简介：基于纳米晶粒生长的Brook模型和一维半无限大激光加热模型。建立了纳米材料激光成型晶粒生长估算模型；根据试验获得的性能参数进行了数值计算；利用激光扫描纳米材料获得了纳米块体零件，并对数学模型进行了修正。模型的建立将有利于加工过程中的参数选取及晶粒大小的变化的预测。

简介：在LaAlO3（001）、MgO（001）、SrTiO3（001）衬底以及SrTiO3（001）／PZT（001）种膜上用液相外延方法生长了PZNT薄膜。生长结果表明：在LaAlO3（001）基片PZNT晶粒以三维岛状自发生长。薄膜中有大量的焦绿石异相；在MgO（001）和SrlriO3（001）衬底上，为三维岛状异质外延生长。薄膜中焦绿石异相几乎消失；引入[001]取向的PZT种膜后，岛状三维生长变为二维生长，显著改善了外延膜的质量，获得了完整的PZNT膜。分析了衬底取向对紧邻层纳米尺寸范围的晶粒形成、薄膜晶粒的发育、克服薄膜中异相形成等的影响，总结了获得完整PZNT薄膜的生长条件。

简介：用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）方法，在接近常压状态下，在氩气（Ar）和氢气（H2）的气氛中，以硅烷为源气体，在沉积区域加载脉冲负偏压对沉积过程进行调节，在基片上沉积得到具有荧光特性的含有Si纳米晶颗粒的SiOx薄膜，并在原气氛（Ar＋H2）中进行退火处理，SEM、TEM、FTIR、PL显示，退火后薄膜的网格结构被破坏，颗粒性更加明显，化学成分中Si—H减少，Si-O-Si增加，同时有少量si纳米晶粒析出，退火后的薄膜发光峰出现大幅蓝移，发光基团趋于单一，这与Si纳米晶粒的出现相对应。

简介：Al-3B中间合金是亚共晶Al-Si合金的高效细化剂之一。实验研究了Al-3B中间合金中未溶AlB2颗粒对Al-7Si合金晶粒细化的影响。结果表明,AlB2颗粒的数目和沉降对晶粒细化效果都有重要影响。在实验结果和理论分析基础上,提出了Al-3B中间合金对亚共晶Al-Si合金晶粒细化的新机制,认为通过共晶反应形成的＂Al-AlB2＂包覆结构是导致晶粒细化的直接原因,未溶的AlB2颗粒是α（Al）相的间接行核基底。

简介：用离子束技术探讨了Si表面纳米Ti薄膜制备的可行性以及Ti薄膜组织结构与离子束工艺之间的关系。实验进行试样表面预处理、轰击离子能量、离子密度、温度、沉积时间等离子束工艺参数对单晶Si(111)表面沉积的Ti薄膜结构的影响。采用原子力显微镜(AFM)和扫描电子显微镜(SEM)分析了Ti膜表面晶粒形貌，并用X射线衍射仪(XRD)和俄歇电子谱仪(AES)分析了Ti膜的结构和成分。由于残余气体的影响，Ti膜发生了不同程度的氧化，随温度升高和轰击离子强度增加氧化愈加明显。

简介：高比重合金由于具有密度和强度高、延性好等一系列优异的性能,在军工上被用作动能穿甲弹材料.纳米材料被认为是21世纪应用前景最为广阔的新型材料.采用纳米粉末可望大大细化钨合金晶粒,显著提高合金的强度、延性和硬度等力学性能,因而是制备新型高强韧、高比重钨合金的一个很重要的研究方向.作者采用机械合金化(MA)工艺制备了纳米晶钨合金复合粉末,研究了纳米晶钨合金粉末在常压氢气气氛中的烧结致密化和在烧结过程中的钨晶粒长大行为.研究结果表明,MA纳米晶粉末促进了致密化,使致密化温度降低约100～200℃.在一般固相烧结温度时可以得到晶粒尺寸为3～5μm的细晶高强度合金.同时,指出了在液相烧结时存在的问题,即钨晶粒加速重排、产生晶粒聚集与合并,迅速发生钨晶粒长大,在较短时间内液相烧结时,钨晶粒尺寸又长大到接近传统高比重合金水平.

