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新型沟槽技术

作者：刘鹿生
学科：电子电信 > 电路与系统
创建时间：2003-02-12
出处：《电力电子》 2003年第2期

简介：ONSemiconductor公司宣称已采用一种崭新的沟槽工艺技术,它比其他沟槽工艺,能使导通电阻平均降低40%。去年,该公司已将基于创新的沟槽技术用于P沟和N沟MOSFET,并且这种器件已应用于负载管理、电路充电、电池保护和手提式、无线产品中的DC-DC
标签：沟槽技术

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电力电子系统集成的关键技术

作者：刘鹿生
学科：电子电信 > 电路与系统
创建时间：2006-01-11
出处：《电力电子》 2006年第1期

简介：本文综述电力电子系统集成的三项关键技术：改进的功率集成电路、功率变换器的高频数字控制和地磁芯变压器，包括设计考虑和特性。
标签：系统集成功率集成电路数字控制无磁芯变压器

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功率半导体技术进步将促进系统更小型化

作者：刘鹿生
学科：电子电信 > 电路与系统
创建时间：2003-02-12
出处：《电力电子》 2003年第2期

简介：由于功率半导体制造技术的进步,发现可以使电子系统进一步小型化。而将电子系统的尺寸缩小也是实际的需要。但是。器件的热性能是个不可忽视的问题。显而易见,解决问题的第一方法是降低器件的导通电阻和功耗。目前已有些功率MOSFET公司使用沟渠技术,使器件的热性能比前几代有显著的改善。
标签：促进系统功率半导体技术半导体技术进步

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电力电子和微电子的对比及其系统集成技术的研究现状

作者：刘鹿生
学科：电子电信 > 电路与系统
创建时间：2006-03-13
出处：《电力电子》 2006年第3期

简介：本文概述了电力电子与微电子的数字化、模块化和集成化三方面的对比；介绍了相关的系统集成技术的研究现状。
标签：数字革命系统集成系统集成芯片绝缘衬底上的硅

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