简介：首先分析了配置SRAM在SRAM型FPGA中的作用,介绍了配置SRAM的单元结构及在设计中的要点。设计实现了一种基于65nm工艺的SRAM结构,并针对读写能力、功耗、噪声给出相应的仿真结果。此电路结构具有低功耗、抗噪声能力强的优点,已被应用于FPGA设计中并流片成功。

简介：静态随机存储器（StaticRandomAccessMemory，SRAM）的功能测试用来检测该集成电路（IC）是否有功能缺陷，而目前大部分测试程序都只是集中在如何提高IC测试覆盖度，却很少能够做到检测IC是否有缺陷的同时分析这些缺陷的物理失效机理。本文介绍了一种利用不同测试算法组合测试的方法，在检测IC是否有缺陷同时，还能进行失效故障模型的分析，进一步利用该故障模型可以推测出具体的物理失效机理。该方法能显著提高测试中电性失效分析（EFA）的能力，进而提高了物理失效分析和IC制程信息反馈的效率和能力。

简介：随着航空航天事业的发展,器件的抗辐照性能变得越来越重要,因此对抗辐照指标的应用测试已显得至关重要。基于FPGA和NI工控机,设计四通道数据采集测试系统,用于监测FIFOSRAM单粒子实验中发生的单粒子翻转（SEU）和单粒子闩锁（SEL）效应。采样率可达50MHz,对器件的读写频率达10MByte/s。该系统可实现对FIFOSRAM单粒子试验过程的远程测控。在监测单粒子翻转的过程中,既监测存储器的SEU效应,又监测了读写指针的SEU效应,并经过实际的单粒子效应测试验证了本系统的可靠性。

简介：存储单元的加固是SRAM加固设计中的一个重要环节。经典DICE单元可以在静态情况下有效地抗单粒子翻转，但是动态情况下抗单粒子翻转能力较差。提出了分离位线的DICE结构，使存储单元在读写状态下具有一定的抗单粒子效应能力。同时，对外围电路中的锁存器采用双模冗余的方法，解决锁存器发生SEU的问题。该设计对SRAM进行了多方位的加固，具有很强的抗单粒子翻转能力。

简介：摘 要：在控制器芯片设计中，SRAM作为不可缺少的一个IP，其设计的稳定性及对失效率的精准控制成为芯片设计的重中之重，在SRAM的设计及布线时的不规范，导致SRAM失效率居高不下。本文基于项目实践通过对SRAM在低温-25摄氏度下，SRAM高失效率问题进行分析和研究，明确了在IP设计以及布线时线间距走向对失效率的作用，通过调节芯片设计及布线方式，使SRAM失效率基本降为0，问题得到有效解决。

简介：摘 要：在控制器芯片设计中，SRAM作为不可缺少的一个IP，其设计的稳定性及对失效率的精准控制成为芯片设计的重中之重，在SRAM的设计及布线时的不规范，导致SRAM失效率居高不下。本文基于项目实践通过对SRAM在低温-25摄氏度下，SRAM高失效率问题进行分析和研究，明确了在IP设计以及布线时线间距走向对失效率的作用，通过调节芯片设计及布线方式，使SRAM失效率基本降为0，问题得到有效解决。

简介：随着集成电路设计规模的不断增大，在系统芯片SoC（SystemonaChip）中嵌入大量的SRAM存储器的设计方法变得越来越重要。文中介绍了SRAM的典型故障类型和几种常用的测试方法，同时详细分析了嵌入式SRAM存储器内建自测试的实现原理以及几种改进的March算法，另外，以16k×32bitSRAM为例，给出了SRAM内建自测试的一种典型实现，并在Altera—EPIS25上实现．

简介：半导体存储器一般由存储体、地址译码驱动器、读／写放大器和控制电路组成，是一种能存储大量信息的器件，它是由许多存储单元组成的。半导体存储器的测试有功能测试、直流参数测试、交流参数测试，而功能测试和交流参数测试对存储器来说是至关重要的。SRAM（静态随机存储器）的功能测试是通过算法图形发生器产生不同的测试图形，对被测器件各个不同存储单位进行读写操作，以检查其功能。主要讲述了SRAM交流参数测试原理及其测试关键技术，介绍了SRAM交流参数测试的故障模型。通过研究SRAM交流参数测试图形向量，给出了SRAM交流参数测试图形向量的优化方法。

简介：SRAM作为常用的存储器，在速度和功耗方面有一定的优势，但其较大的面积是影响成本的主要原因。文章设计了一种256×8位动态功能重构的SRAM模块，在完成基本SRAM存储功能的前提下，通过设置重构标志信号tag及附加的控制逻辑信号，复用基本SRAM模块存储资源，使系统完成FIFO的顺序存储功能。整个设计一方面拓展了基本存储体的功能，另一方面，FPGA验证结果显示：实施重构方案后同一块FPGA器件的硬件资源利用率明显提高了。最后，采用插入门控时钟的低功耗优化方案进行了DC综合，结果显示动态功耗降低了59．6％。经过“重构”的方式后，只增加了少量电路便可以实现动态数字电路的基本功能，一方面完成了功能上的拓展，另一方面提高了存储模块硬件资源的利用率，使SRAM具有了更高的性价比。

