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  • 简介:Developinganelectrostaticdischarge(ESD)protectiondevicewithabetterlatch-upimmunityhasbeenachallengingissueforthenanometercomplementarymetal-oxidesemiconductor(CMOS)technology.Inthiswork,animprovedgrounded-gateN-channelmetal-oxidesemiconductor(GGNMOS)transistortriggeredsilicon-controlledrectifier(SCR)structure,namedGGSCR,isproposedforhighholdingvoltageESDprotectionapplications.TheGGSCRdemonstratesadoublesnapbackbehaviorasaresultofprogressivetrigger-onoftheGGNMOSandSCR.Thedoublesnapbackmakestheholdingvoltageincreasefrom3.43Vto6.25Vascomparedwiththeconventionallow-voltageSCR.TheTCADsimulationsarecarriedouttoverifythemodesofoperationofthedevice.

  • 标签: GGNMOS ESD保护 维持电压 连续触发 SCR 互补金属氧化物半导体
  • 简介:一个新奇帮助多晶硅的控制硅的整流器(SCR)被介绍;在这篇论文分析了,它在HHNEC的0.18μm电可擦可编程只读存储器过程被制作。帮助多晶硅的SCR利用多晶硅层没有占据额外的布局区域,由通行证帮助静电的分泌物(ESD)电流。TLP当前电压(I-V)测量结果显示出给一样的布局区域那,帮助多晶硅的SCR的坚韧性性能能被改进到3次常规MLSCR的。而且,一个手指如此的帮助多晶硅的SCR,占据仅仅947μm,2]布局区域,能经历7-kVHBMESD应力。结果进一步证明帮助多晶硅的SCR的S类型I-V特征对由改变设备尺寸的不同操作条件可调节。与传统的SCR相比,这新SCR能绕过更多的ESD水流;消费更小的IC区域。

  • 标签: 多晶硅 保护程序 微电子学 电子元件
  • 简介:目的:对柴油机Urea.SCR系统还原剂添加过程进行建模,探讨SCR系统中尿素结晶的主要影响因素,研究排气温度、流量和尿素水溶液喷射速率等对结晶成分、位置和总结晶量的作用规律。创新点:1.考虑喷雾和壁膜内尿素热解过程的差异,分别采用尿素的直接分解和化学反应动力学方法对喷雾和壁膜内的尿素热解过程进行描述;2.提出一维壁膜的概念,将尿素热解的化学反应动力学模型嵌入一维壁膜中,实现对结晶成分、位置和总结晶量的计算。方法:1.采用欧拉方法求解气相流动以及拉格朗同方法跟踪喷雾运动,通过附加源项方式实现气液两相之间的耦合;2.对尿素水溶液喷雾的蒸发、热解、碰壁和结晶等过程进行建模,并对仿真结果进行验证;3.对SCR系统中尿素结晶进行仿真分析,对排气温度、流量和尿素水溶液喷射速率等影响因素进行变参数研究。结论:1.排气温度的降低可以减小壁膜范围以及结晶量;结晶成分与温度密切相关:当温度较低时,结晶以尿素为主,随着温度升高,缩二脲和三聚氰酸开始逐渐形成;2.尿素水溶液喷射速率会影响壁膜范围以及结晶量,但其对结晶成分影响不大;3.排气流量的增大能够促进排气与液滴以及排气管壁之间的传热,从而减小壁膜范围以及结晶量。

  • 标签: 选择性催化还原系统(SCR) 两相流 壁膜 结晶成分 一维模型