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181 个结果
  • 简介:<正>本文对以砷化镓为主的三、五族化合半导体集成电路产业的现状做出了描述,并对其发展前景做了预测。以砷化镓(GaAs)为代表的三、五族化合半导体集成电路因其优越的高频、高速性能而长期被用于军事电子装备,作为其高频前端的核心器件。九十

  • 标签: Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体 集成电路产业 砷化镓 发展趋势 发展前景
  • 简介:本文详细介绍了碳氢化合的结构与清洗性能之间的关系.指出清洗剂的组成及其分子结构不同会有不同的物理性质和化学性质.建议用户应依据清洗剂的性质来拟定工艺流程和工艺参数.

  • 标签: 碳氢化合物 清洗剂 分子结构 物理性质 化学性质
  • 简介:碳氢化合陶瓷基材料所制成的超薄复合覆铜板具有优良电绝缘性能,高导热特性,优异的高频高速信号传输性能,但此材料在PCB加工过程中,或接受老化后表现出板材变色,线路结合强度下降。酸性蚀刻后线路剥离强度>1.15N/mm,在经过喷锡后降为1.0N/mm,沉金后降为0.7N/mm;在经过115MOT(最高操作温度:指PCB在成品上的最高使用温度)老化实验后酸性蚀刻线路剥离强度降为0.7N/mm左右;而沉金与喷锡线路250m线宽剥离强度达不到0.35N/mm(UL要求通过线路剥离强度要求数值)。

  • 标签: 碳氢化合物 陶瓷基 剥离强度
  • 简介:采用磁控溅射法在阳极氧化预处理过的铝板上沉积氮化铝薄膜,制备氮化铝-铝复合基板。制备的氮化铝为非晶态,抗电强度超过700V/μm,阳极氧化铝抗电强度达75V/μm。当阳极氧化铝膜厚约10μm、氮化铝膜约1μm时,制备的复合封装基板击穿电压超过1350V,绝缘电阻率1.7×106MΩ·cm,氮化铝与铝板的结合强度超过8MPa;阳极氧化铝膜作为缓冲层有效缓解了氮化铝与铝热膨胀系数失配的问题,在260℃热冲击下,铝板未发生形变,氮化铝膜未破裂,电学性能无明显变化。氮化铝与阳极氧化膜的可见光高透性保持了镜面抛光金属铝的高反射率,当该复合基板应用于LED芯片COB封装时,有助于提高封装光效。

  • 标签: 金属基板 氮化铝 阳极氧化铝 COB封装
  • 简介:2016年氮化镓(GaN)功率元件产业规模约为1,200万美元,研究机构YoleDeveloppemen研究显示预计到2022年该市场将成长到4.6亿美元,年复合成长率高达79%。包括LiDAR、无线功率和封包追踪等应用,尤其是高阶低/中压应用,GaN技术是满足其特定需求的唯一现有解决方案。

  • 标签: 功率元件 产业规模 GAN 氮化镓 起飞 LIDAR
  • 简介:文章主要介绍氮化铝陶瓷基片生产的关键技术。重点研究了原材料控制、氮化铝基片配方、成型工艺、烧结技术、磨抛技术等五个方面的因素对氮化铝陶瓷基片生产的影响以及解决措施。通过研究发现添加3%左右的Y2O3作为烧结助剂,同时采用低温段缓慢升温的方法可以极大地提高氮化铝陶瓷基片的烧成质量。我们的研究,优化了生产工艺,提高了氮化铝陶瓷基片的质量和生产的成品率。

  • 标签: 氮化铝陶瓷基片 生产 关键技术
  • 简介:<正>石墨烯(Graphene)自十几年前诞生以来就一直让科学家们着迷。这种仅仅一个原子厚度的碳元素材料拥有出色的电子特性、强度、超轻重量,用途也不断拓宽,但是如何为其植入能隙(bandgap/半导体或是绝缘体的价带顶端至传导带底端的能量差距),从而制造晶体管和其它电子设备,却始终让科研人员束手无策。

  • 标签: 石墨烯 六方氮化硼 电子特性 传导带 能隙 hexagonal
  • 简介:<正>近日,推动高能效创新的安森美半导体(ONSemiconductor)与功率转换专家Transphorm宣布已建立了新的合作关系,共同开发及共同推广基于氮化镓(GaN)的产品和电源系统方案,用于工业、计算机、电信、LED照明及网络领域的各种高压应用。该策略合作充分发挥两家公司固有的实力。Transphorm是公认的第一家将600伏(V)GaN硅晶体管量产通过授证的公司,并在这先进技术有无与伦比

