被吸附在非导体的孔壁表面上,形成均匀细致的、结合牢固的导电层。

简介：目前，铜互连技术已成为超大规模集成电路的主流互连技术，铜的填充主要采用Damascene工艺进行电镀。有机添加剂一般包括加速剂、抑制剂和平坦剂，它们在电镀液中含量虽然很少，但对于铜电镀的过程非常关键。以Enthone公司的ViaForm系列添加剂为例，研究了每种类型添加剂对脉冲铜镀层性能的影响。

简介：提出无Cu/Ni/Cr的Zn-Fe/Sn-Co-Zn/Cr3+钝化的合金组合镀层的装饰电镀新工艺,新工艺的研究应用是将清洁生产落到实处的体现。

简介：电镀废水含有大量的重金属离子和有机物，成分复杂，且水量和浓度波动较大，处理难度较大。印制电路板生产过程中显影废水络合废水Cu^2＋浓度相对较高，水量小，且通过普通加碱沉淀的方法无法有效去除，而其他废水的Cu^2＋浓度较低，水量大。因此，将废水分类收集，分别处理。一类高浓度废液，为显影废水和络合废水，首先通过破络剂破络的方式进行破络预处理，并采用线性调节PH值，使PH控制将更加平稳，经破络预处理后的废水再经中和沉淀处理后排放。另一类为漂洗废水，污染物浓度较低，直接进入中和沉淀系统处理。酸化产生的浮渣与沉淀池污泥分别处理，经压滤脱水后，泥饼外运填埋。通过破络预处理一中和沉淀工艺处理含铜废水，能有效去除含铜物质和有机物，达到出水要求Cu^2＋〈2mg／1，COD〈500mg／L。

简介：摘要本文主要针对含氰含铜电镀废水的处理展开了探讨，对设计水质、水量及排放标准作了说明，详细阐述了处理的工艺，并对污水处理的运行作了系统的分析，以期能为有关方面的需要提供有益的参考和借鉴。

简介：摘要 电镀含铜废水为线路板厂最主要的工业废水，目前国内最普遍的处理方法为化学沉淀法，而在化学沉淀法中，最常见的还是铁氧体法，即在原水中加入一定量的亚铁离子，然后加碱调节pH至9.0-10.0，即可形成棕褐色沉淀，然后再投加相应的絮凝剂加快悬浮物的沉淀，用这种方法，铜去除率可达到99%以上，出水水质能稳定达标。

简介：铜金属的无电电镀制成的阻挡层沉积能给人们带来很多好处。在其中，有对双向导电的选择性，有再沉积一种无定形合金的可能性，有通过加入一种第三组份而使二元合金的性质增强化的好处，有高可靠性和低成本费用。在集成电路的结构中在铜和钴的面上，在碱性溶液中常沉积一层富钴的钴——钨——磷三元合金。合金中磷的成分较高(以重量计约11％)，低的第三组份钨(约以重量计占2％)。

简介：摘要：当前N型电池成为行业共识，在N型电池快速叠代的背景下，太阳能电池片的生产成本问题亟需要解决，其中HJT电池的生产成本问题尤甚，而银浆的消耗量大，生产成本占据太阳能电池片生产成本第二位，这样就亟需解决太阳能电池片生产过程中银的消耗问题，本文将重点探讨和分析基于铜电镀的金属化技术，旨在全面了解该技术的基本原理以及关键的工艺参数和相关自动化设备，为自动化设备开发提供技术方向。

简介：采用次氯酸钠络合解离—碱性沉淀法对含柠檬酸络合铜离子废水进行处理,考察了pH、次氯酸钠用量、以及反应时间对该方法处理络合铜离子废水结果的影响。结果表明,在体系pH=13,次氯酸钠溶液用量达到4%,反应时间120min的条件下废水中的铜离子可下降到0.2mg.L-1左右,低于国家工业废水排放标准。

简介：本文介绍了以镍钴锰三元合金代替镍钴二元合金制作电镀扩孔器的过程及工艺改进的关键点、镍钴锰三元合金镀层与镍钴二元合金镀层性能的比较及工艺改进后产品的使用效果。

简介：

简介：

简介：

简介：SY509-3-127[篇名]Characterizationofspontaneouslyformedcerium-basedconversioncoatingsonaluminum；SY509-3-128[篇名]Effectof2.2-dipyridineonborate-bufferedelectrolesscopperdeposition……

简介：摘要：碳化硅（SiC）作为第三代宽禁带半导体材料，具有良好的热导性、宽带隙、大击穿电场等优良特性，被广泛应用于高温、高频、大功率等电子器件上。但是由于碳化硅具有很高的硬度和化学稳定性，Si-C键合能较大导致湿法刻蚀无法达到要求，因此针对深孔或高台阶刻蚀多采用感应耦合等离子体（ICP）对SiC进行刻蚀，目前研究人员系统研究了ICP刻蚀条件、气体组成等各种工艺条件对SiC刻蚀的影响；其中镍作为刻蚀掩膜层被广泛应用在刻蚀SiC中，因此镍的耐刻蚀性很重要，在一定程度上决定了刻蚀过程中的SiC/Ni的选择比（SiC刻蚀量与Ni刻蚀量的比值），在同等刻蚀条件下，镍消耗少，SiC/Ni的选择比就高，则所需镍层就薄，从而减少了工艺时间，提高了工艺效率。

简介：说芯片与电镀有关,这是真的吗？是的,是真的。一直以来,由于电镀业属于有污染物排放的行业,其发展受到诸多限制,不要说发展,电镀产业的生存都是个问题。以至于有人将电镀行业归为＂夕阳工业＂,认为是要被淘汰的产业。这种误解源于缺乏对电镀技术的了解。

简介：

简介：当二氧化硫脲用量是还原Cu^2＋为Cu与还原Cr^5＋为Cr^3＋理论值总和的两倍时，使用二氧化硫脲在石灰饱和溶液（pH≈12．8）、沸腾条件下处理铜铬电镀废水，废水中Cu^2＋从31mg／L降为0．4mg／L，Cr^5＋从23mg／L降为0．017mg／L，总铬量由35mg／L降为5．3mg／L，经分析沉淀物为Cu（黑色）、Cu2O、Cr（OH）3趁热过滤后，往滤液中加入FeSO4·7H2O，调节pH至中性，鼓入空气，冷却至得到黑色铁氧体沉淀．经处理后残铜量为0．2mg／L，总铬量为0．035mg／L，PO4^3-由5mg／L降为1mg／L．各项指标优于工业排放标准．