简介：Polyparaphenylene(PPP)ispreparedbyAlCl3-CuCl2catalystswithbenzeneasthemonomerandisdopedbychemicalmethodandN^+ionimplantation.Theinfluencesoftheconcentration,temperatureandtimeofchemicaldopingandthedose,energyandtemperatureofionimplantation,onPPPconductivityareinvestigated.TheresultsshowedthattheconductivityofPPPcanbeimproved4-5ordersofmagnitudebyionimplantationandtheconductivityofPPPcanreachabout0.11S·cm^-1bychemicaldoping.Thecomparisonofstabilityofthematerialconductivebehaviorbyusingthetwodopingmethodsispresented.Itshowsthationimplantationisbetterthanchemicaldopinginstabilizingtheelectricconductivebehaviorforthematerial.

简介：高密度的CdS空nanospheres被一种简单化学蒸汽免职技术成功地综合。水晶结构，组合信息，和词法结构被X光检查衍射(XRD)描绘，扫描电子显微镜学(SEM)，传播电子显微镜学(TEM)，和精力散的X光检查分光计(EDX)。结果证明同样准备的CdS空nanospheres让制服缩放大约1在直径的3m。Kirkendall现象为CdSnanostructures的形成被建议。在580nm定位的强壮的排出物被观察。

简介：Amorphoussiliconfilmsarepreparedatlowertemperatureof350℃bynewcatalyticchemicalvapordepositionmethod.Inthemethod,materialgases(SiH4andH2)aredecomposedbycatalyticreactionatgiventemperature,soa-Sifilmsaredepositedonsubstrates.Itisfoundthata-Sifilmswithhighqualitycanbeobtain,suchashighphotosensitivityof10^6,lowspindensityof2.5×10^16cm^-3.

简介：(CMP)软层的概念第一次在化学机械擦亮期间被建议。软层是在它是的硅表面上形成的反应层比硅衬底和它的厚度软是大约几纳米。软层的Theexistence能增加一个粒子移开的材料体积并且在CMP期间增加材料移动率。同时，软层能减少磨料粒子的切的深度以便认识到可锻的磨擦，并且减少是有用的擦亮的表面并且到的粗糙改进擦亮的质量。

简介：Chalcopyrite-typeCuInSe2nanoparticlesaresuccessfullypreparedbyusingIn2Se3nanoparticlesasaprecursorreactedwithcopperchloride(CuCl)solutionviaaphasetransformationprocessinlowtemperature.Thereactiontimeisakeyparameter.Afterthereactiontimeincreasingfrom0.5hto8h,In2Se3andCuClreactwitheachothergraduallyviaphasetransformationintoCuInSe2withoutanyintermediatephase.ThecrystallinestructureandmorphologyoftheCuInSe2nanoparticlesarecharacterizedbyX-raydiffraction(XRD)andfieldemissionscanningelectronmicroscopy(FESEM).ThediameterofCuInSe2nanoparticleswithgooddispersibilityrangesfrom10nmto20nm.ThebandgapoftheCuInSe2nanoparticlesis1.04eVcalculatedfromtheultraviolet-visible(UV-VIS)spectrum.

简介：围单人赛的碳nanotubes(SWCNT)的一扇温度窗户生长被拉曼学习了光谱学。当温度比750掳C降低时，介绍的结果，有很少SWCNT，形成，并且什么时候比900掳C高的温度，集体非结晶的碳由于CH4的自我分解在SWCNT捆被形成。SWCNT的温度窗户高效地生长在800和900掳C之间，并且最佳生长温度是大约850掳C。这些结果被在不同温度下面形成的样品的传播电子显微镜图象支持。温度窗户为由催化化学蒸汽免职方法的SWCNT的大规模生产是重要的。