  • 标签: 电源系统 GAN Transphorm 氮化镓 安森美半导体 网络领域
  • 简介:<正>美国Kyma公司新推出高掺杂n+型氮化镓体单晶衬底,尺寸为10´10mm-2和18´18mm-2,同时他们也正在研发直径2英寸的氮化镓衬底,下一步是进入量产阶段。这次Kyma新研制的高掺杂n型氮化镓衬底的电阻率小

  • 标签: 氮化镓 Kyma 半导体材料 垂直结构 氮化铝 半导体器件
  • 简介:<正>富士通半导体宣布采用其基于硅基板的氮化镓(GaN)功率器件的服务器电源单元成功实现2.5kW的高输出功率,富士通半导体计划将于2013年下半年开始量产这些GaN功率器件。这些器件可广泛用于电源增值应用,对实现低碳社会做出重大贡献。与传统硅基功率器件相比,基于GaN的功率器件具有导通电阻低和能够进行高频操作等特性。而这些特性恰恰有利于提高电源单元转换效率,并使电源

  • 标签: 氮化镓 导通电阻 器件技术 增值应用 硅晶圆 基功
  • 简介:TriQuint半导体公司推出四款具有卓越增益和效率,并且非常耐用的新氮化镓(GaN)HEMT射频功率晶体管产品。TriQuint的氮化镓晶体管可使放大器的尺寸减半,同时改进效率和增益。这些新的氮化镓晶体管可在直流至6GHz宽广的工作频率上提供30—37W(CW)射频输出功率。

  • 标签: 功率晶体管 氮化镓 放大器 尺寸 半导体公司 输出功率
  • 简介:文章回顾了洗涤剂的发展历史,并用大量事实说明随着石化工业发展起来的石化合成洗洁剂,虽然给人的生活带来许多便利,但同时也造成对环境的污染和对人体健康的危害,应该引起人们的高度警惕,并指出用天然洗剂替代石化合成洗洁剂是洗洁剂今后发展的必然方向.

  • 标签: 石化合成洗洁剂 危害 天然洗剂 环境污染 人体健康
  • 简介:【摘 要】当前,把握住数字化机遇,进一步释放数字活力,充分发挥数字经济的新优势,已经成为了时代的使命。这其中,合同的数字化管理对企业管理的科学化、合规化、精细化有着重要意义。本文拟针对现有合同管理流程中存在的问题,就如何利用信息化手段并结合合同管理的制度,提升合同的数字化及全过程管理进行阐述。

  • 标签: 合同管理 数字化 全过程
  • 简介:文章回顾了石化合成洗剂的发展历史,从经历的五代产品的发展过程中可以看出它经历了一个环保到不环保再到环保的曲折过程;分析了石化合成洗剂的主要成分及其清洗去污的作用原理着重指出目前使用的石化合成洗剂虽然给生活带来便利,但同时也给人体健康和生态环境都造成严重的危害;倡导使用新型环保型的第五代洗剂已成为新世纪中清洗剂发展的必然趋势.

  • 标签: 清洗剂 表面活性剂 污染 保护环境 人体健康
  • 简介:全球半导体行业沉积设备供应商AIXTRON凭借其全自动新产品——金属氧化物化学汽相沉积(MOCVD)系统AIXG5+C,获商业杂志CompoundSemiconductor颁授2016年CSHigh-VolumeManufacturingAward奖项。该奖项是业界对国际化合半导体行业内的关键创新领域进行评判,围绕芯片制造工艺流程,强调对业界发展所作出的贡献。AIXTRON方面表示,AIXG5+C是全球首套完备的MOCVD系统解决方案,可以满足硅基氮化镓LED和功率器件领域的外延类产品需求。该产品融合两项关键性创新,

  • 标签: MOCVD系统 AIX 氮化镓 SEMICONDUCTOR 硅基 杂志
  • 简介:<正>日前,VishayIntertechnology,Inc.宣布,推出新系列高功率表面贴装的精密薄膜片式电阻-PCAN系列器件。该系列器件采用氮化铝基板,功率等级为2W~6W,分别采用1206和2512小外形尺寸。今天发布的VishayDale薄膜电阻的氮化铝基板采用更大的背面端接,减少了上侧电阻层与最终用户的电路组装上焊点之间的热阻。这样,器件可处理

  • 标签: 铝基板 表面贴装 VISHAY 电阻层 薄膜电阻 最终用户
  • 简介:最近一家陕西的洗涤用品公司提出的“石化合成洗涤用品有害论”的观点不光让读者吃惊也让部分从事洗涤用品生产的业内人士大跌眼镜:这家公司这么大胆,竟敢挑战全行业?对此该公司有关人士一再重申:他们并没有挑战全行业。他们挑战的只是一种观念。

  • 标签: 石化合成洗涤用品 人体健康 环境保护 危害性