简介：集成电路工业从一开始就在使用离子注入技术。如果不利用离子注入的固有的精确性就很难制造极大规模集成电路（VLSI）。特别是离子注入可精确地调整MOSFET的阈值电压。离子注入有三大优点：能达到晶片表面上掺杂剂均匀分布、可精确控制掺杂剂的深度及其分布、可精确控制掺杂剂密度。这些优点催生了所谓“掺杂剂分布工程”，它对早期CMOS的研制成功是一个关键因素。如果没有离子注入就不会有CMOS工艺的快速发展也就不会对我们的生活产生如此深刻的影响。

简介：<正>最近,中央政府发布的《国务院关于鼓励支持和引导非公有制经济发展的若干意见》指出,要进一步放宽市场准入,鼓励和支持非公有资本进入长期由国有企业控制的基础设施、垄断行业、公用事业等行业和领域,同时,要为非公有制经济创造平

简介：国家863计划集成电路制造装备重大专项“100nm高密度等离子体刻蚀机和大角度离子注入机”，9月28日在北京通过了科技部与北京市组织的项目验收。这是我国国产主流集成电路核心设备产品第一次实现销售，标志着我国集成电路制造核心装备研发取得了重大突破，在该领域自主创新和产业化上又迈出了可喜的一步。

简介：“我们倡议：第一,发起建立国际石墨烯联盟。通过建立公益性、非政府的全球石墨烯创新服务平台,在全球石墨烯产业战略发展蓝图制定、增强国际化联合创新、架设技术与资本的桥梁等国际产业环境建设等方面发挥重要的推动作用。第二,注重原始创新和开放合作。强化自主创新能力建设,加快突破制约产业发展的关键技术、核心技术,完善产、学、研、用相结合的技术创新体系。积极参与国际交流合作,充分利用全球创新资源,加快重大产品的创新突破,推动石墨烯产品的国际化发展。