简介:<正>据国外有关媒体报道,包括志圣、稳懋等在内的14家上下游半导体制造厂与设备商近日在台宣布组成"三五族半导体产业研发联盟"结合成功大学、交通大学和工研院的研究资源,提升业者自主技术能力,进一步成为全球三五族半导体产业的晶圆制程与设备供应重镇。台经济部技术处处长黄重球指出,"三五族半导体"设备产业是个新兴市场,目前没有美国、日本等大厂垄断,因此研发联盟将以独立开发技术为主,引进技术为辅,开创台湾成为三五族半导体设备供应的重镇。据悉,该联盟最大的特色是垂直、水平地整合各个晶圆厂与半导体前段、后段设备等成员,共同致力于订定规格、研发制程与设备技术、现场测试,再将研发成果回馈给各成
简介:她在报告中回顾了功率变换技术的发展历史,对如何获得高效、优波负载适应性和强鲁棒性的综合特征进行了阐述。效率、优波、负载鲁棒性以及对负载尖刺的危害等问题的合理解决,关键是如何得到与输出波形同步、同形、同频、同相的纹波供电电压波形,并始终跟随其幅频变化,保持线性功率管工作在临
简介:采用磁控溅射法在阳极氧化预处理过的铝板上沉积氮化铝薄膜,制备氮化铝-铝复合基板。制备的氮化铝为非晶态,抗电强度超过700V/μm,阳极氧化铝抗电强度达75V/μm。当阳极氧化铝膜厚约10μm、氮化铝膜约1μm时,制备的复合封装基板击穿电压超过1350V,绝缘电阻率1.7×106MΩ·cm,氮化铝与铝板的结合强度超过8MPa;阳极氧化铝膜作为缓冲层有效缓解了氮化铝与铝热膨胀系数失配的问题,在260℃热冲击下,铝板未发生形变,氮化铝膜未破裂,电学性能无明显变化。氮化铝与阳极氧化膜的可见光高透性保持了镜面抛光金属铝的高反射率,当该复合基板应用于LED芯片COB封装时,有助于提高封装光效。