简介：用化学腐蚀方法织构多晶硅片表面,通过调整制程参数获得腐蚀温度分别为12℃、17℃、22℃、29℃的4组样品,利用扫描电子显微镜（SEM）分析化学腐蚀后多晶硅片表面状态,通过反射谱的测试,分析了多晶硅片表面陷光效果,研究腐蚀温度与后续各制程参数的关系.结果表明：随着腐蚀温度的升高,绒面反射率、镀膜膜厚逐渐升高,开路电压、填充因子逐渐增大,短路电流逐渐减小,最终确定了最佳的腐蚀温度.

简介：采用硬脂酸与硅烷偶联剂表面处理、PMMA水解接枝处理等方法对CaCO3进行表面改性，考察改性纳米钙对PVC／CaCO3复合材料力学性能的影响。

简介：通过自由基共聚的方法制备了聚偏氟乙烯-g-聚（N-异丙基丙烯酰胺）（PVDF—g-PNIPAAm）共聚物，进而采用浸没沉淀相转化法制备了PVDF—g—PNIPAAm共聚膜。采用超声时域反射法研究了不同凝固浴温度下PVDF—g-PNIPAAm的成膜动力学。结合PVDF—g—PNIPAAm的成膜动力学，研究了凝固浴温度对膜结构与性能的影响。结果表明，在不同凝固浴温度下，PVDF—g—PNIPAAm的成膜过程均由液液分相来控制，凝固浴温度为30℃时成膜时间最长，40℃时成膜时间最短；不同凝固浴温度下制备的PVDF—g—PNIPAAm共聚膜保持了PVDF的结晶特性，随着凝固浴温度的升高，结晶度降低。同PVDF—g—PNIPAAm共聚物相比，PNIPAAm在PVDF—g—PNIPAAm膜表面的含量更高，其中，30℃时所成膜表面的PNIPAAm含量最高。不同凝固浴温度下所成的膜均呈指状孔结构，其中，30℃下所成的膜指状孔最大，孔隙率最高。25℃下制备的PVDF—g—PNIPAAm膜具有明显的温度响应性能，其水通量在30℃附近有显著增加。

简介：研究了导电银浆中银粉的振实密度对丝网印刷的太阳能电池正面栅线厚膜的微结构和电性能的影响.以两种不同密度的银粉按不同的比例混合,调配成5种银粉,将其配制成银浆,然后丝网印刷到单晶硅片上,制成太阳能电池片.结果显示,银粉的振实密度对厚膜的微结构和太阳能电池的电性能有重要影响,用振实密度为2.5g/cm3和4.6g/cm3的两种银粉按2∶8的质量比混合后,其振实密度最大,达5.0g/cm3;在其他条件完全相同时,用其配制的银浆制备的厚膜均匀致密,对应的电池显示了最大的光电转化效率,达17.683％.

简介：采用提拉法涂膜,以正硅酸乙酯、乙醇等为原料制备了二氧化硅减反溶胶.溶胶在陈化4天后超声振荡,其薄膜透过率增量可达4.75％.溶胶放置30天镀膜后增透效果仍超过4％.未经超声振荡处理的溶胶,其薄膜透过率相对较低,且30天内其膜增透效果随陈化时间的延长逐渐增加.结果表明,超声辅助有助于缩短陈化时间,延缓溶胶的凝胶过程.

简介：采用化学气相沉积（CVD）法，在常压无催化剂的条件下生长出了一维AlN纳米结构，通过调节生长温度控制生长形貌，利用气固原理和Ehrlich—Schwoebel势垒模型着重分析其生长机理，当温度较高时，原子扩散长度变大，并得到较高能量，使其能从上一层跃迁到下一层，且纳米棒底部直径变大，直径变粗。

简介：在低温下制备了粒径小于10nm的ZnO纳米晶，用旋涂法制备ZnO纳米晶薄膜，XRD分析ZnO晶相是纤锌矿结构；SEM与AFM表明，纳米晶薄膜在300％退火后薄膜的厚度明显减小到130nm，表面粗糙度降低到3．27nm，粒径明显增大；紫外-可见吸收和透射比光谱表明，随着退火温度的增加，吸收边发生了红移，吸收肩更明显，薄膜具有高的透射率（75—85％）；薄膜方阻随温度增加而增大，300℃以下退火方阻增加很小（小于8．5Ω／sq），400℃以上退火方阻大幅增加（大于21．1Ω／sq），因此，ZnO纳米晶薄膜最优退火温度点为300℃。

简介：以中国专利局、美国专利商标局、欧洲专利局世界专利等数据库中检索到的已公开发布的相关专利为研究样本,对专利的特征进行了统计和分析.结果表明：目前检索到700℃先进超超临界（A-USC）电站锅炉主要候选材料的核心发明专利为13项,主要包括Inconel740/740H、Inconel617/617B、HR6W、Sanacro25、GH2984等牌号合金;其中Inconel617/617B和GH2984的专利已过期,且未检索到最新专利;有关Inconel740/740H、HR6W和Sanncro25等合金的专利分别在近年申请并获得授权,专利的保护范围主要针对合金的成分、组织、用途、制备方法等方面,且这些专利保护的范围很广,有效地保护了合金的知识产权.