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  • 简介:摘要:通过对大功率晶体结构的分析,发现热量不仅仅集中在集电极处,在发射结及高阻区也会产生大量的热量,导致大功率晶体结构内部的温度分布非常的不均匀(特别是高频大功率晶体),使得局部之间温差较大,因此在产品设计时,需要增大芯片的发射极周长及增加热补偿垫片,可避免电流过于集中及加速热量的传导,以减小大功率晶体失效的几率。

  • 标签: 内热阻Rti 基区电阻自偏压 热补偿垫片
  • 简介:1947年12月23日,37岁的美国物理学家肖克莱和他的合作者在著名的贝尔实验室向人们展示了第一个半导体电子增幅器,即最初的晶体晶体的发明成为人类微电子革命的先声。

  • 标签: 晶体管 发明 世界 贝尔实验室 物理学家 微电子
  • 简介:场效应晶体具有输入电阻高、噪声系数低、受温度和辐射影响小等优点,在前置电压放大,阻抗变换电路,振荡电路、高速开关电路等方面应用也越来越广泛。在大屏幕电视机、彩色显示器、电脑的电源及主板、音响,手机、直流电机调速器等电路中都可看到场效应的身影。而在实际维修中由于场效应损坏引起的故障并不少见,因此掌握场效应的原理、特性及测量判断的方法尤显重要。

  • 标签: 场效应晶体管 噪声系数 故障 维修
  • 简介:晶体的工作状态分为放大、饱合与截止三个区,它们应用在线性放大器中或脉冲数字电路中各自具有不同的特点。本文的目的,是以NPN型所组成的共射电路为例,来分析放大状态静态工作点的设置与非线性失真的关系,并从非平衡少数截流子在基区的分布入手来阐明开关状态的特点。一、线性放大器的失真与晶体的开关作用晶体营运用在线性放大器中工作点的设置必须合理,如果工作点偏高可能引起饱合失真,工作点偏低又可能引起截止失真。但是,工作点如果较高而信号幅度却很小,则并不一

  • 标签: 静态分析 基区 开关作用 静态工作点 线性放大器 集电极电流
  • 简介:薄膜晶体是液晶显示器的关键器件,对显示器件的工作性能具有十分重要的作用。本文论述了薄膜晶体的发展历史,描述了薄膜晶体的工作原理,分析了非晶硅薄膜晶体、多晶硅薄膜晶体、有机薄膜晶体、ZnO活性层薄膜晶体的性能结构特点与最新进展,并展望了薄膜晶体的应用。

  • 标签: 薄膜晶体管 液晶显示 ZNO薄膜
  • 简介:把闹钟的后盖打开,在电池正极端焊一根电线,在闹钟振铃开关正极上同样也焊一条线,将这两条线的另一端焊在准备好的一个小型插座上,然后把插座固定在闹钟侧面;另外再准备两根长电线,一端接在插头上,另一端接到门枢的按钮开关上。最后把

  • 标签: 闹钟 电子门 门枢 晶体管 振铃开关 电线
  • 简介:通过图解分析法和微变等效电路分析法,对晶体恒流源负载的等效静态电阻和动态电阻进行了详细分析,阐明了它们在不同工作状态下的变化情况,以指导具有晶体恒流源负载的晶体工作状态的确定.

  • 标签: 晶体管 恒流源负载 动态电阻 静态电阻
  • 简介:传统射频LDMOS晶体的源区采用重掺杂p+sinker结构,该结构会占据较大的芯片面积。文中采用槽型sinker结构,可将源区sinker面积减少1/3以上。通过流片实验,得到饱和电流为170mA/mm、击穿电压120V、截止频率和最大振荡频率分别为5.5GHz和10GHz的RFLDMOS器件。在50V工作电压、1090MHz频点下栅宽345mm单芯片器件的最大输出功率362W,功率增益15.6dB,漏极效率38.1%。

  • 标签: RF LDMOS 槽型sinker 击穿电压 功率增益 漏极效率
  • 简介:为了集成电路的低成本和高性能设计,文章通过设计SiGe异质结双极晶体的结构和工艺,给出了微波无线通讯系统的集成方案,从而解决了现行Si器件在高频领域的噪声、速度和带宽问题,同时为CMOS的兼容性提供了技术保障。

  • 标签: 微波集成电路 SiGe异质结双极晶体管(HBT) 器件参数 带宽
  • 简介:本文从长期工作实践中摸索总结出晶体电路中带有一定普遍现象的两类软故障:即接触不良和元器件(晶体等、电阻、电容)造成软故障的判断、检查与处理方法.

  • 标签: 软故障 晶体管 电阻 电容
  • 简介:摘要对于半导体器件来说,其一般都是属于微型结构、微功耗的电子器件,当遭受外界电应力的作用下,会对其可靠度带来极大的影响,甚至会造成失效现象。因此,本文主要结合BJT以及电磁脉冲的基本理论,对双极晶体电磁脉冲损伤机理分析进行了深入的分析,并提出了相应的防护措施。

  • 标签: 双极晶体管 电磁脉冲 BJT EMP 损伤机理 防护措施
  • 简介:晶体多级放大器,是应用晶体三种基本放大电路各自的特点,再根据信号源和负载的特性巧妙地组合形成的电路。它既要有高的放大倍数,又要有合适的输入、输出电阻,并能稳定正常地工作满足实际需求。这部分内容实用、重要、综合性较强,学生感到难学,可从文中所述的方面努力来提高其教学效果。

  • 标签: 晶体管 多级放大器 教学思考
  • 简介:<正>横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;推出打破高压功率MOSFET晶体世界记录的MDmeshV功率MOSFET晶体。MDmeshV系列已是市场上性能最高的功率MOSFET晶体,拥有最低的单位面积通态电阻,在650V额定电压应用中可实现

  • 标签: MDmesh V ST 意法半导体 通态 半导体供应商