简介:当散射体系中除散射体外还存在微电子密度起伏时,实测散射强度将形成对Porod定理的正偏离,从而使散射体的散射失真。提出了一种在长狭缝准直条件下应用模糊强度校正正偏离的方法:作出ln[q^3I^-(q)]-q^2曲线,用公式n[q^3I(q)]=InK'+σ^2q^2拟合大波矢区直线,求出斜率σ^2,作出ln[q^3I^-(q)]-σ^2q^2-q^2曲线即为无偏离的Porod曲线,由此曲线再还原出无偏离的散射强度,即I^-'(q)=exp{ln[q^3I^-(q)]-σ^2q^2}/q^3,再以醇热法合成的介孔氧化锆粉体为例进行了讨论。
简介:采用高氢稀硅烷热丝化学气相沉积方法制备氢化微晶硅薄膜。其结构特征用Raman谱,红外透射谱,小角X射线散射等来表征。结果表明微晶硅的大小及在薄膜中的晶态比Xc随氢稀释度的提高而增加。而从红外谱计算得到氢含量则随氢稀释度的增加而减小。小角X射线散射结果表明薄膜致密度随氢稀释度的增加而增加。结合红外谱和小角X射线散射的结果讨论与比较了不同相结构下硅网络中H的增加而增加。结合红外谱和小角X射线散射的结果讨论与比较了不同相结构下硅网络中H的键合状态。认为随着晶化的发生和晶化程度的提高H逐渐移向晶粒表面,在硅薄膜中H的存在形式从以SiH为主向SiH2转变,即在微晶硅膜中主要以SiH2形式存在于晶粒的界面。