简介：为了明确团聚现象及表面性质对ZnS纳米材料发光性质的影响，采用SiO2对ZnS材料进行了表面修饰，并对ZnS及ZnS／SiO2复合材料的光学性质进行对比研究。采用吸收光谱分析了包覆前后光吸收性质的差异，发现SiO2包覆后ZnS纳米材料的带边由333nm红移至360nm。为了研究ZnS纳米材料与ZnS／SiO2纳米复合材料的光发射性质，分别对含纳米材料的水溶液样品及粉末样品的发光光谱进行了采集。对比研究的结果表明，SiO2包覆后ZnS纳米材料在蓝紫光区的发光得到了明显增强。以氙灯作为激发光源所获得荧光光谱显示ZnS／SiO2粉末样品发光的积分强度增大为原来的17．5倍，但相同条件下针对溶液样品的测试结果显示其发光强度只增大了1．1倍，这种增强可用SiO2的存在抑制了ZnS纳米粒子间的团聚来解释，且这一推断由325nm紫外激光激发下获得的光致发光数据进行了验证。

简介：设计了一种阵列波导光栅解调集成系统中的8通道Si纳米线阵列波导光栅波分复用器。根据材料的折射率设计了单模波导截面尺寸,利用光束传播法对所设计阵列波导光栅进行了模拟。结果表明,器件尺寸为200μm×219μm,远小于目前技术较成熟的硅基SiO2的尺寸,光功率分布符合高斯分布,信道间隔为1.8nm,串扰小于-21dB。对小尺寸AWG的设计具有参考意义。

简介：摘要文章对超细晶粒钢在焊接热循环作用下晶粒长大和组织、性能变化的规律进行了研究。400MPa级钢由于不存在第Ⅱ相粒子对晶粒长大的钉扎作用，晶粒长大趋势明显，焊接热输入越大，长大程度越严重。无论是焊接热模拟试件还是焊接接头硬度测试均表明HAZ不存在软化问题，接头拉伸试验断在远离热影响区的母材上。HAZ粗晶区有较多的侧板条铁素体，但缺口冲击功未显示热影响区的冲机韧性低于母材，尽管试件断口分析说明粗晶区的韧性低于母材。

简介：

简介：论述了珠光体的形成机理及Al和热处理制度对其的影响,表明适当的热处理制度可以细化LZ50钢的晶粒.

简介：用滚镀的方法在金刚石表面镀Ni层和纳米Si3N4/Ni复合镀层,用扫描电子显微镜观察金刚石镀前和镀后的表面形貌,用DKY-1型单颗粒抗压强度测定仪测量金刚石单颗粒的抗压强度。用热压烧结的方法得到铁基结合剂金刚石节块,在INSTRON-5569型万能材料试验机上测量节块的抗弯强度,在NMW-1立式万能摩擦磨损试验机上测试节块的耐磨性。结果表明：在金刚石表面镀Ni层和纳米Si3N4/Ni复合镀层后,表面镀层均匀,纳米Si3N4/Ni复合镀层比纯Ni层更致密,更平滑,晶粒更细小;纳米Si3N4/Ni复合镀层金刚石单颗粒有更高的抗压强度;纳米Si3N4/Ni复合镀层金刚石铁基结合剂节块有更高的抗弯强度和更优良的耐磨性。

简介：采用离子束辅助沉积法（IBAD）在单晶硅片上制备了Ti-Si-N纳米复合薄膜，研究了轰击能量大小对Ti—Si—N纳米复合薄膜生长及力学性能的影响，同时探讨了轰击能量对Ti—Si—N纳米复合薄膜的生长机理的影响。通过原子力显微镜（AFM）、纳米压人仪、光电子能谱（XPS）和X射线衍射分析（XRD）等现代分析技术，对Ti—Si—N纳米复合薄膜的晶粒大小、力学性能、成分与相结构进行综合表征分析。试验结果表明：当轰击能量为700eV时，Ti-Si-N薄膜晶粒直径达到了最小值11nm，此时Ti-Si-N薄膜的硬度相对最高，为33GPa。

