简介:通过金相观察、电化学腐蚀试验、晶间腐蚀试验和静态腐蚀失重试验,发现当热源间距为2mm时,接头在3.5%NaCl溶液中的电化学腐蚀特性优于3mm和4mm时的接头。同时,该条件下焊接接头晶间腐蚀敏感性低于其它热源间距的接头。但热源间距对接头的均匀腐蚀速率影响很小。经过固溶淬火加时效处理的焊接接头耐电化学腐蚀性优于焊态接头,晶间腐蚀敏感性低于后者。另外,此热处理方法有助于减缓接头区均匀腐蚀速率。进一步分析表明,热源间距为2mm时的接头中,柱状晶在生长过程中,树枝晶得不到充分的发展,分枝较少,结晶后显微疏松等晶间杂质少,组织比较致密。固溶淬火加人工时效消除了焊缝的氢气孔,减少了侵蚀性阴离子对基体的吸附作用;同时,大量Mg、Si原子重新溶入铝合金基体,晶界杂质原子较焊态减少。
简介:以Sn8Zn3Bi为研究对象,采用微合金化方法研究了不同含量的Cu元素对其显微组织、钎料合金与Cu基板钎焊后的界面金属间化合物(IMc)层尺寸及焊接接头剪切强度的影响。结果表明,Sn8Zn3Bi-xCu/Cu(x=0.3,0.5,0.8,1.0,1.5)焊接界面IMC主要为层状Cu5Zn8相。随着Cu含量的增加,界面IMC层的厚度逐渐减小,接头的剪切强度逐渐提高,Sn8Zn3Bi-1.5Cu/Cu接头剪切强度较Sn8Zn3Bi/Cu显著提高。经120℃时效处理后,Sn8Zn3Bi-xCu/Cu(x=0,0.3,0.5,0.8,1.0,1.5)焊接接头剪切强度都明显下降,接头断裂方式由韧性断裂转为局部脆性断裂,但添加了Cu元素的钎料界面IMC生长速度较Sn8Zn3Bi钎料慢,因此Cu元素的添加抑制了界面IMC层的生长。
简介:由AralditeGY250(DGEBA,双官能团)和AralditeEPN1138(酚醛环氧,多官能团)同二酰亚胺二酸2,2-双[4-(4-偏苯三酸酰亚胺基苯氧基)苯基]丙烷(DIDA-V)固化而得到环氧.酰亚胺树脂,并研究了其在室温、100℃和150℃下对不锈钢的粘接剪切强度。同时还研究了溶剂对粘接强度的影响,发现加入四氢呋喃(THF)可以获得最佳的浸润效果。当使用THF作为溶剂时,在室温下,粘接强度随着酰亚胺含量的提高而提高,高温下也有同样趋势。GY250体系室温粘接强度为20.8—23.5MPa,150℃时粘接强度为室温时强度的45%.58%。而EPN1138体系在室温下粘接强度为14.3—20.3MPa,其在150℃时粘接强度增高,增幅为室温1%-26%。无论是GY250还是EPN1138体系,低于370℃温度时均稳定,氮气气氛中800℃时残重分别为27%-31%和33%-41%。从热稳定性和升温时室温粘接强度的保留率来看,EPN1138体系均好于GY250体系。这可能是因为前者交联度更高的缘故。