简介:提出了一种积累型槽栅超势垒二极管,该二极管采用N型积累型MOSFET,通过MOSFET的体效应作用降低二极管势垒。当外加很小的正向电压时,在N+区下方以及栅氧化层和N-区界面处形成电子积累的薄层,形成电子电流,进一步降低二极管正向压降;随着外加电压增大,P+区、N-外延区和N+衬底构成的PIN二极管开启,提供大电流。反向阻断时,MOSFET截止,PN结快速耗尽,利用反偏PN结来承担反向耐压。N型积累型MOSFET沟道长度由N+区和N外延区间的N-区长度决定。仿真结果表明,在相同外延层厚度和浓度下,该结构器件的开启电压约为0.23V,远低于普通PIN二极管的开启电压,较肖特基二极管的开启电压降低约30%,泄漏电流比肖特基二极管小近50倍。
简介:随着IP业务、多媒体业务的飞速增长促使接入网进一步向宽带化和综合化的方向发展,于是出现了完全集成了宽带业务和窄带业务的复合型综合业务接入网,将传统电话业务与数据业务逐渐融合到下一代网络中,ZXDSL9806H设备是NGN网络环境中提供宽窄带一体化的接入网关,可以实现小容量的xDSL接入、窄带POTS接入,支持xPON接入,适应多种组网需求。随着光进铜退的快速发展,9806H在改建小区的应用越来越广泛,为了更好地维护和管理该设备,使用更加灵活,以及提高网络的可靠性,保证用户使用的效果,文章探讨了ZXDSL9806H的设备原理及日常维护方法。