简介：<正>“Privacy”istranslatedasyinsiinChinese.Traditionally,intheChinesemind,yinsiisassociatedwithsomethingthatisclosedorunfair.Ifsomeoneissaidtohaveyinsi,meddlers(好事者)willbeattractedtopry(打探)intohisorheraffairs.Sopeoplealwaysstatethattheydon’thaveyinsi.

简介：TheinvestigationonopticalpropertiesofSi1-xGex/Sistrainedlayerstructureshasbeencarriedoutactivelyinrecentyears.Thephotoluminescencehasbe-comeabriskersubjectinthestudiesofitsvariousopticalproperties.Aresearchdevelop-menttophotoluminescencepropertiesofsomenewSi1-xGex/Sistrainedlayerstruc-turesisintroduced.

简介：Theoptimumparametersarecalculatedbythelargecross-sectiontheoryandmodecut-offequation.Theeffectonreversebiasvoltagesinanalysedbythedopingconcentrationinn^+-Si.Theissignificantbecausethereversebiasincreasessharplywhenthedopedconcentrationinn^+-Siislessthan1×10^20cm^-3.

简介：摘要材料组织的细化处理是同时提高材料强度和韧性最为有效途径。细晶钢能改善并提高钢材低温脆断能力。细化晶粒已成为非常重要的强韧化手段，通过细化奥氏体晶粒从而细化马氏体束尺寸，从而提高钢的强度和韧性，还可以改善钢的耐延迟断裂性能和抗疲劳性能；随着超细晶粒或超细组织的形成，屈服强度大幅度提高，细晶技术已是提高材料强韧性的首选途径。

简介：Theresidualelectricallyactivedefectsin(4×1012cm-2（30KeV）+5×1012cm-2（130KeV）)si-implantedLECundopedsi-GaAsactivatedbytwo-steprapidthermalannealing（RTA）LABELEDAS970℃（9S）+750℃（12S）havebeeninvestigatedwithdeepleveltransientspec-troscopy（DLTS）.TwoelectrontrapsET1(Ec-0.53eV,σn=2.3×10-16cm2)andET2（Ec-0.81eV,σn=9.7×10（-13）cm2）aredetected.Furthermore,thenoticeablevariationsoftrap’scon-centrationandenergylevelintheforbiddengapwiththedepthprofileofdefectsinducedbyionim-plantationandRTAprocesshavealsobeenobserved.The[Asi·VAs·AsGa]and[VAs·Asi·VGa·AsGa]areproposedtobethepossibleatomicconfigurationsofET1andET2,respectivelytoexplaintheirRTAbehaviors.

简介：ＰｈｏｔｏｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙＣｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓｏｆＰｏｒｏｕｓＳｉ①ＣＨＡＯＺｈａｎｙｕｎ，ＷＡＮＧＫａｉｙｕａｎ（ＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃＥｎｇｉｎｅｒｉｎｇ，ＳｏｕｔｈｅａｓｔＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｎａｎｊｉ...

简介：PitformationandsurfacemorphologicalevolutioninSi(001)homoepitaxyareinvestigatedbyusingscanningtunnelingmicroscopy.Anti-phaseboundaryisfoundtogiverisetoinitialgenerationofpitsboundbybunchedDBsteps.Theterracesbreakupandarereducedtoacriticalnucleussizewithpitformation.Duetoanisotropickinetics,adownhillbiasdiffusioncurrent,whichislargeralongthedimerrowsthroughthecentreareaoftheterracethanthroughtheareaclosetotheedge,leadstotheprevalenceofpitsboundby{101}facets.Subsequentannealingresultsinashapetransitionfrom{101}-facetedpitstomulti-facetedpits.