简介：本文简单介绍了电梯的平衡系数并对其检验方法进行了探讨。

简介：本文基于原子扩散理论模型,试图介绍一种蓝宝石芯片直接键合技术,给出一定扩散距离下键合温度与键合时间的关系;开展了蓝宝石芯片键合的试验研究;初步制作了键合样品。经测试,键合强度达到0.5MPa,验证了蓝宝石芯片直接键合的可行性。

简介：摘要运输需求预测是公路网规划的基础，具有重大的社会意义和经济意义。近年来公路货运市场规模不断扩大，公路的货运量和周转量逐渐上升，所以科学准确地预测公路货运量意义重大。本文运用弹性系数分析预测法对杭州未来三年的公路货运量进行预测，分析弹性系数在预测中的适用性。

简介：XY轴热膨胀系数的性能日益受到关注,特别是IC载板对XY轴热膨胀系数测试有着急切的需求。经过摸索,利用公司现有的仪器TMA202,以及材料自身热固性的特点和TMA202炉腔大小,及探针压力可以调节等一些条件,开发一种新的XY轴热膨胀系数测试方法。

简介：PCB多层板的制作由多张内层芯板压合而成,而影响芯板图形对准的关键因素为各层别芯板的涨缩值。本文阐述了通过建立计量模型预测菲林系数,达到控制和提高压合精准度的研究过程。分别从方法、过程和结果等几方面,对补偿系数控制进行了详细说明。

简介：摘要：在地下水污染防治中，采用防渗技术可以隔离地面污染源，阻断污染物进入地下水环境，防止地下水污染。渗透率可以较好地反映出材料的防渗特性，因此在有关的地下水污染控制技术规范中，将渗透系数作为防渗材料的选用及防渗设计的基础。但防渗混凝土、水泥基渗透结晶防水涂料、环氧树脂防水涂料、聚脲防水涂料等防渗材料，都是以抗渗压力来表达防水效果。在对防渗材料的抗渗压力试验规范进行分析的基础上，根据达西定律，建立了渗流阻力和渗透率的转换公式。

简介：文章提出一种基于DCT系数值排序预测的加密域JPEG图像可逆信息隐藏方案,该方案能够抵抗针对JPEG图像加密的轮廓攻击方法。区别于现有加密域JPEG图像信息隐藏方法,文章利用混沌加密方法置乱JPEG图像标识符,掩盖了加密域JPEG图像中的分块信息,利用基于DCT系数值排序预测的方法将秘密信息可逆嵌入加密JPEG图像中。在进行信息嵌入和提取的过程中,基于DCT系数值排序预测的可逆信息隐藏方法无需利用JPEG图像的分块信息,且信息嵌入的效率高,提取准确。实验结果显示,文章方案的安全性和嵌入容量都得到很大程度的提升,含密图像的图像质量也有一定程度的提高。

简介：电子工业不断的小型化，数种不同互联技术于线路板上电子零件连接及电接点被应用范畴不断增加。基于此用途，线路板组装垫位需被一层最后表面处理保护，如这最后表面处理层可用于不同互联技术，可被称为多功能表面层。钯是一个艮好的镍扩散阻挡层，故此层膜能抵受如焊接及键接之严酷老化测试条件。其两大优点为具有良好热超声波键接性及于无铅焊料之非常优艮焊接性。从预镀导线架过往多年经验已知即使很薄贵金属钯层及金层已可有保证可靠的金线键接性。从这一知识，沉镍浸钯浸金层膜系统（ENIPIG）被研发出来。此崭新表面处理ENIPIG三种金属镀液需互相配合才能于线路板工艺上达成理想多功能层膜。因着其薄贵金属层膜，相对于其他表面处理，可节省颇大的成本。

简介：

简介：啁啾光纤光栅是用于偏振模色散补偿的重要光无源器件.本文对基于两个啁啾光纤光栅的偏振模色散补偿系统进行了分析.重点分析了啁啾光纤光栅的一阶啁啾系数和两个光栅之间的有效折射率差Δn变化对系统补偿特性的影响,并进行了数值仿真.

简介：纳米技术发展至今，遇到的一个重大难题就是直接观察单个分子和原子团簇的几何结构和电子结构，并对其进行理论阐述。日前由国家自然科学基金委委连续资助的研究项目“单分子结构与电子态的理论和实验研究”已经突破该难题，能够对单个分子和原子团簇的结构进行理论上的建模分析与表述。

简介：近日，铁通重庆分公司举办了为期二天的第五期入党积极分子培训班，来自10个地市级单位和省分公司机关的41名员工参加了此次培训。在两天的培训期间，省分公司多年从事政工工作的党群千部为参训学员详细讲授了党课。党课从中国共产党的性质、指导思想、最终目标、

简介：

简介：高速化大容量化信号传输的到来，导入了光导印制线路板。光导线路的媒介是采用光纤与光波导管。本文叙述了光导印制线路板用高分子光波导管的开发趋向。高分子光波导管的性能要求传输损耗小，耐热性高，组成物有氟化聚酰亚胺高分子材料。光导印制线路板的开发最近有不少报告，除日本外也有韩国的。

简介：本文研究了MOSFET反型层中载流子的迁移率以及迁移率如何影响温度系数（TC）。迁移率模型中考虑了在反型层中所有的散射机构。本研究对TC进行了新的考虑，并用一个实例验证了提出的模型。

简介：来自日本东京大学的研究团队声称首次实现了在硅衬底砷化镓（GaAs）量子点（QD）激光器中电泵激1．3μm砷化铟（InAs）的材料生长工艺，该砷化镓衬底是利用分子束外延技术（MBE）直接生长在同轴（001）硅衬底上的。