简介：

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简介：在Al2O3(0001）衬底上用MOCDVD方法进行了GaN的外延生长，通过X射线衍射（同步辐射源）研究了GaN和Al2O3(0001）的匹配关系。结果表明，经充分氮化的衬底上，GaN以单一的匹配方式沿[0001]方向生长：在Al2O3(0001）衬底未经氮化或氮化不充分时，不同程度地出现了其它三种绕<11-20>晶带轴倾斜一定角度的匹配位向。指出了GaN/Al2O3(0001）的几种匹配方式的晶体学规律。GaN绕<11-20>晶带轴倾斜的匹配方式是其外延生长过程中降低和Al2O3(0001）的晶格失配、释放界面应变的重要机制之一。

简介：分析了核电厂人因失误动态影响因素和人因失误特性,并结合人的生理、心理因素分析了核电厂人因失误的分布规律。最后以现在运行的核电厂为依据,提出了核电厂人因失误动态作用模型。该模型可以更好地总结人因失误经验,使得人因研究成果在核电厂得到更直接的应用,更有效地减少人因失误。

简介：加速器驱动次临界系统（ADS）与临界系统相比具有不同的中子学动态特性。采用瞬跳近似导出了次临界状态下反应性扰动引起中子密度和堆功率变化的关系式,与基于RELAP5开发的次临界点堆动力学程序做了不同次临界度（keff=0.90,0.95,0.97,0.98和0.99）下1s内引入反应性＋1β的中子学动态特性对比分析。结果表明：①有外源的瞬跳近似能够精确地描述受扰动后很短的一段时间之后的中子密度和堆功率的变化情况,能用于求解有外源的点堆动态方程渐进情况下的解;②反应性引入事故过程中,次临界堆表现出内在稳定性,次临界度越深,偏离临界越远,反应性扰动对次临界堆的影响就越小。