简介：为了明确团聚现象及表面性质对ZnS纳米材料发光性质的影响，采用SiO2对ZnS材料进行了表面修饰，并对ZnS及ZnS／SiO2复合材料的光学性质进行对比研究。采用吸收光谱分析了包覆前后光吸收性质的差异，发现SiO2包覆后ZnS纳米材料的带边由333nm红移至360nm。为了研究ZnS纳米材料与ZnS／SiO2纳米复合材料的光发射性质，分别对含纳米材料的水溶液样品及粉末样品的发光光谱进行了采集。对比研究的结果表明，SiO2包覆后ZnS纳米材料在蓝紫光区的发光得到了明显增强。以氙灯作为激发光源所获得荧光光谱显示ZnS／SiO2粉末样品发光的积分强度增大为原来的17．5倍，但相同条件下针对溶液样品的测试结果显示其发光强度只增大了1．1倍，这种增强可用SiO2的存在抑制了ZnS纳米粒子间的团聚来解释，且这一推断由325nm紫外激光激发下获得的光致发光数据进行了验证。

简介：Inthiswork,MoOxpromotedIr/SiO2catalystswerepreparedandusedfortheselectivehydrogenolysisoftetrahydrofurfurylalcohol(THFA)to1,5-pentanediolinacontinuousflowreactor.Theeffectsofdifferentnoblemetals(Ir,Pt,Pd,Ru,Rh),supportsandIrcontentswerescreened.Amongtheinvestigatedcatalysts,4wt%Ir-MoOx/SiO2withaMo/Iratomicratioof0.13exhibitedthebestcatalyticperformance.ThesynergybetweenIrparticlesandthepartiallyreducedisolatedMoOxspeciesattachedonthemisessentialfortheexcellentcatalyticperformanceofIr-MoOx/SiO2.ThecatalystexhibitedabetterhydrogenolysisefficiencyofTHFAwiththeselectivityof1,5-pentanediolof65%–74%ataconversionofTHFAof70%–75%whentheinitialTHFAconcentrationisrangingfrom20wt%and40wt%.AndhighersystempressurewasalsoinfavoroftheconversionofTHFA.Duringastabilitytest,theconversionofTHFAand1,5-pentanediolyieldoverIr-MoOx/SiO2decreasedwithreactiontime,whichcanbeexplainedbytheleachingofMospeciesduringthereaction.

简介：本文采用溶胶-凝胶法，获得了铁掺杂的纳米TiO2样品，XRD和透射电镜测量表明在600℃以下焙烧时为锐钛矿，颗粒度在10nm以下，样品在1000℃下焙烧时，转变为金红石相，颖粒度增大。EXAPS和穆谱表明，铁的确掺杂到TiO2晶格内，表现为3价。铁的掺杂改变了纯的TiO2的性质，对于锐铁矿相的掺铁纳米TiO2，其紫外-可见反射光谱给出在481nm处出观了新的吸收峰，；对于以金红石相为主的掺铁纳米TiO2，其紫外-可见反射光谱在512nm处出现了新的吸收峰。

简介：用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）方法，在接近常压状态下，在氩气（Ar）和氢气（H2）的气氛中，以硅烷为源气体，在沉积区域加载脉冲负偏压对沉积过程进行调节，在基片上沉积得到具有荧光特性的含有Si纳米晶颗粒的SiOx薄膜，并在原气氛（Ar＋H2）中进行退火处理，SEM、TEM、FTIR、PL显示，退火后薄膜的网格结构被破坏，颗粒性更加明显，化学成分中Si—H减少，Si-O-Si增加，同时有少量si纳米晶粒析出，退火后的薄膜发光峰出现大幅蓝移，发光基团趋于单一，这与Si纳米晶粒的出现相对应。

简介：等离子喷涂液相合成法是一项生产纳米材料的新技术，这项新技术利用工业上的等离子体喷涂系统在大气环境中生产纳米粉末，用简单的平行电极静电收集器可进行粉末的收集。研究表明利用等离子体的高温、高温度梯度的特性，可使钛酸丁酯发生裂解而制得纳米TiO2粉末。等离子喷涂合成法是一个简单的工艺过程，

简介：用离子束技术探讨了Si表面纳米Ti薄膜制备的可行性以及Ti薄膜组织结构与离子束工艺之间的关系。实验进行试样表面预处理、轰击离子能量、离子密度、温度、沉积时间等离子束工艺参数对单晶Si(111)表面沉积的Ti薄膜结构的影响。采用原子力显微镜(AFM)和扫描电子显微镜(SEM)分析了Ti膜表面晶粒形貌，并用X射线衍射仪(XRD)和俄歇电子谱仪(AES)分析了Ti膜的结构和成分。由于残余气体的影响，Ti膜发生了不同程度的氧化，随温度升高和轰击离子强度增加氧化愈加明显。

简介：设计了一种阵列波导光栅解调集成系统中的8通道Si纳米线阵列波导光栅波分复用器。根据材料的折射率设计了单模波导截面尺寸,利用光束传播法对所设计阵列波导光栅进行了模拟。结果表明,器件尺寸为200μm×219μm,远小于目前技术较成熟的硅基SiO2的尺寸,光功率分布符合高斯分布,信道间隔为1.8nm,串扰小于-21dB。对小尺寸AWG的设计具有参考意义。