简介：通过配置实时数据和函数到片内SRAM中执行,可以有效提高程序执行效率,降低功耗。然而在嵌入式Linux系统下,由于禁止用户空间程序控制或访问处理器内存的映射和分配方式,这一资源通常得不到有效利用。本文以MP3解码器为例,在μClinux-2.6操作系统下通过使用片内SRAM提高代码执行效率,并最终在Freescale公司的ColdFire5329嵌入式平台上成功验证了该方案。

简介：Inordertodeepentheunderstandingofthedifferencebetween0!1and1!0sinleeventupset(SEU)cross-sectioninanovelactivedelayelement(ADE)SRAM(StaticRandomAccessMemory)cell,theirradiationwascarriedoutatHeavyIonResearchFacilityinLanzhou(HIRFL).Usingthe86Kr26+ionsirradiatedthedeviceundertest(DUT)adoptedpartiallydepleted(PD)siliconofinsulator(SOI)technology.ThefeaturesizeofDUTfabricatedbyinstituteofmicroelectronic(IME)was180nm.TheschematicdiagramofSEUhardenADE-SRAMcellisshowninFig.1.TheADEisessentiallyaNMOSconnectedinonlyoneofthefeedbackpathsbetweenthetwoinventorsofthememorycell.Itplaysaroleasswitchingtransistor.Exceptduringawriteoperation,whentheswitchtransistoristurnedon(soasnottocompromisethewritespeed),theoff-ADEprovidesamuchgreaterRCdelaybetweenthetwoinventorsofthememorycelltoachievemuchimprovedSEUhardness[1].

简介：静态存储器（SRAM）功耗是整个芯片功耗的重要组成部分,并且大规模SRAM的仿真在芯片设计中也相当费时。提出了一种基于40nmCMOS工艺、适用于FPGA芯片的SRAM单元结构,并为该结构设计了外围读写控制电路。仿真结果表明,该结构的SRAM单元在保证正确的读写操作下,静态漏电电流远远小于同工艺下普通阈值CMOS管构造的SRAM单元。同时,为了FPGA芯片设计时大规模SRAM功能仿真的需要,为SRAM单元等编写了verilog语言描述的行为级模型,完成了整个设计的功能验证。

简介：文章首先分析了静态随机存储器（SRAM）6T存储单元结构的基本工作原理，总结了6T存储单元的优缺点并介绍了存储单元的重要参数静态噪声容限（SNM）。在此基础上给出了一种基于实际深亚微米CMOS工艺的存储单元的设计方法，该方法的优势在于首先考虑单个读、写操作的限制，然后将多个限制因素综合在一起考虑，并通过三维曲线图形为仿真提供指导，以提高设计效率，缩短设计周期。最后给出了存储单元的晶体管参数并采用Hspice进行验证，仿真结果表明，采用这种方法设计出来的单元是稳定可靠的。

简介：建立了单粒子多位翻转的测试方法和数据处理方法,在此基础上开展了体硅90nmSRAM重离子单粒子多位翻转的实验研究。通过分析单粒子多位翻转百分比、均值、尺寸等参数随线性能量转移（linearenergytransfer,LET）的变化关系,表明了纳米尺度下器件单粒子多位翻转的严重性,指出了单粒子多位翻转对现有重离子单粒子效应实验方法和预估方法带来的影响。构建了包含多个存储单元的全三维器件模型,数值模拟研究了不同阱接触布放位置对单粒子多位翻转电荷收集的影响机制,表明阱电势扰动触发多单元双极放大机制是导致单粒子多位翻转的主要因素,减小阱接触与存储单元之间的距离是降低单粒子多位翻转的有效方法。

简介：在分析SRAM型FPGA单元电路及芯片辐照效应实验数据的基础上,借助计算机仿真模拟,研究了大规模集成电路抗辐射性能的敏感性预测技术。采用分层仿真和评价的方法,先由上而下,根据器件参数要求分配性能指标,再依据实验数据,借助数值模拟,由下而上检验性能阈值、裕量及其不确定度,最终给出整个FPGA的可信度值,确定了敏感单元电路,并且通过X射线微束总剂量实验对结果进行验证。建立的电路级数值模拟方法为累积电离总剂量效应敏感性预测研究,提供了技术支撑。

简介：自从上期大天使发出肖像征稿声明后，应者云集．来自各地的朋友纷纷通过email或者在杂志论坛中回帖的方式给出自己推荐的方案．回响主热烈．真是意料之外．大天使也很是感动．由于方案太多。暂时这期不能抉择出最后结果。大家不纺到论坛去发表一下对众多方案的看法．给自己喜欢的形

简介：八月．从市场走势来看并不怎么令人振奋．由于正值销售旺季的关系．零配件价格相对坚挺．除受缺货及厂家影响个别产品涨跌较大之外．整体上仍然呈缓步下调的走势。

简介：市场追踪12月，圣诞节临近，许多游戏大作都赶在此前亮相，各大芯片巨头也拿出了不少新产品。就零售市场的走势来看，处理器价格进一步下调，市场上刮起功耗风，内存模组的降价势头依旧不减，但降价空间已经微乎其徼。

简介：

简介：CPU近期AMD的产品价格下降的幅度很大，尤其是在K8平台．自从E3核心的Socket939Athlon643000+上市以来价格已经下跌了两百多元，目前1250元的价格非常具有吸引力。而在Intel方面，虽然没有官方清仓的消息，但是在近期已经开始发售支持64位计算的P4，而且售价不变．这其实是一种变相的降价，对于消费者来说都是利好的消息。Socket462接口的AthlonXP和Sempron目前都已经停产。