简介：

简介：金属化孔质量直接关系到印制电路板的质量及可靠性，而镀层空洞的多少对孔壁质量的影响很大。评价孔壁镀层空洞的方法为测试沉铜层背光。文章以流程分析法，通过试验找到了影响沉铜背光不良的根本原因。并对产生机理进行了理论分析：去钻污后，板件孔壁吸附的中和调整剂经过烘干时其分子结构被破坏，影响沉铜活化钯离子在孔壁的吸附，进而导致背光不良。最终，文章针对失效根因进行了改善。将沉铜背光等级由8．5-9级提升至9．5级以上，改善了沉铜加工品质。

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简介：北京时间10月24日凌晨消息．苹果公司在美国发布5款最新产品．其中包括：13英寸MacBookPro笔记本、新款超薄iMac、新款Macmini、第四代iPad以及7.9英寸iPadmini。传闻已久的iPadmini平板厚度为7．2毫米．重量0.3千克,较上一代iPad轻了53％；分为黑、白两色．

简介：一台TCL施耐德U3进水后，显示屏无灯光，键盘灯都不亮，查限流电阻已发霉，清洗后不行，更换背光灯控制管N702，故障排除。N702位置如图所示。

简介：PTH背光亮线是电镀制程中不可忽视的一项功能性缺陷，文章通过试验对亮线形态的产生进行分析，并针对其影响进行了系统的试验设计，层析各因素对PTH背光亮线的形成影响，从流程维护、系统预防等多方面详细阐述了PTH背光“亮线”的解决方案。

简介：对很多笔记本电脑用户来说．TVWalkerMini是一个新玩意．很多人都搞不懂这个外形同鼠标相像的小东西到底是什么东西，那TVWalkerMini到底有什么能耐．因何价格能远远高于鼠标昵7TVWalker

简介：<正>英国阿斯科特的ElementSix公司与德国乌尔姆大学合作,采用化学汽相淀积制备的合成单晶金刚石制造出前期性微波器件(MESFET)。金刚石所固有的理论性能并结合最新推出的这种器件意味着,金刚石可占

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简介：Blackmagic公司推出的支持光纤的MiniConverterOpticalFiber转换器，适用于大型制作单位或播出机构及DSNG卫星转播车，同时也是小型机构的高性价比线路传输方式的优异选择。

简介：<正>00593Fabricationof0.1μm-GateInPHEMTsUsingi-LineLithography/K.Sawada,K.Makiyama,T.Takahashietal(FujitsuLaboratoriesLtd,Japan)//2003IndiumPhos-

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简介：本文介绍。塑料封装元件的潮湿敏感性是一个关键的制造问题，它不能看作是“容易照办的”装配程序。事实上。相对于十几年的ESD有关的问题，普遍都对潮湿问题缺乏控制。但是，在零件处理、跟踪和控制中任何可能的改进都预示着在该领域中产品可靠性的改善。

简介：在站点密集地区，点对多点传输比点对点传输有着明显的优势。作为一条简单的经验法则，当可从一个位点控制4-5个RBS时，点对多点微波传输即是理想的网络传输之选。然而，这两项技术还可(并将)结合使用。点对点微波通常部署在RBS较少的地区，可与点对多点技术相结合，克服传输中的距离与干扰问题。爱立信点对点与点对多点产品系列的强大组合，可为2G与3G网络提供具有最低成本及最高频率利用率的解决方案。

简介：象限光电探测器是一个新类型位置检测器，它已经被用于象测量那样的许多地，追踪的目标，控制，激光描准，指导，等等。系统性能与象限光电探测器收到的激光点区域有关。仅仅当激光分散点的尺寸对察觉者均匀时，系统的线性输出信号被得到的最佳感光性的区域。测量察觉者收到的themini点并且在实时调整它的一个方法被介绍，它基于几何的象限和光结构，使用倾斜镜子扫描，察觉者的顺序产量信号被得到，因为特征变量，激光分散点的半径和分散的可调节的价值是计算的，然后，测量模型与信号变化的率被造。实验结果证明最大的错误是0。在测量的58μm0变化。5公里±0.1公里。

简介：微型霓虹灯又称冷阴极型荧光灯(ColdCathodeFluorescentLamps,简称CCFL),其实就是细管径的霓虹灯,一般的霓虹灯最小管径为6毫米,管径小于6毫米的生产工艺完全不同,是新一代的线光源,它具有小型、高亮度、长寿命、耗电小等优点。早期只有美国、日本等发达国家才能生产,现在国内已逐步开始生产,随着生产成本降低,它将会有更大的应用市场。

简介：诺基亚N6610：N6610CPU可和N7210、N6100、N3300的CPU通用，N6610电源IC可以和N7210的电源IC通用，N6610字库可以和N7210的字库通用，N6610暂存可以和N7210、N3310的暂存通用，N6610的中频IC可以和N7210中频IC通用，N6610射频IC与N7210射频IC通用

简介：小型化和多功能化是SAW器件发展的主要动力。文章回顾了SAW器件封装的发展历史，介绍了金属封装、塑料封装、SMD封装各自的特点，详述了芯片倒装技术及芯片尺寸SAW封装（ChipSizedSAWPackage，CSSP）技术，将通用芯片倒装技术（FlipChipBonding，FCB）和SAW封装的特点结合，使封装尺寸减小到极限。然后对今后的复合封装进行了展望。

简介：功率半导体器件（亦称电力电子器件）、半导体集成电路和光电器件是当前我国七个战略性新兴产业之一的＂新一代信息产业＂的基础和关键技术。同时,功率半导体器件还破认定为融合工业化和信息化的最佳产品。小久前出版的《功率半导体器件基础》一书,对功率半导体领域相关专业的本科生、研究生作为入门教材或专业研究人员、工程师作为案头参考资料,

简介：NMOS管I-V曲线在ESD（electrostaticdischarges）脉冲电流作用下呈现出反转特性。其维持电压VH、维持电流IH、触发电压VB、触发电流IB以及二次击穿电流等参数将会影响NMOS管器件的抗ESD能力。文章通过采用SILVACO软件，对1．0μm工艺不同沟长和工艺条件的NMOS管静电放电时的峰值电场、晶格温度以及VH进行了模拟和分析。模拟发现，在ESD触发时，增加ESD注入工艺将使结峰值场强增强，VH减小、VB减小，晶格温度降低；器件沟长和触发电压VB具有明显正相关特性，但对VH基本无影响。最后分析认为NMOS管ESD失效主要表现为高电流引起的热失效，而电场击穿引起的介质失效是次要的。