简介：利用同步X光透射形貌技术，研究了液封直拉（LEC）、水平布里支曼（HB）、垂直梯度凝固（VGF）三种生长技术制备的Φ2"晶片的位错缺陷。发现LEC晶体中缺陷明显高于HB、VGF晶体，VGF缺陷缺陷最低，HB晶体居于两者之间。结合生长界面温度梯度和杂质掺入水平，讨论了位错分布差异的原因。
简介：
GaAs晶体位错缺陷的同步X光透射形貌研究
LiAlO2晶体位错特征的X射线形貌分析
紫杉醇诱导的凋亡细胞微量元素含量改变的同步辐射研究