简介：目的：研究十余种室内典型空气污染物的光催化净化新方法，为下一步研制空气净化装置奠定实验基础。方法：将纳米级TiO2复合某种金属氧化物制成光催化剂，在紫外灯光照下，测定污染物的消除率。结果：组方为90%TiO2+10%金属氧化物的光催化刑对有害气体净化效果最佳，对H2S净化率在97%以上，对SO2净化率99%以上，对NO2、NH3能够全部消除，对CS2平均净化率为81．3%，对苯平均消除率仅为8．8%，对甲苯仅为18．8%，对二甲苯仅为41．6%。结论：研制的光催化剂，可有效消除S02、H2S、NO2、NH3、CS2等有害气体。但对苯系物及C0、CO2等催化效率较低或没有效果，如何提高光催化剂对这些化合物的净化效率是今后研究工作的重点。

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简介：用滚镀的方法在金刚石表面镀Ni层和纳米Si3N4/Ni复合镀层,用扫描电子显微镜观察金刚石镀前和镀后的表面形貌,用DKY-1型单颗粒抗压强度测定仪测量金刚石单颗粒的抗压强度。用热压烧结的方法得到铁基结合剂金刚石节块,在INSTRON-5569型万能材料试验机上测量节块的抗弯强度,在NMW-1立式万能摩擦磨损试验机上测试节块的耐磨性。结果表明：在金刚石表面镀Ni层和纳米Si3N4/Ni复合镀层后,表面镀层均匀,纳米Si3N4/Ni复合镀层比纯Ni层更致密,更平滑,晶粒更细小;纳米Si3N4/Ni复合镀层金刚石单颗粒有更高的抗压强度;纳米Si3N4/Ni复合镀层金刚石铁基结合剂节块有更高的抗弯强度和更优良的耐磨性。

简介：采用离子束辅助沉积法（IBAD）在单晶硅片上制备了Ti-Si-N纳米复合薄膜，研究了轰击能量大小对Ti—Si—N纳米复合薄膜生长及力学性能的影响，同时探讨了轰击能量对Ti—Si—N纳米复合薄膜的生长机理的影响。通过原子力显微镜（AFM）、纳米压人仪、光电子能谱（XPS）和X射线衍射分析（XRD）等现代分析技术，对Ti—Si—N纳米复合薄膜的晶粒大小、力学性能、成分与相结构进行综合表征分析。试验结果表明：当轰击能量为700eV时，Ti-Si-N薄膜晶粒直径达到了最小值11nm，此时Ti-Si-N薄膜的硬度相对最高，为33GPa。

简介：<正>“Privacy”istranslatedasyinsiinChinese.Traditionally,intheChinesemind,yinsiisassociatedwithsomethingthatisclosedorunfair.Ifsomeoneissaidtohaveyinsi,meddlers(好事者)willbeattractedtopry(打探)intohisorheraffairs.Sopeoplealwaysstatethattheydon’thaveyinsi.

简介：先讲一个笑话：一位数学家厌倦了书卷生活，于是加入了消防队训练。几个月后考核的时候，队长带他到一栋堆满易燃物的房子前问：“如果这里起火，你该怎么办？”数学家答道：“找到最近的消防栓，全力救火。”“很好，如果你看到这样一栋房子，但是没起火，你该做什么？”数学家想了想答道：“我会放火把它烧着，这样就化为一个已知的问题了。”

简介：TheinvestigationonopticalpropertiesofSi1-xGex/Sistrainedlayerstructureshasbeencarriedoutactivelyinrecentyears.Thephotoluminescencehasbe-comeabriskersubjectinthestudiesofitsvariousopticalproperties.Aresearchdevelop-menttophotoluminescencepropertiesofsomenewSi1-xGex/Sistrainedlayerstruc-turesisintroduced.

简介：Theoptimumparametersarecalculatedbythelargecross-sectiontheoryandmodecut-offequation.Theeffectonreversebiasvoltagesinanalysedbythedopingconcentrationinn^+-Si.Theissignificantbecausethereversebiasincreasessharplywhenthedopedconcentrationinn^+-Siislessthan1×10^20cm^-3.

简介：Theresidualelectricallyactivedefectsin(4×1012cm-2（30KeV）+5×1012cm-2（130KeV）)si-implantedLECundopedsi-GaAsactivatedbytwo-steprapidthermalannealing（RTA）LABELEDAS970℃（9S）+750℃（12S）havebeeninvestigatedwithdeepleveltransientspec-troscopy（DLTS）.TwoelectrontrapsET1(Ec-0.53eV,σn=2.3×10-16cm2)andET2（Ec-0.81eV,σn=9.7×10（-13）cm2）aredetected.Furthermore,thenoticeablevariationsoftrap’scon-centrationandenergylevelintheforbiddengapwiththedepthprofileofdefectsinducedbyionim-plantationandRTAprocesshavealsobeenobserved.The[Asi·VAs·AsGa]and[VAs·Asi·VGa·AsGa]areproposedtobethepossibleatomicconfigurationsofET1andET2,respectivelytoexplaintheirRTAbehaviors.

简介：FEBRUARY,2016RegulationsConcerningMenstrualPainLeaveaStepintheRightDirectionWomeninAnhuiProvincecantake1-2daysoffwhensufferingmenstrualpainsolongastheyprovideamedicalcertificate,accordingtothelatestlaborregulationsestablishedbytheAnhuiprovincialgovernment.Anhuiisnottheonlyprovincetotakethisstance.Otherregions,suchasJiangsuProvinceandGuangdongProvince,arealso

简介：ＰｈｏｔｏｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙＣｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓｏｆＰｏｒｏｕｓＳｉ①ＣＨＡＯＺｈａｎｙｕｎ，ＷＡＮＧＫａｉｙｕａｎ（ＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃＥｎｇｉｎｅｒｉｎｇ，ＳｏｕｔｈｅａｓｔＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｎａｎｊｉ...