简介：《数学通讯》2007年度第23期文《线性规划中的新面孔》中题2：

简介：采用液相外延工艺成功制备了Tb3+,YAGG单晶荧光层,研究了Tb,+激活YAG主晶格外延层中Ga3+掺杂的荧光敏化效应,可以看到在Tb"十荧光得到显著增强的同时,外延荧光层发光的饱和特性也有所改善。实验中观察到了Ga"十掺杂后基质晶体吸收边缘向长波方向展宽,并与Tb3+的’F。一,E、7E典型吸收峰发生交叠的现象,用

简介：O482.312002032290稀土铽配合物的升频转换荧光=Up-conversionfluorescencespectraofTb3+complexes[刊,中]/陈慰宗,杨一心,宋应谦,忽满得,高平安（西北大学物理系.陕西,西安（710068））//光子学报.-2001,30（8）.-970-972以波长为532nm的激光作为激发光,观测了铽（Tb）三种不同配合物的荧光光谱,讨论和分析了铽配合物的升频转换荧光的特性、发光机制及配体的影响。图

简介：激光焊接是利用激光熔化母材本身金属来填充焊缝，因此激光焊缝表面没有余高，并有少许凹陷，由于构件结构的特殊性，有关技术要求焊缝的焊接深度仅为16mm，焊缝宽度不得大于6mm，而实际上焊缝区域的母材厚度约为6-12．5mm变化，焊缝尺寸相对于母材厚度很小，造成焊缝在底片上形成的影像不明显。简体内部密封并以其他材料填充，在进行射线检测时射线不可能采取双壁单影法透照对焊缝实施检测，只能采用单壁单影的透照方法。另外，靠近简体内侧加工有工艺弧度，在射线透射方向上母材厚度有很大变化，

简介：托盘天平是称量物体质量的重要工具之一．实际称量时，我们应使用准确的天平进行规范的操作，但万一在使用过程中出现了这样或那样的问题，应根据天平的工作原理，巧妙应对，同样可以迅速得出被测物体的实际质量．

简介：有些压强题若用常规的方法去解答，其分析和计算过程较为繁杂，同学们往往会觉得有些难度，但若能灵活地运用一些特殊方法进行解答，则可以省去繁杂的分析、计算过程，能使某些问题化难为易，化繁为简．下面便和同学们一起探讨一下压强题的几种特殊解法．

简介：设Sλ*（α,β）表示函数类在单位圆u{z;|z|<1}内解析映象,且对0<λ≤1;0≤α≤（1+λ）/2;0<β≤1;满足设Cλ*（α,β）表示函数类在U内解析,且zf′（z）属于Sλ*（α,β）。当λ=1时,为函数类S1*（α,β）和C1*（α,β）.文中给出了这两类函数的一些结果,本文就

简介：本文主要讨论有限特殊Ｃｈｕｒｃｈ－ＲｏｓｓｅｒＴｈｕｅ系统所表现的么半群上Ｇｒｅｅｎ等价的数量性质．证明每种Ｇｒｅｅｎ等价类都是正则集合，其个数或１或∞且多项式时间内可计算．同时获得一个关于有限特殊Ｔｈｕｅ系统描述能力的结论．

简介：提出两类联系函数,它们是阿基米德联系函数与Fréchet-Hoeffding界的融合,是正序簇.一类介于Fréchet-Hoeffding下界与一个特殊的联系函数之间;另一类介于Fréchet-Hoeffdingshang上界与一个特殊的联系函数之间.本文最后提出几个有待解决的问题.

简介：物理学中常有一些问题，用常规解法很难得出结论．如下面这类热学题用常规方法去做是比较困难和繁琐的，换一种思维方法就容易解决．

简介：设Ω是有限结合环类中全部弱单环组成的环类，Ω1∪Ω2=Ω，Ω1∩Ω2=Φ，在有限结合环类中，我们证明了LΩ1=UΩ2可以成立，并给出等式成立的充要条件,使用这个结论，我们可以证明，在有限结合环类中，超幂零根是特殊根。

简介：O482.3199053412硅发光研究=Researchonsiliconluminescence[刊,中]/夏建白（中科院半导体所.北京（100083））//半导体学报.—1998,19（5）.—321—326介绍了目前已有的使硅发光的方法:掺深能级杂质,掺稀土离子、多孔硅、纳米硅以及Si/SiO2超晶格,讨论了两种可能的发光机制:量子限制效应和表面复合效应。最后介绍了两个硅发光器件,表明硅发光器件的前景是光明的。图9参15（方舟）O482.3199053413离子注入掺铒硅发光中心的光致发光研究=Photoluminescencestudyofluminescentcentersinerbium—implantedsilicon[刊,中]/雷红兵,杨沁清,王启明（中科院半导体所.北京（100083））,周必忠,肖方

简介：O482.3195021317P-GaP中离子注入缺陷的形成=Formationoftheion-implantationdefectinP—typeGaP[刊,中]/李宝军,张旭（甘肃教育学院物理系.甘肃,兰州（730000））//半导体光电.—1994,15（4）.—369—371研究了Zn+离子注入P—GaP半导体所引起的缺陷.在电流密度为0.03μA/Cm2下,将注入Zn+离子剂量为1×1014离子/厘米2的GaP样品腐蚀出蚀

简介：TB342002032291紫外光固化涂料的研究现状=ResearchstatusofUVcuringcoatings[刊,中]/白新德,查萍(清华大学材料科学与工程系.北京(100084)),尹应武(清华大学化学系.北京(100084))//清华大学学报.自然科学版.-2001,41(10).-30-32从紫外固化技术的原理出发,概述了国内外研究进展。介绍了光固化涂料的各个组成部分及其发展情况,分析其性能和结构的关系,提出了既要开展理论研究又要重视应用研究的新思路。在展望了紫外光固化涂料

简介：O482.3196021361电化学引起Si:Er3+材料1.54μm发光增强=Theanodizationinduced1.54μmluminescentintensificationoftheSi:Er3+material[刊,中]/周咏东（中科院上海技物所）,金亿鑫,李仪,蒋红,李菊生（中科院长春物理所）∥红外与毫米波学报。—1995,14（4）。—317—320利用77K红外光致发光实验研究了电化学过程对离子注入Si:Er3+样品的光致发光影响。实验结果表明:电化学过程除在Si:Er3+样品硅基质晶体中引入大量的深能级局域态外,还使Si:Er3+样品中Er3+的1.54μm光致发光效率明显提高,且Er3+发光峰增

简介：利用wittig反应和Wittig一Horner反应,合成了含有三苯胺单元的交替共聚物,它们具有良好的溶解性、成膜性和热稳定性,是一类具有较高效率的发绿光材料。通过在聚合物中引人药和联苯的结构以及在PPV单元上引人不同链长的侧基等,研究了聚合物的几何构型

简介：用面积分的方法代替传统的对称性分析方法,求解了点电荷对几种特殊形状平面的电通量问题,给出了普适的表达式。基于这些解析表达式,我们讨论了如下几点：点电荷相对平面处于几个特殊位置时的电通量;点电荷对无限大平面的电通量;点电荷处于平面上的极限情况下的电通量。这些重要结论将进一步明晰与丰富电通量问题的教学研究内容。

简介：根据共轭函数和DC规划的性质,给出一类特殊DC规划的共轭对偶并讨论其对偶规划的特殊性质,然后利用该性质,把对这类特殊DC规划的求解转化为对一个凸规划的求解.

简介：TB432002042855微腔对有机发光的影响的研究=Microcavityeffectsonorganicemissionlight[刊,中]/初国强,高劲松,朱万彬(中科院长春光机所.吉林,长春(130022))∥光学仪器.—2001,23(5/6).—202-205

简介：TB432003053760双通偏振干涉滤光片的研究=Researchofdouble-passpolarizationinterferencefilters[刊,中]/贺银波(浙江大学光电系,现代光学仪器国家重点实验室.浙江,杭州(310027)),熊静懿…//光学学报-2003,23(1).-89-94研究了等厚度双能偏振干涉滤光片,在此基础上提出了新型双通偏振干涉滤光片,并分析了单通、双通以及新型双通偏振干涉滤光片的光谱特性。结果表明,新型双通偏振干涉滤光片不仅具有更好的光谱特性,而且能