简介:为了研究高开关速度下寄生参数对SiCMOSFET开关特性的影响,以双脉冲测试电路为平台,借助于LTspice软件,探讨了栅极寄生电阻RG、寄生电感以及寄生电容对SiCMOSFET开通和关断时间,开通和关断损耗,电压和电流尖峰的影响。结果表明:RG对寄生振铃有抑制作用,但需要以增大开关时间和开关损耗为代价;源极电感LS具有负反馈作用,其对寄生振铃的抑制也是以增大开关时间和开关损耗为代价;漏极电感LD和栅极电感LG的增加都会使电流和电压尖峰增大,LD的作用较LG明显;漏源极电容CDS是产生电压和电流尖峰的主要因素;栅漏极电容CGD的大小决定了漏源极电压uDS的变化速率;栅源极电容CGS主要决定了器件的开关延时时间和漏极电流的变化速率,对寄生振铃影响不大。
简介:摘要介绍某变电站一起110kV线路控制回路存在寄生回路的现象及处理方法,对寄生回路产生的原因进行详细分析,并结合实际情况提出相应的防控措施,保证变电设备运行的可靠性。
简介:摘要介绍某变电站一起110kV线路控制回路存在寄生回路的现象及处理方法,对寄生回路产生的原因进行详细分析,并结合实际情况提出相应的防控措施,保证变电设备运行的可靠性。
简介:摘要:二次寄生回路是继电保护不容许存在的回路,在多项反措中经常提到“相互独立”,就是防止寄生回路。它的存在轻则误报信号信息,重则导致保护误动拒动,给电网安全埋下重大隐患。在保护验收及定检过程中会碰到寄生回路现象的出现,只要严格按照作业指导书的检查方法,不难发现寄生回路的存在。但对于寄生回路的故障点查找,传统 方法是拉路法, 既费时又费力,同时是带电拆接线操作,还可能造成直流接地、误接线、触电等风险。为了降低工作量和工作风险 ,作者开展研究,成功研制一台二次寄生回路故障点查找仪, 能够快速实现直流系统寄生回路及环网绝缘故障定位 ,降低运维人员消缺工作量。 在揭阳的变电站保护改造和消缺 应用中成效明显。