简介:针对抗辐照SOIPMOS器件的直流特性与低频噪声特性展开试验与理论研究,分析离子注入工艺对PMOS器件电学性能的影响,并预测其稳定性的变化。首先,对离子注入前后PMOS器件的阈值电压、迁移率和亚阈摆幅进行提取。测量结果表明:埋氧化层离子注入后,器件背栅阈值电压由-43.39V变为-39.2V,空穴有效迁移率由127.37cm2/Vs降低为80.45cm2/Vs,亚阈摆幅由1.35V/dec增长为1.69V/dec;结合背栅阈值电压与亚阈摆幅的变化,提取得到埋氧化层内电子陷阱与背栅界面态数量的变化。随后,分析器件沟道电流噪声功率谱密度随频率、沟道电流的变化,提取γ因子与平带电压噪声功率谱密度,由此计算得到背栅界面附近的缺陷态密度。基于电荷隧穿机制,提取离子注入前后埋氧化层内陷阱态随空间分布的变化。最后,基于迁移率随机涨落机制,提取得到离子注入前后PMOS器件的平均霍格因子由6.19×10-5增长为2.07×10-2,这表明离子注入后器件背栅界面本征电性能与应力稳定性将变差。
简介:网络信息体系是我国国防领域中的新概念,其需求具有抽象层次高、覆盖业务领域广和迭代演化周期长等特点,因此给需求工程带来了新挑战。借鉴模型驱动的系统工程思想方法,提出了一种网络信息体系需求分析建模框架,以网络信息体系需求本体为基础进行需求获取、描述和建模,采用多视图分析方法对体系和系统层面需求进行建模与验证。该框架采用了面向对象的建模方式,既有利于软件工程制品开发与管理,又兼容了军事领域中较流行的美国国防部体系结构框架(DoDAF)。最后,通过案例初步检验了理论方法的有效性。