简介:采用柠檬酸络合和浸渍两步法制备了一系列B-xMo共掺杂BiVO4可见光光催化剂,并采用XRD、XPS、SEM、EDS、BET和UV-vis等表征和分析。以降解甲基橙(MO)、亚甲基蓝(MB)、金橙Ⅱ号(AOⅡ)和罗丹明B(RhB)溶液为指针反应,考察掺杂对BiVO4可见光催化活性的影响。结果表明:B-Mo共掺杂能抑制BiVO4晶粒生长,比表面积增大,共掺杂后BiVO4禁带宽度窄化,且氧空位较单掺杂增加。当Mo掺杂量为2.5%(原子分数)时制备的B-2.5Mo-BiVO4对甲基橙的降解率达96%左右,且该样品也能有效降解亚甲基蓝(MB)、金橙Ⅱ号(AOⅡ)和罗丹明B(RhB)溶液。
简介:还原工序是硅热法炼镁的最大能耗和排放工序,其主要工艺影响因素包括配料、真空系统、燃烧加热技术、还原罐寿命、还原炉结构以及镁还原渣处理。分别分析了各工艺因素对炼镁能耗和排放的影响机理,重点综述了还原工序节能减排技术的最新研发进展及其应用现状,最后对其发展方向进行了展望:(1)采用微机配料;(2)在机械泵前加水环泵或利用蒸汽射流泵代替机械泵进行抽真空;(3)采用蓄热燃烧技术;(4)开发新的还原罐材质以提高其寿命;(5)调整还原炉结构,延长烟气在炉内停留时间、提高还原罐密集度,或采用竖式炼镁还原炉;(6)机械化出渣、回收渣料热量并对还原渣进行再利用。
简介:以廉价的工业级高模数比硅酸钠(Na2O·3.3SiO2)为硅源,以溴化十六烷基三甲基铵(CTAB)为模板剂,通过添加有机胺进行二次水热后处理,制备了掺杂V的介孔硅基分子筛。采用了XRD、SEM和低温液氮吸附脱附分析进行表征。实验结果表明,在不同的有机胺溶液和后处理温度下,样品的扩孔效果差异显著,其中,以三乙胺(TEA)和N-N二甲基十二烷基胺(DMDA)在高温水热处理下的扩孔效果最优。TEA的加入能调变V-MCM-41分子筛的孔径从3.94nm扩孔到9.30nm,增加2.36倍,而DMDA的加入能将孔径从3.94nm扩孔到6.62nm,增加68%。
简介:利用水热法制备了不同Ni含量的ZnO(Zn1-xNixO)稀磁半导体材料,通过XRD、FESEM和VSM对产物的结构、形貌及磁性进行了分析与测试,探讨了反应时间对Zn1-xNixO材料结构及磁性的影响。结果表明,反应时间显著影响Zn1-xNixO的结构与磁性,随着反应时间的延长,样品的结晶质量下降,形貌由六方棒状结构转变为片状结构,同时磁性减弱。