简介：SiGe（硅锗合金）BiCMOS工艺集成技术,是在制造电路结构中的双极晶体管时,在硅基区材料中加入一定含量的锗,形成应变硅异质结构晶体管,以改善双极晶体管特性的一种硅基工艺集成技术。对硅锗合金BiCMOS工艺的核心器件——锗硅异质结双极晶体管SiGeHBT的关键工艺模块,包括收集区、基区、发射区和深槽隔离的器件结构与制作工艺进行了研究与探讨。对常用的3种SiGeBiCMOS工艺集成技术BBGate工艺、BAGate工艺和BDGate工艺,进行了工艺集成技术难点与关键工艺方面的研究,并比较了各种工艺流程的优缺点及其适用范围。

简介：首先介绍了多晶电阻在线监控和工艺控制模块（PCM）监控的两种方法：四探针法和范德堡法，并解决了四探针法在线监控方法多晶电阻波动大的问题；针对生产过程中遇到的多晶电阻偏小问题，通过扫描电镜分析发现多晶晶粒明显偏大，通过对多晶淀积速率的分析确定多晶速率越小，多晶淀积晶粒越大，根据多晶导电理论可知多晶晶粒大，晶粒间界变小，晶粒间界杂质俘获变少，多晶掺杂浓度转化为载流子的比例变高，因此多晶电阻变小。最后根据工程实践列举了影响多晶淀积速率的两大主要因素为多晶淀积温度和多晶炉管维护次数，为保证多晶淀积速率稳定，多晶炉管维护次数尽量少于6次，同时需要对多晶淀积温度进行控制。

简介：Soitec董事长兼首席执行官近日透露,苹果iPhone6s已经在SOI(绝缘体上硅)的基质甚至是长时间带阻滤波器的SOI上使用多个射频(RF)芯片。与此同时,Intel和IBM正使用SOI工艺推动硅光子发展。虽然SOI工艺成功之路历经坎坷,但目前已步入向主要市场渗透的正轨。格罗方德高级副总裁兼总经理RutgerWijburg甚至声称FD-SOI(全耗尽绝缘硅)在四年内的销售量将超过FinFETs。

简介：<正>合肥12英寸晶圆制造基地项目将于9月在新站区开工建设,将为合肥集成电路产业增添一个新亮点。据悉,今年合肥将有20家集成电路产业项目落户,到年底集成电路企业将超过60家,产业发展集聚效应初步形成。合肥是全国最大的面板产业基地、家电产业基地,全国重要的汽车、装备、新能源产业基地,集成电路的应用市场非常广阔,集成电路产业也是合肥重点推进的战略性新兴产业之一。合肥已成为推进集成电路产业最快、成效最显著的城市之一。2014年以来,全市累计签约富士通微电子、芯福传感器、集创北方等项目45个,总投资

简介：10月29日,国内晶圆代工龙头中芯国际在北京再开建了一条12英寸生产线。据中芯国际董事长周子学在同期召开的"第十六届北京微电子国际研讨会"发言时透露:"这条生产线今日正式工破土动工,它也是中芯国际北京厂的第三条12英寸生产线。如果全部达产,中芯国际北京厂将实现11万片/月的产能。"