简介：

简介：摘要：作为一种新型的计算方法，量子计算有望解决经典计算机过于复杂的问题。自提出以来，受到了广泛关注。然而，由于量子比特的脆弱性，实用化的量子计算机必须实现量子纠错，容错量子计算的概念应运而生。有效量子纠错的前提是量子比特操作的错误率低于某个阈值，即容错阈值。在各种物理体系中，硅基半导体自旋量子比特的制造工艺与现代半导体先进制造工艺兼容，并具有其他体系无可比拟的扩展优势，被认为是实现容错量子计算的最有前途的体系之一。

简介：

简介：摘要：硅基材料是现阶段应用非常常见的锂离子电池负极材料，其特点表现在拥有相对较高的理论比容量、不容易和电解液之间发生反应等，是现阶段拥有良好发展前景的一种材料。然而，硅基材料在一些方面也存在相应缺陷，例如其体积效应非常大以及导电性相对较低等，此类特点会对其商业化的应用造成一定限制。基于此，本文主要围绕锂离子电池硅基负极材料进行分析和探讨，以期为相关工作开展提供参考。

简介：

简介：简要介绍了聚硅氧烷的性质和应用前景，着重讨论了反应性有机官能端基硅氧烷的合成及特点。反应性硅氧烷是制备有机硅改性的嵌段或接枝共聚物的关键起始原料和反应中间体，在共聚物的形成中起着重要的作用。

简介：利用非线性偏振旋转锁模掺铒光纤激光器和1100m长的掺锗硅基高非线性光纤制作了超连续光源，获得了从1150～1750nm的超宽带输出光谱，其中1150～1350nm波段光谱起伏小于3dB，1600～1700nm波段平坦度优于1dB，并有很好的向长波延展空间。光谱展宽的机理为孤子分裂与受激拉曼散射，而四波混频使光谱进一步展宽。

简介：摘要：随着当前信息技术的发展，光通信技术成为了人们日常使用的一种工具，在人们的生产以及生活之中能够产生非常大的影响，在管不管通信之中，硅基集成光隔离器是经常使用的一种手段，对于光通信技术有着非常深远的影响，未来的世界中，信息技术是主要的竞争手段，因此新型的硅基集成光隔离器的研究至关重要，在当前我国对这方面的研究已经取得了一定的成果，本文主要对此进行分析，希望对相关从业人员有一定的参考。

简介：

简介：摘要为了解决可见光显微成像技术无法实现硅基芯片内部结构观测的问题，根据1064nm的红外激光对硅材料具有一定穿透深度的特性，设计了一种硅基半导体芯片激光红外显微成像系统。该系统采用数值孔径为0.42的长工作距显微物镜，通过音圈电机振动多模石英光纤消除散斑噪音，由系统观察CD-RW盘片道间距，表明系统分辨率可达到1.6μｍ，接近理论值，实现了对芯片厚度为70μｍ的静态随机存储器内部结构显微成像的观测。

简介：摘要：本论文主要讨论了硅基负极材料的合成和修饰方法，并对其优势和不足进行说明。通过介绍目前常见的制备与改性技术，包括纳米硅、硅碳复合、硅氧复合等。通过对上述方法优缺点的分析和比较，并对未来的研究方向和发展趋势做出合理展望，以期为相关人员提供参考和借鉴。

简介：

简介：以THF为溶剂，对二溴苯与Mg在超声辐照下反应得到格式试剂，然后与二甲基-氯硅烷反应制得1，4-双（二甲基硅基）苯（BDSB），并用质谱、红外光谱、紫外光谱等对产物进行了表征。

简介：

简介：以水玻璃为硅源，在无压体系中合成含A1的硅基MCM-41，并采用XRD、TEM、27A1MASNMR及N2吸附一脱附等表征手段，系统研究A1的引入对MCM．41结构的影响。研究结果表明：A1原子对MCM-41骨架Si进行同晶取代后，A1以四配位骨架和六配位骨架外A1的形式存在，A1-MCM-41仍能保持长程有序的一维孔道结构。并且随着A1掺杂量的增加，孔径和孔体积减小，当Si／A1=25时比表面积达最高值。

简介：比利时研究中心（IMEC）推出一项联合开发计划（IIAP：industrialaitiliationprogram），目标是降低氮化镓（GaN）技术成本，采用大直径的硅基氮化镓（GaN-on-Si），并开发高效率、大功率白光LED，致力于推动氮化镓技术的发展，包括功率转换和固态照明（SSL）应用。

简介：摘要：硅基异质结光伏电池可以达到双面发电的目的，温度系数比较低，转换效率相对比较高，没有电位诱发衰减与光致衰减。本文主要针对这种电池结构特点与制备工艺这两方面关键问题展开研究，以此来突出这种光伏电池的优越性。

简介：介绍了低硅烧结的意义、现状和低硅烧结矿的成矿机理,对我厂的原料、设备、工艺等现状进行分析,探讨我厂烧结的现状和低硅烧结需采取的措施。

简介：摘要在氢氧化钾条件下2-甲基3-丁炔-2-醇和溴发生反应，生成4-溴-2-甲基-3-丁炔-2醇（化合物1），然后在丁胺条件下和4-三异丙基硅基-1,3-丁二炔，过量的三异丙基硅基乙炔和1反应生成2-甲基-6-（三异丙基硅基）-3,5二炔-2-醇（化合物2），化合物2以苯作为溶剂，加热回流生成4-三异丙基硅基-1,3-丁二炔（化合物3）。通过1HNMR，13CNMR，UV等手段对产物进行了表征.

简介：美国普渡大学和哈佛大学的科学家使用III-V族化合物砷化镓铟代替硅，研制出全球首款全门三维晶体管，可用于开发出运行速度更快、更高效的集成电路和更轻便、耗电更少的手提电脑。